Servisa karsto līniju
Izvēlne
Izvēlne
Ātrās atkopšanas diode
Ātrās atkopšanas diodes iekšējā struktūra atšķiras no parastās PN savienojuma diodes, kas pieder pie PIN savienojuma diodes, ti, bāzes apgabals I tiek pievienots P-veida silīcija materiāla un N-veida silīcija materiāla vidū, lai izveidotu PIN. silīcija vafele. Tā kā bāzes apgabals ir ļoti plāns, reversās atkopšanas lādiņš ir ļoti mazs, tāpēc ātrās atkopšanas diodes reversās atkopšanas laiks ir īsāks, tiešā sprieguma kritums ir mazāks un apgrieztā pārrāvuma spriegums (izturības sprieguma vērtība) ir augstāks.
ES1DF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 200V
IO(A): 1A
VF(V): 1V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMAF
ES1GF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 400V
IO(A): 1A
VF(V): 1.25V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMAF
ES1JF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 600V
IO(A): 1A
VF(V): 1.68V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMAF
ES2G ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMC
VRRM(V): 400V
IO(A): 2A
VF(V): 1.25V
IR(A): 5 µA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMA
ES2GF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 400V
IO(A): 1A
VF(V): 1.25V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMAF
ES2JF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 600V
IO(A): 1A
VF(V): 1.68V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMAF
ES2JW ātrās atkopšanas taisngrieža diode SOD-123FL
VRRM(V): 600V
IO(A): 2A
VF(V): 1.7V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SOD-123FL
ES2M ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMA
VRRM(V): 1000V
IO(A): 2A
VF(V): 1.7V
IR(A): 5μA
trr(ns): 75ns
Iepakojums: SMA
ES3DC ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMC
VRRM(V): 200V
IO(A): 3A
VF(V): 1.25V
IR(A): 5μA
trr(ns): 35ns
Iepakojums: SMC
F1D īpaši ātras atkopšanas diode SOD-123FL
VRRM(V): 200V
IO(A): 1A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5.0 mA
trr(ns): 150ns
Iepakojums: SOD-123FL
F1J īpaši ātras atkopšanas diode SOD-123FL
VRRM(V): 600V
IO(A): 1.0A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5.0 mA
trr(ns): 250ns
Iepakojums: SOD-123FL
F1M īpaši ātras atkopšanas diode SOD-123FL
VRRM(V): 1000V
IO(A): 1.0A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5.0 mA
trr(ns): 500ns
Iepakojums: SOD-123FL
FR107 īpaši ātras atkopšanas diode SOD-123FL
VRRM(V): 1000V
IO(A): 1A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 500ns
Iepakojums: SOD-123FL
FR107WS Ātrās atkopšanas taisngrieža diode SOD-323
VRRM(V): 1000V
IO(A): 1A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 500ns
Iepakojums: SOD-323
MURF1040CT ātrās atkopšanas taisngrieža diode TO-220F
VRRM(V): 400V
IO(A): 5A
VF(V): 0.92V
IR(A): 0.01μA
trr(ns): 30ns
Iepakojums: TO-220F
RS1DF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 200V
IO(A): 1A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 150ns
Iepakojums: SMAF
RS1GF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 400V
IO(A): 1A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 150ns
Iepakojums: SMAF
RS1JF ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMAF
VRRM(V): 600V
IO(A): 1A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 250ns
Iepakojums: SMAF
RS2D ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMA
VRRM(V): 200V
IO(A): 2A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 150ns
Iepakojums: SMA
RS2J ātrās atkopšanas taisngrieža diode SMA
VRRM(V): 600V
IO(A): 2A
VF(V): 1.3V
IR(A): 5μA
trr(ns): 250ns
Iepakojums: SMA
| 200V | 1A | 1V | 5μA | 35ns | SMAF | |
| 400V | 1A | 1.25V | 5μA | 35ns | SMAF | |
| 600V | 1A | 1.68V | 5μA | 35ns | SMAF | |
| 400V | 2A | 1.25V | 5uA | 35ns | SMA | |
| 400V | 1A | 1.25V | 5μA | 35ns | SMAF | |
| 600V | 1A | 1.68V | 5μA | 35ns | SMAF | |
| 600V | 2A | 1.7V | 5μA | 35ns | SOD-123FL | |
| 1000V | 2A | 1.7V | 5μA | 75ns | SMA | |
| 200V | 3A | 1.25V | 5μA | 35ns | SMC | |
| 200V | 1A | 1.3V | 5.0mA | 150ns | SOD-123FL | |
| 600V | 1.0A | 1.3V | 5.0mA | 250ns | SOD-123FL | |
| 1000V | 1.0A | 1.3V | 5.0mA | 500ns | SOD-123FL | |
| 1000V | 1A | 1.3V | 5μA | 500ns | SOD-123FL | |
| 1000V | 1A | 1.3V | 5μA | 500ns | SOD-323 | |
| 400V | 5A | 0.92V | 0.01μA | 30ns | TO-220F | |
| 200V | 1A | 1.3V | 5μA | 150ns | SMAF | |
| 400V | 1A | 1.3V | 5μA | 150ns | SMAF | |
| 600V | 1A | 1.3V | 5μA | 250ns | SMAF | |
| 200V | 2A | 1.3V | 5μA | 150ns | SMA | |
| 600V | 2A | 1.3V | 5μA | 250ns | SMA |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's produktu līnijas ietver diskrētas ierīces uc, diodes, tranzistori, barošanas ierīces; un integrētās shēmas mikroshēmas utt., lineārie regulatori, līdzstrāvas/līdzstrāvas mikroshēmas, interfeisa mikroshēmas, Hall sensori, ADC un BMS... Mums ir gadiem ilgi uzkrāta tehnoloģija speciālajos pusvadītājos.
Vai nepieciešama palīdzība? Noskenējiet kodu ar savu tālruni, lai sāktu tērzēt lietotnē WhatsApp.
粤公网安备44030002007346号