Niddereg Volt MOSFET | Slkor Semiconductors

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Niddereg Volt MOSFET

Produiten Dokumenter Daten

2SK3018 N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 30V Id(A): 100mA RDSON(Ω): 7.5mΩ@10V, 400mA VTH：2V@100uA P/N: N-Kanal

Donnéeën Blat 3D Modell

2SK3018W N-Kanal Muecht MOSFET SOT-323 Package: SOT-323 VDSS(V): 30V Id(A): 300mA RDSON(Ω): 8Ω@10V, 3A VTH：1.5V@250μA P/N: N-Kanal

Donnéeën Blat 3D Modell

2SK3019 Metal Oxid-Silisium Feld Effekt Transistoren Package: SOT-523 VDSS(V): 30V Id(A)：0.1A RDSON(Ω): 8Ω@4V, 10mA VTH：0.8V@100μA P/N: N-Kanal

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2SK3019 N-Channel Erhéijung MOSFET SOT-523 Package: SOT-523 VDSS(V): 30V Id(A)：0.1A RDSON(Ω): 8Ω@4V, 10A VTH：0.8V@100μA P/N: N-Kanal

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BSN20 N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 50V Id(A)：3A RDSON(Ω): 3Ω@4.5V VTH：1.5V@250μA P/N: N-Kanal

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BSS205N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 20V Id(A)：2.5A RDSON(Ω): 40mΩ@4.5V, 2.5A VTH：0.7V@11μA P/N: N-Kanal

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BSS84 P-Kanal Verbesserung Modus Field-Effekt Transistor SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 50V Id(A): 130mA RDSON(Ω): 10Ω@5V, 100mA VTH：2.5V@250uA P/N: P-Kanal

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FDN302P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): -20V Id(A)：-2.4A RDSON(Ω): 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH：-1V@-250μA P/N: P-Kanal

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FDN304P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): -20V Id(A)：-2.4A RDSON(Ω): 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH：-0.7V@-250μA P/N: P-Kanal

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FDN306P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): -12V Id(A)：-2.6A RDSON(Ω): 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH：-0.7V@-250μA P/N: P-Kanal

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FDN327N N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 20V Id(A)：2A RDSON(Ω): 40mΩ@4.5V, 2.0A VTH：0.7V@250uA P/N: N-Kanal

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FDN336P P-Kanal Muecht MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): -20V Id(A)：-1.3A RDSON(Ω): 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH：-0.7V@-250uA P/N: P-Kanal

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FDN337N Metal Oxid-Silicon Field Effekt Transistoren Package: SOT-23 VDSS(V): 30V Id(A)：2.2A RDSON(Ω): 40mΩ@4.5V, 2.2A VTH：0.9V@250μA P/N: N-Kanal

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FDN337N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 30V Id(A)：2.2A RDSON(Ω): 40mΩ@4.5V, 2.2A VTH：0.9V@250μA P/N: N-Kanal

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FDN338P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): -20V Id(A)：-1.6A RDSON(Ω): 75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH：-0.7V@-250μA P/N: P-Kanal

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FDN340P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): -20V Id(A)：-2A RDSON(Ω): 60mΩ@-4.5V, -2A VTH：-0.8V@-250μA P/N: P-Kanal

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FDV301N N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 25V Id(A)：0.22A RDSON(Ω): 4Ω@4.5V, 0.4A VTH：0.8V@250uA P/N: N-Kanal

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FDV305N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 20V Id(A)：0.9A RDSON(Ω): 170mΩ@4.5V, 0.9A VTH：1V@250μA P/N: N-Kanal

Donnéeën Blat 3D Modell

FDV305N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23 Package: SOT-23 VDSS(V): 20V Id(A)：0.9A RDSON(Ω): 170mΩ@4.5V, 0.9A VTH：0.6V@250μA P/N: N-Kanal

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IRF9317TR P-Channel Verbesserung MOSFET SOP-8 Package: SOP-8 VDSS(V): -30V Id(A)：-15A RDSON(Ω): 8mΩ@-10V, -10A VTH：-1.6V@250μA P/N: P-Kanal

2SK3018 N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	30V	100mA	7.5 mΩ @ 10V, 400 mA	2V @ 100uA	N-Kanal
2SK3018W N-Kanal Muecht MOSFET SOT-323	SOT-323 Fotoen	30V	300mA	8Ω @ 10 V, 3 A	1.5V @ 250μA	N-Kanal
2SK3019 Metal Oxid-Silisium Feld Effekt Transistoren	SOT-523 Fotoen	30V	0.1A	8Ω@4V, 10mA	0.8V @ 100μA	N-Kanal
2SK3019 N-Channel Erhéijung MOSFET SOT-523	SOT-523 Fotoen	30V	0.1A	8Ω @ 4 V, 10 A	0.8V @ 100μA	N-Kanal
BSN20 N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	50V	3A	3Ω @ 4.5V	1.5V @ 250μA	N-Kanal
BSS205N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	20V	2.5A	40 mΩ @ 4.5 V, 2.5 A	0.7V @ 11μA	N-Kanal
BSS84 P-Kanal Verbesserung Modus Field-Effekt Transistor SOT-23	SOT-23 Fotoen	50V	130mA	10 Ω @ 5V, 100 mA	2.5V @ 250uA	P-Kanal
FDN302P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	-20V	-2.4A	44 mΩ @ -4.5V, -2.4A	-1V@-250μA	P-Kanal
FDN304P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	-20V	-2.4A	36 mΩ @ -4.5V, -2.4A	-0.7V@-250μA	P-Kanal
FDN306P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	-12V	-2.6A	30 mΩ @ -4.5V, -2.6A	-0.7V@-250μA	P-Kanal
FDN327N N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	20V	2A	40 mΩ @ 4.5 V, 2.0 A	0.7V @ 250uA	N-Kanal
FDN336P P-Kanal Muecht MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	-20V	-1.3A	105 mΩ @ -4.5V, -1.3A	-0.7V@-250uA	P-Kanal
FDN337N Metal Oxid-Silicon Field Effekt Transistoren	SOT-23 Fotoen	30V	2.2A	40 mΩ @ 4.5V, 2.2A	0.9V @ 250μA	N-Kanal
FDN337N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	30V	2.2A	40 mΩ @ 4.5 V, 2.2 A	0.9V @ 250μA	N-Kanal
FDN338P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	-20V	-1.6A	75 mΩ @ -4.5V, -1.6A	-0.7V@-250μA	P-Kanal
FDN340P P-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	-20V	-2A	60 mΩ @ -4.5V, -2A	-0.8V@-250μA	P-Kanal
FDV301N N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	25V	0.22A	4Ω @ 4.5 V, 0.4 A	0.8V @ 250uA	N-Kanal
FDV305N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	20V	0.9A	170 mΩ @ 4.5V, 0.9A	1V @ 250μA	N-Kanal
FDV305N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23	SOT-23 Fotoen	20V	0.9A	170 mΩ @ 4.5 V, 0.9 A	0.6V @ 250μA	N-Kanal
IRF9317TR P-Channel Verbesserung MOSFET SOP-8	SOP-8	-30V	-15A	8 mΩ @ -10V, -10A	-1.6V @ 250μA	P-Kanal

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