SiC уреди | Слкор Полупроводници

Почетна Категории на производи Дискретни уреди за напојување SiC уреди

SiC уреди Силициум карбид SiC е сложен полупроводнички материјал составен од силициум Si и јаглерод C, обично во кристален тип 4H-SiC. Јачината на полето за распаѓање на изолацијата е 10 пати поголема од Si, енергетскиот јаз е 3 пати поголем од Si, топлинската спроводливост е 3 пати поголема од Si, а брзината на заситување е 2 пати поголема од Si. Тоа е многу супериорен материјал за електронски уред од Si.

SiC MOSFET SiC Шотки диода

Услуга жешка линија

тел: + 86 755 83044319

Whatsapp: +8618073002950

ШенженSLKORМикроСемиконКо., ДООЕЛ

SLKORпроизводните линии на 's вклучуваат дискретни уреди, итн., диоди, транзистори, уреди за напојување; и чипови за интегрирано коло, итн., линеарни регулатори, DC/DC чипови, интерфејс чипови, Hall сензори, ADC и BMS... Имаме долгогодишна акумулирана технологија на наменски полупроводници.

Е-пошта: slkoric@slkormicro.com

Whatsapp: +8618073002950

телефон: + 86 755 83044319

Зграда Т2, Индустриски центар Лиџинченг, патот Џихуа, округ Лонгхуа, Шенжен, 518109, Кина

Авторски права @2025 Сите права се задржани Слкор Техничка поддршка: JIQUN Technology

Контакт

粤 ICP 备 20017602 号