服务热线
20V N沟道MOSFET
产品总结
| V(BR)DSS | 最大导通电阻 | ID |
| 20V | 110mΩ@4.5V | 1.2A |
| 150mΩ@2.5V | ||
特性
● 表面贴装封装
● 低 RDS(on) 的 N 沟道开关
● 工作于低逻辑电平栅极驱动
● ESD 保护
应用领域
● 负载/功率切换
● 接口切换
● 超小型便携式电子产品的电池管理
● 逻辑电平转换
支持
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长寿
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