Produiten
Produiten
FDV301N N-Kanal Muecht MOSFET SOT-23

● Ganz niddreg Ufuerderunge fir de Gate-Undriff, wat en direkten Operatioun an 3V-Schaltkreesser erméiglecht. Vas(h) < 1.5V.

● Gate-Source Zener fir ESD-Robustheet >6ky Mënschekierpermodell

● Ersatz vu verschiddenen NPN-Digitaltransistoren duerch een DMOSFET.

Eegeschaften

l0.22 A, 25 V.RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V

   RDS(ON)  = 5Ω @ VGS = 2.7 V.

lGanz nidderegen Niveau Gate Drive Ufuerderunge erlaabt direkt Operatioun an 3V Kreesleef. Vas(h) < 1.5V.

lGate-Source Zener fir ESD robustness >6ky Mënsch Kierper Modell

lErsat verschidde NPN digital Transistoren mat engem DMOSFET.


Numm
title
Beschreiwung
Donnéeën Blat
Ënnerstëtzung

Ënnerstëtzung

 

Wann Dir Design-/technesch Ënnerstëtzung braucht, loosst eis et w.e.g. wëssen a fëllt den Äntwertformular aus. Mir mellen eis sou séier wéi méiglech bei Iech zréck.

Longevity

 

De Longevity Programm soll eise Clienten vun Zäit zu Zäit Informatiounen iwwer den erwaarten Zäitpunkt ginn, bis eis Produkter bestallt kënne ginn. Den NLP gëtt reegelméisseg vun eisem Executive Management Team iwwerpréift an aktualiséiert. Kuckt eise Longevity Programm hei.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp: +8618073002950