Service Hotline
● Trench Power LV MOSFET Technologie
● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS (ON)
● High Speed schalt
Beschreiwung
Dësen N-Channel MOSFET ass entwéckelt fir héich Leeschtung a verschiddenen elektroneschen Uwendungen ze liwweren. Et huet eng maximal Drain-Quell Spannung (Vdss) vun 30V, an eng kontinuéierlech Drain Stroum (Id) vun 2.2A. Mat enger Power dissipation (Pd) Bewäertung vun 0.5W, bitt dëse MOSFET zouverlässeg Operatioun wärend e gerénge Stroumverbrauch behalen.
Eegeschaften
● Trench Power LV MOSFET Technologie
● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS (ON)
● High Speed schalt
Applikatioun
● Batterie Schutz
● Luede Schalter
● Power Management
Ënnerstëtzung
Wann Dir Design-/technesch Ënnerstëtzung braucht, loosst eis et w.e.g. wëssen a fëllt den Äntwertformular aus. Mir mellen eis sou séier wéi méiglech bei Iech zréck.
Longevity
De Longevity Programm soll eise Clienten vun Zäit zu Zäit Informatiounen iwwer den erwaarten Zäitpunkt ginn, bis eis Produkter bestallt kënne ginn. Den NLP gëtt reegelméisseg vun eisem Executive Management Team iwwerpréift an aktualiséiert. Kuckt eise Longevity Programm hei.












