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S8550 PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der S8550 ist ein leistungsstarker PNP-Bipolartransistor (BJT), der für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen entwickelt wurde. In einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht, bietet dieser Transistor effizienten Betrieb und Vielseitigkeit in einer Vielzahl elektronischer Schaltkreise.
Unsere Vorteile:
Chinesische Herstellungsprozesse wurden jahrelang iteriert, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien führte. Viele internationale Konzerne entscheiden sich für die Auslagerung der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte in 99 % der Anwendungen die Produkte großer internationaler Marken vollständig ersetzen, ohne dass eine Testverifizierung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonstanz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Lieferung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Beschreibung:
Der S8550 ist ein leistungsstarker PNP-Bipolartransistor (BJT), der für allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen entwickelt wurde. In einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht, bietet dieser Transistor effizienten Betrieb und Vielseitigkeit in einer Vielzahl elektronischer Schaltkreise.
Merkmale:
● Nennspannung: Unterstützt eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von -25 V, geeignet für Schaltkreise, die einen Betrieb mit negativer Spannung erfordern.● Stromhandhabung: Kann bis zu 500 mA Kollektorstrom (Ic) handhaben und ist daher ideal für Schaltaufgaben mit mittlerem Strom.
● Verlustleistung: Eine Verlustleistung (Pd) von 0.3 W gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter typischen Lastbedingungen.
● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) von -0.6 V bei 100 mA Kollektorstrom und 10 mA Basisstrom, wodurch der Leistungsverlust während Schaltvorgängen minimiert wird.
● Hoher Frequenzgang: Eine Übergangsfrequenz (fT) von 150 MHz ermöglicht einen zuverlässigen Hochfrequenzbetrieb in verschiedenen Signalverarbeitungsanwendungen.
● Kompaktes Gehäuse: Untergebracht im SOT-23-Gehäuse, das einen geringen Platzbedarf und eine einfache Integration auf Leiterplatten (PCBs) bietet.
● Großer Betriebstemperaturbereich: Kann in Umgebungen von -55 °C bis +150 °C betrieben werden, geeignet für Anwendungen in der Industrie, im Automobilbereich und in der Unterhaltungselektronik.
Anwendungen:
Der Transistor S8550 eignet sich für eine breite Palette elektronischer Anwendungen, darunter:
● Signalverstärkung: Ideal für den Einsatz in Audioverstärkern, Signalaufbereitungsschaltungen und anderen Anwendungen, die eine zuverlässige Kleinsignalverstärkung erfordern.
● Spannungsregelung: Integriert in Spannungsregler und DC-DC-Wandler für ein effizientes Energiemanagement in tragbaren elektronischen Geräten.
● Hochfrequenzanwendungen (RF): Wird in HF-Verstärkern, Oszillatoren und Modulatoren verwendet, bei denen die Hochfrequenzleistung entscheidend ist.
● Automobilelektronik: Wird aufgrund der robusten Leistung und kompakten Größe in Automobil-Steuersystemen, Sensorschnittstellen und Beleuchtungssteuerschaltungen eingesetzt.
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13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
Marke: slkor，
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Marke: slkor，
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Marke: slkor，
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
Marke: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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