Slkor-i buruz:

Slkorren egoitza nagusia Shenzhenen dago, Guangdong probintzian, Txinan. Enpresaren garapena material berriek, prozesu berriek eta produktu berriek bultzatzen dute. Slkorren talde teknikoa batez ere Hego Koreako Yonsei Unibertsitateko eta Txinako Tsinghua Unibertsitateko adituek osatzen dute. Silizio karburozko MOSFETen eta bosgarren belaunaldiko berreskurapen ultra-azkarreko potentzia diodoen teknologiaren nazioartean liderra den ekoizpen prozesua menderatu dute. Hasieran fabrikeless diseinu enpresa gisa zuen egoeratik, Slkor diseinu ikerketa eta garapena, fabrikazioa, salmentak eta zerbitzu teknikoak konbinatzen dituen enpresa integratu bihurtu da. Slkor goi-mailako teknologiako enpresa nazionala da eta ISO9001 kalitate kudeaketa sistemaren ziurtagiria lortu du, baita ROHS eta REACH bezalako EBko ziurtagiriak ere.

Slkorrek ikerketa eta garapen erakundeak ditu Busanen (Hego Korean), Pekinen eta Suzhoun (Txina). Obleen fabrikazio eta txipen ontziratze eta proba gehienak Txinan egiten dira. Shenzheneko egoitzak laborategiak eta biltegi zentral bat ditu. Konpainiaren nazioarteko lankidetza sarea mundu osoan zehar hedatzen da, mundu osoko hamar mila bezero baino gehiagori zerbitzua emanez. Slkorrek ehun asmakizun baldintzapeko patente eskatu ditu eta 2000 produktu modelo baino gehiago eskaintzen ditu. Kudeaketa sistema integralak ezarri eta lan-fluxuak erraztu dituzte. Kalitate bikainarekin eta zerbitzu estandarizatuekin, "SLKOR" markak azkar irabazi du aitortza, ospea eta merkatu-kuota. Slkorren produktuen artean, diodoak, transistoreak, potentzia-gailu diskretuak eta potentzia-kudeaketako txipak daude, hiru serie nagusitan sailkatuta. Produktu berriak ere aurkeztu dituzte, hala nola Hall sentsoreak, ADCak eta BMSak. Konpainiak urteetako esperientzia teknikoa metatu du MCU espezializatuetan eta interfaze-txipetan.

1. Aplikazioen gida

Errele txikiak sistema elektronikoetan erabili ohi dira zirkuituen kommutazioa kontrolatzeko, eta aplikazio zabalak dituzte industria-ekipoetan, tresnetan eta etxetresna elektrikoetan. Kontrol-zirkuitu modernoen bihotza normalean MCU, DSP eta FPGA bezalako ordenagailu-txipak dira. Txip hauek ez dute irteera-potentzia nahikorik errele txikiak zuzenean kontrolatzeko eta... SLKORBC817-25, BC848B, BC847B transistore txikiak eta 2N7002E, SL2302S, SL2300, SL3400, SL3402 MOSFET txikiak eta ULN2001D, ULN2003AU, ULN2803AS Darlington matrizeak, etab.

Hurrengo adibidean, JQC-3FF/12VDC-1ZS (551) errele txiki baten potentzia handiko kontrola erabiliko dugu HF bidez. Errelearen bobinak 12V-ko tentsio nominala, 9V-ko ekintza-tentsioa, 15.6V-ko gehienezko tentsioa eta 400Ω-ko bobina-erresistentzia ditu. 12V-rekin elikatzen denean, bobinaren korrontea 30mA-koa da. Hemen, errele txikia kontrolatzeko diseinua aurkeztuko dugu BC848B, SL2302 eta ULN2803AS erabiliz, hurrenez hurren. STM32F030C8T6 MCU adibidetzat hartuta, edozein IO pinek 25mA-ko gehienezko pull-up edo pull-down korrontea eman dezake, eta IO pin guztien pull-up edo pull-down korrontearen muga osoa 80mA-koa da. Beraz, IO pinak aplikatzerakoan, nahikoa marjina egon beharko litzateke. IO pinerako erresistentzia ahularen balio tipikoa 40KΩ da. 3.3V-rekin elikatzen denean, IO pinak 8mA-ko korrontea igortzen badu, irteerako maila altu minimoa 2.9V da, eta IO pinak 8mA-ko korrontea hartzen badu, irteerako maila baxu maximoa 0.4V da.

2. erabiliz SLKOR BC847B-ra Dshore

BC847B transistorearen kolektore-igorle tentsioa (VCEO) 45V da, eta kolektore-korrontea (IC) 100mA. Korronte zuzeneko irabazia (HFE) 200 eta 450 artekoa da, eta kolektore-igorle saturazio-tentsio maximoa 600mV da. Sarrerako kapazitantzia tipikoa (CIB) 9pF da.

Errele-bobina bat gidatzen duenean, transistorea mozketa-egoeran (errelearen askapena) edo eroapen saturatuan (errelearen aktuazioa) funtzionatzen du.

Errelearen aktuaziotik askapenera igarotzean, errelearen bobinak atzeko indar elektroeragile (EMF) bat sortzen du. Bobinan gordetako energia diodo askearen (D) eta bobinaren erresistentziaren bidez deskargatzen da. Atzeko EMF hori diodoan zehar 0.7 V-ko aurreranzko tentsio-jaitsiera batera mugatzen da, transistorearen matxura-tentsioa baino askoz txikiagoa dena, eta horrela transistorea babesten du.

Zirkuituko R1 eta R2 erresistentzien balioek ziurtatu behar dute transistorea fidagarritasunez saturazio sakonera sartzen dela sarrerako tentsioa 2.9 V denean. BC847B transistorearentzat 200 HFE eta 30 mA-ko errele-gidatze korrontea suposatuz, oinarrizko korrontea (IB) 0.15 mA gisa kalkulatzen da (30 mA/200). Saturazio sakona bermatzeko, oinarrizko korrontea 0.3 mA-ra handitzen da. Oinarri-igorle tentsioa (VBE) 0.7 V dela suposatuz BC847B transistorea saturatuta dagoenean eta STM32F030C8T6 mikrokontrolagailuaren (MCU) irteerako goi-mailako tentsioa gutxienez 2.9 V denean, R1 erresistentziaren tentsioa 2.2 V izan beharko litzateke.

R2 erresistentzia gehitzen da BC847B transistorea baldintza txarretan fidagarritasunez mozteko. VBE 0.7V denean, R2-tik igarotzen den korrontea IR2=0.7/22=0.032mA da. Saturazio sakona bermatzeko, R1 erresistentziatik igarotzen den korronte osoa IR1=0.3+0.032=0.332mA izan behar da. Beraz, R1-en erresistentzia balio maximoa R1=2.2/0.332=6.63KΩ da. R1 3.3KΩ aukeratzeak ziurtatzen du BC847B transistorea saturazio sakonera sar daitekeela osagaien parametroen aldaketak egon arren. Saturazio sakonean, elikatze-iturria 12V denean, errelearen tentsio minimoa 11.4V da, eta hori nahikoa da errelearen funtzionamendu fidagarria bermatzeko.

Eroapenaren denbora-konstantea gutxi gorabehera honela kalkula daiteke: R=R1|R2=2.9KΩ, eta RC=2.9KΩ*9pF=26.1pS. Trantsizio-prozesuaren denbora oso laburra da!

STM32F030C8T6 MCUak tentsio baxu bat igortzen duenean, gehienez 0.4 V-koa, BC847B transistorearen base-igorle tentsioa 0.4 V baino txikiagoa da, errelearen askapenerako mozketa fidagarria bermatuz.

Fidagarritasun handiena bermatzeko, gomendagarria da STM32F030C8T6 MCUrako softwarean konfiguratutako I/O atakarako erresistentzia ahulak (40KΩ-ko balio tipikoa) gaitzea.

3. erabiliz SLKOR SL2302ra Dshore

The SLKOR SL2302 N kanaleko seinale txikiko MOSFET bat da. Bere drain-iturri tentsio maximoa (VDS) 20V da, ate-iturri tentsio maximoa (VGS) 12V da, eta erresistentzia maximoa (RDS(on)) 85mΩ da VGS = 2.5V eta ID = 3.1A-n. Ate-eroapenerako atalase-tentsio maximoa (VGS(th)) 1.2V da, eta minimoa 0.65V. Sarrerako kapazitantzia tipikoa (CISS) 300pF da.

STM32F030C8T6-k gutxienez 2.9V-ko tentsio altuko irteera ematen duenean, R1 = 10KΩ eta R2 = 100KΩ direla suposatuz, SL2302 ateko egoera egonkorreko tentsioa (VGS D) honela kalkulatzen da: (100/(100+10))*2.9 = 2.64V. Horrek bermatzen du SL2302 supersaturazio eroapen egoera fidagarrian mantentzen dela. Supersaturazioan dagoenean, SL2302-ren eroapen erresistentzia ez da 85mΩ baino handiagoa izaten. 12V-ko elikatze-iturri bat suposatuz, errelearen tentsioa 12V-tik oso gertu dago, eta hori nahikoa da errelearen funtzionamendu fidagarrirako.

STM32F030C8T6-k tentsio baxuko irteera ematen duenean, gehienez 0.4 V-ko tentsioarekin, SL2302 ate-tentsioa 0.4 V baino txikiagoa da, mozketa fidagarria bermatuz eta errelearen askapen fidagarria ahalbidetuz.

Eroapenerako denbora-konstantea gutxi gorabehera R = R1|R2 = 9.1KΩ, eta RC = 9.1KΩ * 300pF = 2.73ns bezala kalkula daiteke. Trantsizio-prozesuaren denbora oso laburra da! Errelea aktuaziotik askapenera igarotzen denean, bobinak atzeko indar elektroeragile (EMF) bat sortzen du. Bobinan gordetako energia diodo askearen (D) eta bobinaren erresistentziaren bidez deskargatzen da. Atzeko EMF diodoan zehar 0.7V-ko aurreranzko tentsio-jaitsiera batera mugatzen da, MOSFET-aren matxura-tentsioa baino askoz txikiagoa dena, horrela babestuz. Fidagarritasun maximoa bermatzeko, gomendagarria da STM32F030C8T6-rako softwarean konfiguratutako I/O atakarako erresistentzia ahula (40KΩ-ko balio tipikoa) gaitzea.

4. erabiliz SLKOR ULN2803AS unitatera

SLKOR ULN2803AS zortzi kanal dituen NPN Darlington transistore baten kontrolatzailea da, diodo libre integratuak dituena. Hainbat errele txiki, urrats-motor miniatura, solenoide, adierazle eta abar kontrolatzeko egokia da. Bere irteerako tentsio maximoa 50V da, eta kanal bakarreko kolektore-korronte maximoa 500mA da. Kolektore-igorlearen saturazio-tentsio maximoa 1.1V da 100mA-ko kolektore-korrontean, eta sarrerako tentsio maximoa 2.4V da kolektore-korrontea 200mA-tan eroalea denean. Sarrerako korronte maximoa 1.35mA da 3.85V-ko sarrerako tentsioan, eta sarrerako kapazitantzia (CI) maximoa 25pF da.

STM32F030C8T6 erabiltzen da kontrolatzaile nagusi gisa, eta bere I/O ataka gehienek ULN2803AS-ren sarrerak zuzenean kontrola ditzakete. Irteera-tentsio minimoa 2.9 V da, eta irteera-tentsio maximoa 0.4 V, eta horrek ULN2803AS kontrolatzeko baldintzak guztiz betetzen ditu. STM32F030C8T6-ren interferentzia-immunitatea hobetzeko, 560 Ω-ko erresistentzia bat konekta daiteke seriean bere I/O ataka eta ULN2803AS-ren sarreraren artean. Errele txikiak kontrolatzeko, ULN2803AS-ren barneko diodo askeek nahikoa gaitasun askea eskaintzen dute, beraz, normalean ez dago diodo aske gehiago gehitu beharrik. Fidagarritasun oso handia behar bada, diodo aske bereiziak gehitzea kontuan har daiteke. ULN2803AS-ren kommutazio-denbora tipikoa 1 μs ingurukoa da, eta errele txikiak kontrolatzeko, ez da kalkulu gehiago behar.

12V-ko elikatze-iturri bat suposatuz, errelearen gutxieneko tentsioa 10.9V da, eta hori nahikoa da errelearen aktibazio fidagarri baterako. STM32F030C8T6-k tentsio baxu bat igortzen duenean, gehienez 0.4V-ko tentsioarekin, ULN2803AS-k errelea modu fidagarrian moztu eta askatu dezake.

Fidagarritasun maximoa bermatzeko, gomendagarria da STM32F030C8T6rako softwarean konfiguratutako I/O atakarako erresistentzia ahula (40KΩ-ko balio tipikoa) gaitzea.

SLKOR goi-mailako produktuak eskaintzen ditu, hala nola silizio karburozko (SiC) diodoak eta SiC MOSFETak, IGBTak eta bosgarren belaunaldiko berreskuratze ultra-azkarreko potentzia-diodoak, energia berriko ibilgailuak, goi-mailako ekipamendua, komunikazioa eta potentzia, eguzki-energia fotovoltaikoa, ekipamendu medikoa eta industria-internet bezalako industrien beharrak ase ditzaketenak. SLKOR Era berean, helburu orokorreko produktuak eskaintzen ditu, hala nola Schottky diodoak, ESD babes diodoak eta TVS iragankortasun-kentzeko diodoak, baita potentzia-gailuak ere, hala nola, potentzia handikoak.-tentsio ertaineko MOSFETak-tentsio-MOSFETak, eta tentsio baxuko MOSFETak, tiristoreak eta siliziozko kontrol-zuzentzaileak SCR, eta energia kudeatzeko txipak, hala nola LDOak, AC-DC eta DC-DC txipak. Gainera, SLKOR zerbitzu osagarriak eskaintzen ditu, hala nola sentsoreak, abiadura handiko optoakoplagailuak eta kristal osziladoreak, hainbat aplikaziotarako telefonoetan, ordenagailu eramangarrietan, robotetan, etxe adimendunetan, gauzen internetean, LED argiztapenean, 3C produktu digitaletan, jantzi adimendunetan eta gauzen internetean.

SLKOR plataforma ekologiko, konposatu eta inklusibo bat eraikitzeko konpromisoa du. Enpresaren webgune ofiziala zutabe teknikoak ditu blogak, adituen zutabea, sirtenbideak, elektronikoak blogak, industriaren dinamika. "SLKOR "Teknologia Hitzaldi Aretoa" planifikatzen ari da, nazioarteko jakintsuak eta adituak hitzaldi publikoak ematera gonbidatzeko asmoz. Ideien topaketak, truke akademikoak eta gogoeta-festa izango dira, informazio elektronikoko lankideentzako ikaskuntza eta komunikazio plataforma bat eskainiz. SLKOR batasun espiritua, ahalegina eta kiroletako aurrerapenak ere integratzen ditu bere lan-kulturan, lan zoriontsu baten eta bizitza zoriontsu baten alde eginez. Konpainiak sortu du "SLKOR Warriors Saskibaloi Taldea" da eta hainbat kultur eta aisialdi jarduera egiten ditu aldizka. SLKOR enpresaren kultura mantentzen du "Osotasuna, Aurrerapena, Irmotasuna, Xehetasuna", eta zuzentasunaren, irekitasunaren eta lankidetzaren balio etikoa, "Ez egin besteei zeure buruari egin nahi ez diozunik". hornitzaileekin, kanal-bazkideekin, bezeroekin eta lankidetza-bazkideekin lan egitea teknologia eta produktuekin munduko garapena sustatzeko, eta enpresaren erdieroaleen industrian lider bihurtzeko ikuspegia lortzeko.