Berita antarabangsa:

1. ASML telah mengumumkan rancangan untuk alat litografi baharu yang direka untuk menolak had ketumpatan transistor cip.

2. Micron akan memulakan pengeluaran besar-besaran modul memori LPCAMM dan MRDIMM di Xi'an, China.

3. Pemenang Anugerah Penerokaan Sains 2024 termasuk 49 saintis muda, dengan rekod 7 pemenang wanita, melebihi 14% daripada jumlah keseluruhan.

4. Yole meramalkan pasaran semikonduktor kuasa GaN global akan mencecah $2.2 bilion menjelang 2029, didorong oleh elektronik pengguna, pusat data dan kenderaan elektrik, dengan CAGR 29% dalam tempoh lima tahun akan datang.

5. Kinghelm ElectronicsTapak pengeluaran antena GPS di China mengadakan latihan keselamatan kebakaran dan latihan bersama dengan anggota bomba tempatan untuk meningkatkan kesedaran dan kemahiran keselamatan.

6. Gartner melaporkan bahawa menjelang akhir tahun 2025, sekurang-kurangnya 30% daripada projek AI generatif akan terbengkalai konsep pasca bukti disebabkan kualiti data yang lemah, isu pengurusan risiko dan peningkatan kos.

Berita China:

1. Vogt Optoelektronik dan Arctic Xiongxin telah membentuk perkongsian strategik untuk menangani cabaran dalam pembungkusan cip pengkomputeran berprestasi tinggi berasaskan kaca dan sambung cip bersaiz besar.

2. China telah melihat kemajuan dengan beberapa barisan pengeluaran 12-inci, termasuk mesin fotolitografi pertama dipasang di talian 12-inci fasa kedua Huahong Wuxi.

3. Kerajaan Zhuhai telah mengeluarkan dasar baharu untuk meneruskan pembangunan berkualiti tinggi dalam industri litar bersepadu.

4. Proses 2nm TSMC sedang berjalan dengan baik, dengan pengeluaran besar-besaran akan bermula tahun depan di kilang Hsinchu Baoshan, bermula dengan Apple.

5. Laporan kewangan BYD untuk separuh pertama 2024 menunjukkan jumlah hasil sebanyak 301.1 bilion yuan dan keuntungan bersih 13.6 bilion yuan, peningkatan 24.44% tahun ke tahun.

6. TSMC merancang untuk melancarkan pusingan baharu perkhidmatan CyberShuttle pada bulan September, yang melibatkan ujian cip daripada pelanggan berbeza pada wafer yang sama.