Produiten
Produiten
FDV305N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET Technologie

● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS (ON)

● High Speed ​​schalt

Beschreiwung
Den FDV305N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 ass entwéckelt fir zouverléisseg an effizient Schalten an engem kompakten Gehäuse ze liwweren. Mat enger maximaler Drain-zu-Source-Spannung (Vds) vun 20V an engem kontinuéierleche Drain-Stroum (Id) vun 0.9A ass dëse MOSFET entwéckelt fir mëttelméisseg Energiebedarf präzis ze bewältegen. Säin niddrege On-Widderstand an déi niddreg Gate-Schwellspannung maachen en zu enger idealer Wiel fir verschidden elektronesch Uwendungen.

Eegeschaften

● Trench Power LV MOSFET Technologie

● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS(ON)

● Héich Geschwindegkeet wiesselen


Applikatioun

● Batterierschutz

● Lued schalt

● Power Management


Numm
title
Beschreiwung
Donnéeën Blat
Ënnerstëtzung

Ënnerstëtzung

 

Wann Dir Design-/technesch Ënnerstëtzung braucht, loosst eis et w.e.g. wëssen a fëllt den Äntwertformular aus. Mir mellen eis sou séier wéi méiglech bei Iech zréck.

Longevity

 

De Longevity Programm soll eise Clienten vun Zäit zu Zäit Informatiounen iwwer den erwaarten Zäitpunkt ginn, bis eis Produkter bestallt kënne ginn. Den NLP gëtt reegelméisseg vun eisem Executive Management Team iwwerpréift an aktualiséiert. Kuckt eise Longevity Programm hei.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp: +8618073002950