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6N136S 光耦 DIP8

6N135/6N136 由高效 AlGaAs 发光二极管和高速光检测器组成。该设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接可通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。

内部屏蔽确保高共模瞬变抗扰度。保证共模瞬变抗扰度高达1KV

我们的优势 

中国制造工艺经过多年迭代,技术成熟可靠,许多国际公司选择在中国生产外包。作为中国电子元器件制造商,我们的产品在99%的应用中完全可以替代国际大品牌,无需测试验证。我们的产品质量一致性高,价格合理,库存充足,供应灵活,交货周期短,售后服务专业。 

描述

6N135/6N136 由高效 AlGaAs 发光二极管和高速光检测器组成。该设计可在光耦合器的输入侧和输出侧之间提供出色的交流和直流隔离。光电二极管的偏置连接可通过降低基极-集电极电容来提高传统光电晶体管耦合器的速度。 

内部屏蔽确保高共模瞬变抗扰度。保证共模瞬变抗扰度高达1KV


产品特性

● 高速 – 典型值 1MBd

● 输入与输出之间高隔离电压(Viso=5000 Vrms)

● 工作温度范围-55°C至100°C

● 0°C 至 70°C 范围内保证性能


应用

●线路接收器

●电信设备

●输出接口为CMOS-LSTTL-TTL

●宽带宽模拟耦合

●脉冲变压器更换


6N136S SMD-8_00.png


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标题
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6N136 DIP-8.pdf
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产品规格书
支持

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长寿

 

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