ඒකාබද්ධ පරිපථය: යම් පරිපථයක් හෝ පද්ධති ශ්‍රිතයක් සම්පූර්ණ කිරීම සඳහා උපස්ථරයක් මත බහු ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක ඒකාබද්ධ කිරීම.

IC චිප/සංරචක සංඛ්‍යා කර්මාන්ත චක්‍රය

1 ට පෙර ඒකාබද්ධ කිරීම 1960 ක් නොතිබුණි

කුඩා පරිමාණ (SSI) 2 සිට 50 දක්වා 1960 දශකයේ මුල් භාගය

මධ්‍යම පරිමාණ (MSI) 50 සිට 5000 දක්වා 1960 දශකයේ සිට 1970 දශකයේ මුල් භාගය දක්වා

මහා පරිමාණ (LSI) 5000 සිට 100,020 මුල් භාගයේ සිට 1970 දශකයේ අග භාගය දක්වා

ඉතා විශාල පරිමාණ (VLSI) 100000 සිට 1,000,020 දක්වා 1970 දශකයේ අග භාගයේ සිට 1980 දශකයේ අග භාගය දක්වා

ඉතා විශාල පරිමාණය (ULSI) 1,000,020 දශකයේ අග භාගයේ සිට වර්තමානය දක්වා 1990 ට වඩා විශාලය.

වේෆර් සකස් කිරීම (වේෆර් සකස් කිරීම)

වේෆර් නිෂ්පාදනය (සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදනය)

වේෆර් පරීක්ෂණය/වර්ග කිරීම

එකලස් කිරීම සහ ඇසුරුම් කිරීම (එකලස් කිරීම සහ ඇසුරුම් කිරීම)

අවසාන පරීක්ෂණය

සංවර්ධන දිශාව: චිප කාර්ය සාධනය වැඩි දියුණු කිරීම - වේගය වැඩි දියුණු කිරීම (යතුරු ප්‍රමාණය අඩු කිරීම, ඒකාබද්ධ කිරීම, නව ද්‍රව්‍ය භාවිතයෙන් පර්යේෂණ සහ සංවර්ධනය වැඩි දියුණු කිරීම), බලශක්ති පරිභෝජනය අඩු කිරීම.

චිප විශ්වසනීයත්වය වැඩි දියුණු කිරීම - දූෂණය දැඩි ලෙස පාලනය කිරීම.

පිරිවැය අඩු කළ රේඛා පළල අඩු කිරීම, වේෆර් විෂ්කම්භය වැඩි කිරීම.

මුවර්ගේ නියමයේ සඳහන් වන්නේ සෑම වසරකම IC ඒකාබද්ධ කිරීම දෙගුණ වන බවයි.

1975 සංශෝධනය කරන ලද්දේ: සෑම වසර එකහමාරකට වරක් IC ඒකාබද්ධ කිරීම දෙගුණ වනු ඇත.

ස්වාභාවික ඔක්සිකරණ ස්ථරය: කාමර උෂ්ණත්වයේ දී වාතයට හෝ ද්‍රාවිත ඔක්සිජන් අඩංගු අයනීකරණය කළ ජලයට නිරාවරණය වුවහොත්, සිලිකන් වේෆරයේ මතුපිට ඔක්සිකරණය වේ. මෙම තුනී ඔක්සයිඩ් ස්ථරය ස්වදේශීය ඔක්සයිඩ් ස්ථරය ලෙස හැඳින්වේ. සිලිකන් වේෆරයේ ආරම්භක ස්වාභාවික ඔක්සයිඩ් ස්ථර වර්ධනය තෙතමනය සමඟ ආරම්භ වේ. සිලිකන් වේෆරයේ මතුපිට වාතයට නිරාවරණය වන විට, ජල අණු ස්ථර දුසිම් ගණනක් සිලිකන් වේෆරය මත අවශෝෂණය කර තත්පරයක් ඇතුළත සිලිකන් මතුපිටට විනිවිද යන අතර එමඟින් කාමර උෂ්ණත්වයේ දී පවා සිලිකන් මතුපිට ඔක්සිකරණය වේ.

ස්වාභාවික ඔක්සයිඩ් ස්ථරය නිසා ඇතිවන ගැටළු:

① එය තනි ස්ඵටික තුනී පටලවල වර්ධනය සහ සිලිකන් වේෆර් මත අතිශය තුනී ඔක්සයිඩ් ස්ථර වර්ධනය වැනි අනෙකුත් ක්‍රියාවලි පියවරයන්ට බාධාවක් වනු ඇත.

තවත් ගැටළුවක් නම්, ලෝහ සන්නායකයේ ස්පර්ශක ප්‍රදේශය, ඔක්සයිඩ් තට්ටුවක් තිබේ නම්, ස්පර්ශ ප්‍රතිරෝධය වැඩි කරයි, ධාරා ප්‍රවාහය අඩු කරයි හෝ වළක්වයි.

③ අර්ධ සන්නායක ක්‍රියාකාරිත්වය සහ විශ්වසනීයත්වය කෙරෙහි විශාල බලපෑමක් ඇති කරයි

1. සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදන කාර්මිකයා: සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදන උපකරණ ක්‍රියාත්මක කිරීම සඳහා වගකිව යුතුය. සමහර උපකරණ නඩත්තු කිරීම සහ ක්‍රියාවලියේ සහ උපකරණවල මූලික දෝෂ විමර්ශනය.

2. උපකරණ කාර්මිකයා: වේෆර් නිෂ්පාදනයේදී උපකරණ නිවැරදිව ක්‍රියාත්මක වීම සහතික කිරීම සඳහා දෝෂ පිළිබඳව විමසා උසස් උපකරණ පද්ධති නඩත්තු කරන්න.

3. උපකරණ ඉංජිනේරු: සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදනය සඳහා උපකරණ සැලසුම් පරාමිතීන් තීරණය කිරීම සහ උපකරණ ක්‍රියාකාරිත්වය ප්‍රශස්ත කිරීමෙහි නියැලී සිටී.

4. ක්‍රියාවලි ඉංජිනේරු: ප්‍රශස්ත පරාමිති සැකසුම් තීරණය කිරීම සඳහා නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන් සහ උපකරණවල ක්‍රියාකාරිත්වය විශ්ලේෂණය කරන්න.

5. රසායනාගාර කාර්මිකයා: රසායනාගාර කටයුතු සංවර්ධනය කිරීම, ස්ථාපිත කිරීම සහ පරීක්ෂා කිරීමේ නිරත වීම.

6: අස්වැන්න/අසාර්ථකත්ව විශ්ලේෂණ කාර්මිකයා: විශ්ලේෂණය කිරීමට අවශ්‍ය ද්‍රව්‍ය සකස් කිරීම සහ සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියේ ගැටළු වලට මූලික හේතුව තීරණය කිරීම සඳහා විශ්ලේෂණ උපකරණ ක්‍රියාත්මක කිරීම වැනි දෝෂ විශ්ලේෂණයට අදාළ කාර්යයන්හි නියැලී සිටී.

7. අස්වැන්න වැඩිදියුණු කිරීමේ ඉංජිනේරු: වේෆර් නිෂ්පාදන කාර්ය සාධනය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා අස්වැන්න සහ පරීක්ෂණ දත්ත රැස් කර විශ්ලේෂණය කරන්න.

පහසුකම් ඉංජිනේරු: සිලිකන් වේෆර් නිෂ්පාදන කම්හල්වල රසායනික ද්‍රව්‍ය, වාතය පිරිපහදු කිරීම සහ පොදු උපකරණවල යටිතල පහසුකම් සඳහා ඉංජිනේරු සහාය ලබා දීම.

"මෝර් මුවර්" යන්නෙන් අදහස් කරන්නේ චිප විශේෂාංග ප්‍රමාණයන් අඛණ්ඩව හැකිලීමයි.

ජ්‍යාමිතික වශයෙන් යන්නෙන් අදහස් කරන්නේ ඝනත්වය, කාර්ය සාධනය සහ විශ්වසනීයත්වය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා වේෆරයේ තිරස් සහ සිරස් දිශාවන්හි විශේෂාංග ප්‍රමාණයන් අඛණ්ඩව හැකිලීමයි.

මෙය ත්‍රිමාණ ව්‍යුහ වැඩිදියුණු කිරීම සහ අනෙකුත් ජ්‍යාමිතික නොවන ක්‍රියාවලි තාක්ෂණයන් සහ වේෆරයේ විද්‍යුත් ගුණාංගවලට බලපෑම් කිරීම සඳහා නව ද්‍රව්‍ය භාවිතය සමඟ සම්බන්ධ වේ.

"More than Moore" යන්නෙන් අදහස් කරන්නේ විවිධ ආකාරවලින් අවසාන පරිශීලකයින්ට අමතර වටිනාකමක් ලබා දීම මිස, පද්ධති සංරචක මට්ටමේ සිට 3D ඒකාබද්ධ කිරීම හෝ නිරවද්‍ය පැකේජ මට්ටම (SiP) හෝ චිප මට්ටම (SoC) දක්වා ගමන් කිරීම වැනි විශේෂාංග ප්‍රමාණය අඩු කිරීම නොවේ.

අවම විශේෂාංග ප්‍රමාණය, තීරණාත්මක මානය ලෙස හැඳින්වේ (Critical Dimension, CD) CD බොහෝ විට ක්‍රියාවලි දුෂ්කරතාවයේ මිනුමක් ලෙස භාවිතා කරයි.