Diodos Schottky de SiC | Semicondutores Slkor

casa Categorías de produtos Dispositivos de potencia discreta Dispositivos SiC Diodo Schottky SiC

Diodo Schottky SiC Cunha estrutura de diodo de barreira Schottky de alta frecuencia, SiC SBD alcanza máis de 600 V de alta tensión, mentres que a tensión máxima de resistencia do SBD de silicio é de só 200 V aproximadamente, e a súa caída de tensión no estado é moito menor que a do díodo de recuperación rápida de silicio. o seu tempo de recuperación de apagado é menor, polo que a perda de apagado é menor, o que resulta en menor interferencia electromagnética EMI. O uso de SiC SBD para substituír o produto convencional de díodo de recuperación rápida de silicio FRD, pode reducir significativamente a perda total, mellorar a eficiencia da fonte de alimentación e, a través da operación de alta frecuencia, conseguir a miniaturización de compoñentes pasivos como indutores e capacitores. , e a interferencia electromagnética EMI é menor. O SBD de carburo de silicio pódese usar amplamente en acondicionadores de aire, fontes de alimentación, inversores en sistemas de xeración de enerxía fotovoltaica, sistemas de arrastre de motor para vehículos eléctricos e cargadores rápidos.

Produtos- TJNE Documentos Data

Ficha De Datos Modelo 3D

SL12005B SiC diodos de barreira Schottky TO-220-2 VRRM (V): 1200 V SE (A): 5A Tipo de frecuencia cardíaca (V): 1.8 V PD@TC=25℃（W）：110W Paquete: TO-220-2

Ficha De Datos Modelo 3D

SL12010B SiC diodos Schottky TO-220-2 VRRM (V): 1200 V SE (A): 10.5A Tipo de frecuencia cardíaca (V): 1.8 V PD@TC=25℃（W）：153W Paquete: TO-220-2

Ficha De Datos Modelo 3D

SL12015B Rectificadores de barreira Schottky SiC TO-247-2 VRRM (V): 1200 V SE (A): 15A Tipo de frecuencia cardíaca (V): 1.8 V PD@TC=25℃（W）：220W Paquete: TO-247-2

Ficha De Datos Modelo 3D

Rectificadores Schottky de SiC SL12020B TO-247-2 VRRM (V): 1200 V SE (A): 22A Tipo de frecuencia cardíaca (V): 1.8 V PD@TC=25℃（W）：272W Paquete: TO-247-2

Ficha De Datos Modelo 3D

Diodos Schottky de potencia SiC SL12030B TO-247-2 VRRM (V): 1200 V SE (A): 30A Tipo de frecuencia cardíaca (V): 1.8 V PD@TC=25℃（W）：288W Paquete: TO-247-2

Ficha De Datos Modelo 3D

SL12040B Rectificador de diodos Schottky SiC TO-247-2 VRRM (V): 1200 V SE (A): 40A Tipo de frecuencia cardíaca (V): 1.8 V PD@TC=25℃（W）：385W Paquete: TO-247-2

SL12005B SiC diodos de barreira Schottky TO-220-2	1200V	5A	1.8V	110W	TO-220-2
SL12010B SiC diodos Schottky TO-220-2	1200V	10.5A	1.8V	153W	TO-220-2
SL12015B Rectificadores de barreira Schottky SiC TO-247-2	1200V	15A	1.8V	220W	TO-247-2
Rectificadores Schottky de SiC SL12020B TO-247-2	1200V	22A	1.8V	272W	TO-247-2
Diodos Schottky de potencia SiC SL12030B TO-247-2	1200V	30A	1.8V	288W	TO-247-2
SL12040B Rectificador de diodos Schottky SiC TO-247-2	1200V	40A	1.8V	385W	TO-247-2

Liña de servizo

teléfono: +86 755 83044319

WhatsApp: + 8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

SLKORAs liñas de produtos inclúen dispositivos discretos, etc., díodos, transistores, dispositivos de potencia; e chips de circuítos integrados, etc., reguladores lineais, chips DC/DC, chips de interface, sensores Hall, ADC e BMS... Temos anos de tecnoloxía acumulada en semicondutores dedicados.

E-mail: slkoric@slkomicro.com

WhatsApp: + 8618073002950

teléfono: + 86 755 83044319

Edificio T2, Lijincheng Industrial Center, Jihua Road, Longhua District, Shenzhen, 518109, China

contacto

备 ICP 备 20017602 号