සැම්සුන් ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් එහි 10-නැනෝමීටර පන්තියේ හයවන පරම්පරාවේ (1c) DRAM ක්‍රියාවලියේ සැලකිය යුතු ප්‍රගතියක් ලබා ඇති අතර, අස්වැන්න අනුපාතය 50% ඉක්මවා ඇත. මෙම ඉදිරි ගමන මඟින් ඉහළ කාර්යසාධනයක් සහිත මතක වෙළඳපොලේ තරඟකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීමට සැම්සුන් සතු හැකියාව පෙන්නුම් කරන අතර මෙම වසරේ දෙවන භාගයේදී හයවන පරම්පරාවේ ඉහළ කලාප පළල මතකය (HBM4) මහා පරිමාණයෙන් නිෂ්පාදනය ආරම්භ කිරීමට සැලසුම් කරයි.

1c DRAM ක්‍රියාවලි තාක්ෂණ නෝඩය ආසන්න වශයෙන් නැනෝමීටර 11-12 කි. වත්මන් ප්‍රධාන ධාරාවේ සිව්වන පරම්පරාවේ (1a, ~14nm) සහ පස්වන පරම්පරාවේ (1b, ~12-13nm) DRAM හා සසඳන විට, 1c ක්‍රියාවලිය ඉහළ ඝනත්වයක් ලබා දෙනවා පමණක් නොව, ඵලදායී ලෙස බලශක්ති පරිභෝජනය අඩු කරයි. අතිරේකව, ඩයි ඝණකම තුනී වන අතර, එය HBM4 හි වැඩි මතක ස්ථර ගොඩගැසීමට පහසුකම් සපයයි, ධාරිතාව සහ කලාප පළල ඝනත්වය සැලකිය යුතු ලෙස වැඩි කරයි.

පසුගිය වසරේ සිට සැම්සුන් සමාගම 1c DRAM සංවර්ධනය සඳහා සම්පූර්ණයෙන්ම කැපවී සිටින අතර, ප්‍රතිනිර්මාණය කිරීමේ උත්සාහයේදී DRAM සංවර්ධන ප්‍රධානී හ්වාං සැන්ග්-ජූන් විසින් මෙහෙයවනු ලැබේ. කාර්ය සාධනය සහ අස්වැන්න ඉලක්ක සපුරා ගැනීමට මුලින් අසමත් වීමට මූලික හේතුව මුල් නිර්මාණ ගෘහ නිර්මාණ ශිල්පයේ අඩුපාඩු බව ඔහු පෙන්වා දුන්නේය. සැලසුම් අවධියේ සිට ආරම්භ වන සම්පූර්ණ නිවැරදි කිරීම් ප්‍රගතිය සඳහා අත්‍යවශ්‍ය බව ඔහු අවධාරණය කළේය. සැලසුම් ක්‍රියාවලිය සකස් කිරීම සඳහා මෙම ඉහළ මට්ටමේ මැදිහත්වීම තාක්ෂණික නායකත්වය නැවත ලබා ගැනීමට සැම්සුන් හි අධිෂ්ඨානය පෙන්නුම් කරයි.

සැම්සුන් විසින් වසරේ දෙවන භාගයේදී HBM4 සාම්පල සැපයීමට ද සැලසුම් කර ඇති අතර, "අභිරුචිකරණය කළ HBM" මූලික නව උපාය මාර්ගයක් ලෙස ස්ථානගත කර ඇත.

HBM4 මඟින් DRAM ස්ටැක් සමඟ තාර්කික අච්චු ඒකාබද්ධ කිරීමට ඉඩ සලසයි. වාත්තු ක්‍රියාවලිය හරහා සමස්ත ගෘහ නිර්මාණ ශිල්පය ප්‍රශස්ත කිරීම මගින්, විවිධ යෙදුම්වල අවශ්‍යතාවලට ගැලපෙන කාර්යක්ෂම විසඳුම් සැපයීම එහි අරමුණයි. තවද, සමස්ත කාර්ය සාධනය සහ ඒකාබද්ධ කිරීමේ නම්‍යශීලීභාවය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා සැම්සුන් විසින් HBM4 ස්ටැක් හි පාදයේ ඇති තාර්කික අච්චුවට තමන්ගේම සංවර්ධනය කරන ලද 4-නැනෝමීටර ක්‍රියාවලිය යොදනු ඇත.

අප ගැන SLKOR:

SLKORචීනයේ ෂෙන්සෙන් හි මූලස්ථානය වන, බලශක්ති අර්ධ සන්නායක අංශයේ වේගයෙන් නැගී එන ජාතික අධි තාක්‍ෂණික ව්‍යවසායයකි. බීජිං සහ සුෂෝ හි පර්යේෂණ සහ සංවර්ධන මධ්‍යස්ථාන සමඟ, එහි ප්‍රධාන තාක්ෂණික කණ්ඩායම සිංහුවා විශ්ව විද්‍යාලයෙන් ආරම්භ වේ. සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) බල උපාංග තාක්ෂණයේ නවෝත්පාදකයෙකු ලෙස, SLKORහි නිෂ්පාදන නව බලශක්ති වාහන, ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා බල උත්පාදනය, කාර්මික IoT සහ පාරිභෝගික ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල බහුලව භාවිතා වන අතර, ගෝලීය වශයෙන් සේවාදායකයින් 10,000 කට අධික සංඛ්‍යාවකට තීරණාත්මක අර්ධ සන්නායක විසඳුම් සපයයි.

සමාගම වාර්ෂිකව ඒකක බිලියන 2 කට වඩා නිපදවන අතර, එහි SiC MOSFET සහ 5 වන පරම්පරාවේ අතිශය වේගවත් ප්‍රතිසාධන SBD ඩයෝඩ කාර්යක්ෂමතා අනුපාතය සහ තාප ස්ථායිතාව සම්බන්ධයෙන් කර්මාන්ත මිණුම් සලකුණු තබයි. SLKOR නව නිපැයුම් පේටන්ට් බලපත්‍ර 100කට අධික සංඛ්‍යාවක් හිමිකරගෙන ඇති අතර නිෂ්පාදන ආකෘති 2,000+ක් පිරිනමයි, බලශක්ති උපාංග, සංවේදක සහ බල කළමනාකරණ IC හරහා එහි IP කළඹ අඛණ්ඩව පුළුල් කරයි. ISO 9001, EU RoHS/REACH, සහ CP65 අනුකූලතාව ඇතුළු සහතික මඟින් තාක්ෂණික නවෝත්පාදනය, කෙට්ටු නිෂ්පාදනය සහ තිරසාර සංවර්ධනය සඳහා සමාගමේ ස්ථිර කැපවීම පෙන්නුම් කරයි.