L'ULN2003AU est un réseau monolithique de transistors Darlington haute tension et courant élevé, développé par Slkor Micro. Ce composant intègre sept groupes de paires Darlington NPN, avec des diodes de limitation à cathode commune pour la commutation de charges inductives. Chaque canal peut fournir un courant de collecteur maximal de 500 mA. Une résistance de base série de 2.7 kΩ est intégrée à chaque canal d'entrée, permettant une connexion directe aux niveaux logiques TTL et CMOS 5 V. Il est disponible en boîtier SOP-16, tandis que l'ULN2003AE de la même série utilise un boîtier DIP-16. Ce composant est largement utilisé pour la commande de relais, de voyants, de modules d'affichage et d'autres charges.

1. Paramètres de base du produit

Valeurs maximales absolues (Ta=25℃)

1. Tension collecteur-émetteur : 50 V
2. Tension d'entrée: 30V
3. Courant de crête du collecteur pour un seul canal : 500 mA
4. Courant total aux bornes de l'émetteur : 500 mA
5. Dissipation de puissance : 950 mW à température ambiante de 25 °C ; 495 mW à température ambiante de 85 °C
6. Plage de températures de fonctionnement : -40℃ ~ +85℃
7. Plage de températures de stockage : -65℃ ~ +150℃

Caractéristiques électriques (Ta=25℃)

1. Tension d'entrée à l'état passant : la valeur maximale est de 2.4 V, 2.7 V et 3 V selon les conditions de test du courant de collecteur.
2. Tension de saturation collecteur-émetteur : la valeur typique se situe entre 0.9 V et 1.2 V en fonction du courant d’entrée et du courant de collecteur, sans dépasser 1.6 V.
3. Courant de coupure du collecteur : maximum 50 µA à température ambiante, maximum 100 µA à 70 °C
4. Tension directe de la diode de limitation : valeur typique 1.7 V, valeur maximale 2 V
5. Courant d'entrée à l'état bloqué : valeur typique 65 µA, valeur minimale 50 µA
6. Courant d'entrée : compris entre 0.95 mA et 1.35 mA lorsque la tension d'entrée est de 3.85 V.
7. Courant inverse de limitation : maximum 50 µA à température ambiante, maximum 100 µA à 70 °C
8. Capacité d'entrée : valeur typique 15 pF, valeur maximale 25 pF
9. Délai de propagation pour une sortie de niveau haut à niveau bas et de niveau bas à niveau haut : maximum 1 µs dans les deux cas.

2. Principales caractéristiques du produit

1. Le courant de collecteur nominal de chaque canal de sortie atteint 500 mA et la tension de sortie maximale admissible est de 500 V. Plusieurs canaux Darlington peuvent être mis en parallèle pour obtenir un courant de sortie plus élevé.
2. Chaque canal intègre une résistance de base série de 2.7 kΩ. La compatibilité directe avec les circuits logiques TTL et CMOS 5 V est assurée sans résistances de limitation de courant externes supplémentaires.
3. Ce circuit intégré est doté de diodes de limitation à cathode commune. Pour les charges inductives telles que les bobines de relais, ces diodes absorbent la force électromotrice inverse générée lors de la coupure et protègent ainsi la puce contre les dommages causés par les hautes tensions inverses.
4. Deux options de boîtier sont disponibles. L'ULN2003AE utilise un boîtier traversant DIP-16 et l'ULN2003AU utilise un boîtier CMS SOP-16 pour s'adapter aux différents processus d'assemblage de circuits imprimés.
5. L'entrée prend en charge plusieurs types de signaux logiques. Le faible délai de propagation du signal assure une excellente réactivité de commutation.

3 Principaux domaines d'application

1. Circuits de commande de relais, contrôlant l'état marche/arrêt des bobines de relais avec des signaux logiques de faible amplitude.
2. Actionnement d'actionneurs électromagnétiques tels que des marteaux d'impression.
3. Lampes de signalisation et charges de lampes à incandescence.
4. Dispositifs d'affichage pour la conduite, notamment les écrans à LED et à décharge gazeuse.
5. Circuits de commande de ligne et de tampon de signaux logiques.

4. Suggestions pour la conception technique

1. Lors de la commande de charges inductives, exploitez pleinement les diodes de limitation à cathode commune internes. Connectez la broche COM à la borne positive de l'alimentation de la charge afin de dissiper l'énergie inverse produite par les inductances à la mise hors tension et d'éviter d'endommager les composants en raison d'une tension inverse.
2. Lors de la mise en parallèle de plusieurs canaux pour augmenter la capacité de courant de sortie, consultez les courbes caractéristiques des composants. Tenez compte des limitations de courant de sortie maximal admissible dues au rapport cyclique et au nombre de canaux activés simultanément. Ne vous contentez pas d'additionner les courants nominaux des canaux individuels.
3. Il convient de prêter attention à la dissipation de puissance de l'appareil. La dissipation de puissance maximale admissible diminue lorsque la température ambiante augmente. Une marge de puissance suffisante doit être prévue pour les conditions de fonctionnement à haute température.
4. Aucune résistance de base externe n'est requise pour les signaux d'entrée provenant directement de puces TTL ou CMOS 5 V. Pour les signaux d'entrée d'autres niveaux de tension, il convient d'évaluer le courant d'entrée afin d'éviter toute surcharge.
5. Assurez-vous que la broche de l'émetteur est bien reliée à la masse. Toutes les tensions sont mesurées par rapport au potentiel de l'émetteur.
6. Lors de la conception du circuit, tenez compte de la tension de saturation de sortie. Intégrez la chute de tension de saturation dans le bilan de tension de la boucle de charge afin d'éviter une puissance de fonctionnement insuffisante des charges.

5. Informations sur le produit

L'ULN2003AU est un réseau intégré de sept transistors Darlington. Les transistors d'amplification Darlington, les résistances de limitation de courant de base et les diodes de protection contre les inductions sont entièrement intégrés dans la puce, ce qui réduit considérablement le nombre de composants périphériques. Compatible avec les sorties logiques numériques classiques, il amplifie les signaux logiques faibles pour piloter diverses charges résistives et inductives de faible et moyenne puissance. Le boîtier CMS SOP-16 est adapté aux circuits imprimés haute densité, tandis que la version traversante facilite le soudage manuel et le débogage de prototypes. Il est largement utilisé comme composant de commande de charge dans les circuits de contrôle industriel et d'appareils électroménagers.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.

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