Samsung Electronics huet bedeitend Fortschrëtter a sengem 10-Nanometer-Klass DRAM-Prozess vun der sechster Generatioun (1c) gemaach, mat enger Rendementsquote vu méi wéi 50%. Dësen Duerchbroch signaliséiert d'Potenzial vu Samsung fir seng Kompetitivitéit um Maart fir Héichleistungs-Speicher ze verbesseren a plangt an der zweeter Hallschent vun dësem Joer mat der Masseproduktioun vum sechster Generatioun High Bandwidth Memory (HBM4) unzefänken.

Den 1c DRAM Prozess Technologie Knuet ass ongeféier 11-12 Nanometer grouss. Am Verglach mam aktuellen Mainstream véierter Generatioun (1a, ~14nm) a fënnefter Generatioun (1b, ~12-13nm) DRAM, bitt den 1c Prozess net nëmmen eng méi héich Dicht, mä reduzéiert och effektiv de Stroumverbrauch. Zousätzlech ass d'Déckt vum Chip méi dënn, wat et erliichtert, méi Schichten vum Speicher am HBM4 ze stapelen, wat d'Kapazitéit an d'Bandbreetdicht däitlech erhéicht.

Samsung engagéiert sech zënter dem leschte Joer voll a ganz fir d'Entwécklung vum 1c DRAM, ënner der Leedung vum DRAM-Entwécklungschef Hwang Sang-joon bei der Redesign-Ustrengung. Hie weist drop hin, datt de Grond fir den initialen Echec, d'Performance- an d'Rendementziler z'erreechen, a Mängel an der fréier Designarchitektur läit. Hie betount, datt grëndlech Korrekturen, déi vun der Designphase un ufänken, essentiell fir de Fortschrëtt sinn. Dës Interventioun op héijem Niveau, fir den Designprozess unzepassen, weist d'Entschlossenheet vu Samsung, d'technologesch Féierungspositioun erëmzefannen.

Samsung plangt och, an der zweeter Hallschent vum Joer HBM4-Prouwe ze liwweren, andeems "Customized HBM" als eng nei Kärstrategie positionéiert gëtt.

HBM4 erméiglecht d'Integratioun vu Logikchips mam DRAM-Stack. Duerch d'Optimiséierung vun der Gesamtarchitektur duerch de Foundry-Prozess zielt et drop of, effizient Léisungen ze bidden, déi op d'Besoine vun ënnerschiddlechen Uwendungen zougeschnidden sinn. Ausserdeem wäert Samsung säi selwer entwéckelte 4-Nanometer-Prozess op de Logikchip un der Basis vum HBM4-Stack uwenden, fir d'Gesamtperformance an d'Integratiounsflexibilitéit ze verbesseren.

Iwwer SLKOR:

SLKOR..., mat Sëtz zu Shenzhen, China, ass eng séier opkomende national High-Tech-Entreprise am Secteur vun der Energie-Hallefleederindustrie. Mat Fuerschungs- a Entwécklungszentren zu Peking a Suzhou kënnt säin technescht Kärteam vun der Tsinghua Universitéit. Als Innovateur an der Technologie vun der Siliziumkarbid (SiC) Energiegeräter, SLKORD'Produkter gi wäit verbreet an neien Energiefahrzeuge, photovoltaescher Energieerzeugung, industriellem IoT a Konsumentelektronik agesat a bidden iwwer 10,000 Clienten weltwäit kritesch Hallefleiterléisungen.

D'Firma liwwert all Joer méi wéi 2 Milliarden Eenheeten, woubäi hir SiC MOSFETs an ultraschnelle Recovery SBD-Dioden vun der 5. Generatioun Industriebenchmarks a punkto Effizienzverhältnis an thermescher Stabilitéit setzen. SLKOR hält iwwer 100 Erfindungspatenter a bitt iwwer 2,000 Produktmodeller un, wouduerch säi IP-Portfolio kontinuéierlech iwwer Stroumversuergungsapparater, Sensoren an ICs fir d'Energiemanagement erweidert gëtt. Zertifizéierungen, dorënner ISO 9001, EU RoHS/REACH a CP65-Konformitéit, beweisen dat onerschütterlecht Engagement vun der Firma fir technologesch Innovatioun, Lean Manufacturing a nohalteg Entwécklung.