Produiten
Produiten
FDN337N N-Kanal Verbesserung MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET Technologie

● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS (ON)

● High Speed ​​schalt

Beschreiwung

Dësen N-Channel MOSFET ass entwéckelt fir héich Leeschtung a verschiddenen elektroneschen Uwendungen ze liwweren. Et huet eng maximal Drain-Quell Spannung (Vdss) vun 30V, an eng kontinuéierlech Drain Stroum (Id) vun 2.2A. Mat enger Power dissipation (Pd) Bewäertung vun 0.5W, bitt dëse MOSFET zouverlässeg Operatioun wärend e gerénge Stroumverbrauch behalen.


Eegeschaften

● Trench Power LV MOSFET Technologie

● Héich Dicht Zell Design fir niddereg RDS (ON)

● High Speed ​​schalt


Applikatioun

● Batterie Schutz

● Luede Schalter

● Power Management


Numm
title
Beschreiwung
Donnéeën Blat
Ënnerstëtzung

Ënnerstëtzung

 

Wann Dir Design-/technesch Ënnerstëtzung braucht, loosst eis et w.e.g. wëssen a fëllt den Äntwertformular aus. Mir mellen eis sou séier wéi méiglech bei Iech zréck.

Longevity

 

De Longevity Programm soll eise Clienten vun Zäit zu Zäit Informatiounen iwwer den erwaarten Zäitpunkt ginn, bis eis Produkter bestallt kënne ginn. Den NLP gëtt reegelméisseg vun eisem Executive Management Team iwwerpréift an aktualiséiert. Kuckt eise Longevity Programm hei.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp: +8618073002950