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SLPESD1LIN Diodo de protección ESD SOD-323
SLPESD1LIN en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOD323 (SC-76) muy pequeño diseñado para proteger una línea de bus de red de interconexión local (LIN) automotriz contra los daños causados por descargas electrostáticas (ESD) y otros transitorios.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Mareas Ideales para Lecciones
SLPESD1LIN en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOD323 (SC-76) muy pequeño diseñado para proteger una línea de bus de red de interconexión local (LIN) automotriz contra los daños causados por descargas electrostáticas (ESD) y otros transitorios.
Caracteristicas
● Protección ESD de una línea de bus LIN automotriz
● La configuración asimétrica del diodo garantiza una protección optimizada contra
Interferencias electromagnéticas (EMI) de una unidad de control electrónico (ECU) LIN
● Máx. potencia máxima del pulso: PPP = 160 W en tp = 8/20 μs
● Tensión de sujeción baja: VCL = 40 V a IPP = 1 A
● Corriente de fuga ultrabaja: IRM <1nA
● Protección ESD de hasta 23 kV
● IEC 61000-4-2, nivel 4 (ESD)
● IEC 61000-4-5 (sobretensión); IPP = 3 A en tp = 8/20 μs
Aplicaciones
● Protección de bus LIN
● Aplicaciones automotrices
Nombre
Título
Descripción
Ficha técnica
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
AU0511P1 Diodo de protección ESD SOD-323
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15 Package： DFN1006
AZC199-04 Dispositivos de protección ESD SOD-523
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOD-523
BTRD04A035 Diodo de protección ESD DFN1006
Marca: slkor， VRWM(V)： 5 VBR min(V)： 8.4 IR(uA)： 0.1 VC(V)： 10 CJ(pF)： 18 Package： DFN1006
BV-FA05UCA Dispositivos de protección ESD DFN1006
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.0V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU Dispositivos de protección ESD DFN2510
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB Dispositivos de protección ESD DFN1006
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.0V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
Diodo de protección ESD ESDA14V2L SOT-23
Marca: slkor， VRWM(V)： 12V VBR min(V)： 13.3V IR(uA)： 1μA VC(V)： 19V CJ(pF)： 130pF Package： SOT-23
Diodo de protección ESD GBLC03CI SOD-323
Marca: slkor， VRWM(V)： 8V VBR min(V)： 8.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 13.4V CJ(pF)： 0.8pF Package： SOD-323
Diodo de protección ESD GBLC08C SOD-323
Marca: slkor， VRWM(V)： 8V VBR min(V)： 8.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 13.4V CJ(pF)： 0.8pF Package： SOD-323
Diodo de protección ESD RSAC6.8CST2RA SOD-923
Marca: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 5.4V IR(uA)： 1mA VC(V)： 12.9V CJ(pF)： 0.9pF Package： SOD-923
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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