Service Hotline
● Trench Power LV MOSFET Technologie
● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS (ON)
● High Speed schalt
Beschreiwung
Den FDV305N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 ass entwéckelt fir zouverléisseg an effizient Schalten an engem kompakten Gehäuse ze liwweren. Mat enger maximaler Drain-zu-Source-Spannung (Vds) vun 20V an engem kontinuéierleche Drain-Stroum (Id) vun 0.9A ass dëse MOSFET entwéckelt fir mëttelméisseg Energiebedarf präzis ze bewältegen. Säin niddrege On-Widderstand an déi niddreg Gate-Schwellspannung maachen en zu enger idealer Wiel fir verschidden elektronesch Uwendungen.
Eegeschaften
● Trench Power LV MOSFET Technologie
● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS(ON)
● Héich Geschwindegkeet wiesselen
Applikatioun
● Batterierschutz
● Lued schalt
● Power Management
Ënnerstëtzung
Wann Dir Design-/technesch Ënnerstëtzung braucht, loosst eis et w.e.g. wëssen a fëllt den Äntwertformular aus. Mir mellen eis sou séier wéi méiglech bei Iech zréck.
Longevity
De Longevity Programm soll eise Clienten vun Zäit zu Zäit Informatiounen iwwer den erwaarten Zäitpunkt ginn, bis eis Produkter bestallt kënne ginn. Den NLP gëtt reegelméisseg vun eisem Executive Management Team iwwerpréift an aktualiséiert. Kuckt eise Longevity Programm hei.












