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SL5304DCP NPNバイポーラトランジスタTO-252
Vceo：400V
Ic:4A
PD:35W
VCE(飽和):1.5V
fT:-
動作温度:150℃@(Tj)
我々の利点
中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。
詳細説明
要求の厳しいアプリケーション向けに設計された高性能パワートランジスタ、V CEO 400Vをご紹介します。最大4Aの電流と35Wの電力損失に対応可能です。この堅牢なデバイスは、コレクタ・エミッタ飽和電圧（V CE(sat) ）がわずか1.5Vであるため、効率的な動作と最小限のエネルギー損失を実現します。接合部温度（T j ）で最大150℃の動作温度に対応し、過酷な環境下でも高い信頼性と耐久性を発揮するように設計されています。
特長
● フリーホイールダイオードを内蔵し、効率的な飽和防止動作を実現
● 低いためhfe値に関心を持つ必要はありません
コーナーでも保管期間のばらつき
スピリット製品。
● ベースドライブ要件が低い
● ハーフブリッジライトバラストアプリケーションに最適
Structure
● シリコン三重拡散タイプ
● NPNシリコントランジスタ
● 統合型アンチパラレルコレクタエミッタダイオード
用途
●スイッチング電源
●モーター制御
●パワーアンプ
●インバーター
名前
Title
詳細説明
データシート
サポート
サポート
デザインや技術サポートが必要な場合は、お問い合わせフォームにご記入の上、ご連絡ください。できるだけ早くご連絡いたします。
耐用性アップ
長寿プログラムとは、お客様に製品のご注文時期に関する情報を随時ご提供することを目的としています。このプログラムは、当社の経営陣によって定期的に見直し、更新されています。長寿プログラムの詳細はこちらをご覧ください。
13001 NPN バイポーラトランジスタ SOT-23
ブランド: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N2222A NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N3904 NPN BJT トランジスタ TO-92
ブランド: slkor，
2N3906 NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2N5401 PNPバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor， VCEO(V)： 150V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2N5551 NPNバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor， VCEO(V)： 160V PD(W)(PD(W))： 625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 200mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 600mA
2SA1015-B PNPバイポーラトランジスタTO-92
ブランド: slkor，
2SA1037-R PNP バイポーラトランジスタ SOT-23
ブランド: slkor，
2SA1162-Y PNP バイポーラ トランジスタ
ブランド: slkor，
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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