Viru kuerzem huet d'Fuerschungsteam ënnert der Leedung vum Professer Xu Huaping vum Departement fir Chimie vun der Tsinghua Universitéit bedeitend Fortschrëtter a punkto extrem ultraviolett (EUV) Photoresistmaterialien gemaach. Si hunn en neie Photoresist op Basis vu Polytelluoxan (PTeO) entwéckelt, deen eng nei Designstrategie fir Schlësselmaterialien an der fortgeschrattener Hallefleederproduktioun ubitt.

Well d'Prozesser vun integréierte Schaltungen sech Richtung 7nm-Knuet a méi wäit virukommen, ass d'EUV-Lithographie mat enger Wellelängt vun 13.5 nm zur Kärtechnologie ginn, déi fortgeschratt Chipfabrikatioun erméiglecht. Wéi och ëmmer, Charakteristike vun EUV-Liichtquellen, wéi héije Reflexiounsverloscht a geréng Hellegkeet, stellen de Photoresisten ëmmer méi grouss Erausfuerderungen a punkto Absorptiounseffizienz, Reaktiounsmechanismen a Defektkontroll. Déi aktuell Mainstream-EUV-Photoresisten baséieren dacks op chemesch Verstärkungsmechanismen oder metallsensibiliséiert Cluster fir d'Sensibilitéit ze verbesseren, awer si stinn dacks virun Problemer wéi komplex Strukturen, ongläichméisseg Komponentenverdeelung, einfach Diffusioun vu Reaktiounen an d'Aféierung vu stochastesche Defekter. D'Iwwerbréckung vun dësen Engpässe fir en ideales Photoresist-System ze konstruéieren ass eng Kär-Erausfuerderung am aktuelle Beräich vun den EUV-Lithographiematerialien. D'akademesch Gemeinschaft ass sech allgemeng eens, datt en idealen EUV-Photoresist gläichzäiteg déi folgend véier Schlësselelementer soll hunn: 1) Héich EUV-Absorptiounskapazitéit fir d'Beliichtungsdosis ze reduzéieren an d'Sensibilitéit ze verbesseren; 2) Héich Energienotzungseffizienz, déi sécher stellt, datt d'Liichtenergie effizient an Ännerungen an der Léislechkeet vum Photoresistmaterial an engem klenge Volumen ëmgewandelt gëtt; 3) Uniformitéit op molekularer Skala fir Defektrauschen ze vermeiden, deen duerch zoufälleg Komponentenverdeelung an -diffusioun verursaacht gëtt; 4) Minimal Bauunitéiten fir den Afloss vun der Gréisst vun den elementaren Features op d'Opléisung ze eliminéieren an d'Linnkantrauheet (LER) ze reduzéieren. Laang Zäit konnten nëmme wéineg Materialsystemer all véier Critèren erfëllen.

D'Fuerschungsgrupp vum Professer Xu Huaping huet en neien EUV-Photoresist entwéckelt, baséiert op hirer fréierer Erfindung vu Polytelluoxan, deen d'Konditioune vum uewe genannten ideale Photoresist erfëllt. An dëser Studie huet d'Team Tellur (Te), en Element mat héijer EUV-Absorptioun, direkt iwwer Te─O-Bindungen an de Polymer-Grondgrond integréiert. Tellur huet deen héchsten EUV-Absorptiounsquerschnitt vun all Elementer ausser den Inertgaser Xenon (Xe), Radon (Rn) an dem radioaktiven Element Astat (At). Seng EUV-Absorptiounskapazitéit iwwerschreift wäit déi vu Kuerzperiodelementer, déi allgemeng a traditionelle Photoresisten a Metallelementer wéi Zn, Zr, Hf an Sn benotzt ginn, wat d'EUV-Absorptiounseffizienz vum Photoresist däitlech verbessert. Gläichzäiteg erlaabt déi relativ niddreg Dissoziatiounsenergie vun der Te─O-Bindung eng direkt Spaltung vun der Haaptkette bei der EUV-Absorptioun, wat Ännerungen an der Léislechkeet induzéiert an eng héichempfindlech Positivtéinentwécklung erméiglecht. Dëse Photoresist gëtt eleng aus klenge Moleküle aus enger Komponent synthetiséiert, andeems d'Charakteristike vun engem idealen Photoresist ënner engem extrem einfachen Design integréiert ginn, wat e kloeren a machbare Wee fir de Konstruktioun vun EUV-Photoresisten vun der nächster Generatioun bitt.

Polytelluoxan: Dat ideal EUV Photoresistmaterial

Dës Fuerschung bitt e Photoresist-Designwee, deen den héichabsorptiounsfäege Element Te, e Spaltmechanismus an der Haaptkette an d'Materialuniformitéit integréiert. Et gëtt erwaart, datt et d'Entwécklung vun EUV-Lithographiematerialien vun der nächster Generatioun fördert an d'technologesch Innovatioun vun fortgeschrattene Hallefleiterprozesser ënnerstëtzt.

Déi domat verbonne Leeschtung gouf de 16. Juli am Science Advances ënnert dem Titel "Polytelluoxane as the ideal formulation for EUV photoresist" publizéiert.

Iwwer SLKOR:

SLKOR..., mat Sëtz zu Shenzhen, China, ass eng séier opkomende national High-Tech-Entreprise am Secteur vun der Energie-Hallefleederindustrie. Mat Fuerschungs- a Entwécklungszentren zu Peking a Suzhou kënnt säin technescht Kärteam vun der Tsinghua Universitéit. Als Innovateur an der Technologie vun der Siliziumkarbid (SiC) Energiegeräter, SLKORD'Produkter gi wäit verbreet an neien Energiefahrzeuge, photovoltaescher Energieerzeugung, industriellem IoT a Konsumentelektronik agesat a bidden iwwer 10,000 Clienten weltwäit kritesch Hallefleiterléisungen.

D'Firma liwwert all Joer méi wéi 2 Milliarden Eenheeten, woubäi hir SiC MOSFETs an ultraschnelle Recovery SBD-Dioden vun der 5. Generatioun Industriebenchmarks a punkto Effizienzverhältnis an thermescher Stabilitéit setzen. SLKOR hält iwwer 100 Erfindungspatenter a bitt iwwer 2,000 Produktmodeller un, wouduerch säi IP-Portfolio kontinuéierlech iwwer Stroumversuergungsapparater, Sensoren an ICs fir d'Energiemanagement erweidert gëtt. Zertifizéierungen, dorënner ISO 9001, EU RoHS/REACH a CP65-Konformitéit, beweisen dat onerschütterlecht Engagement vun der Firma fir technologesch Innovatioun, Lean Manufacturing a nohalteg Entwécklung.