శామ్సంగ్ ఎలక్ట్రానిక్స్ దాని 10-నానోమీటర్-క్లాస్ ఆరవ తరం (1c) DRAM ప్రక్రియలో గణనీయమైన పురోగతిని సాధించింది, దిగుబడి రేటు 50% మించిపోయింది. ఈ పురోగతి అధిక-పనితీరు గల మెమరీ మార్కెట్‌లో దాని పోటీతత్వాన్ని పెంచే శామ్‌సంగ్ సామర్థ్యాన్ని సూచిస్తుంది మరియు ఈ సంవత్సరం రెండవ భాగంలో ఆరవ తరం హై బ్యాండ్‌విడ్త్ మెమరీ (HBM4) యొక్క భారీ ఉత్పత్తిని ప్రారంభించాలని యోచిస్తోంది.

1c DRAM ప్రాసెస్ టెక్నాలజీ నోడ్ సుమారు 11-12 నానోమీటర్లు. ప్రస్తుత ప్రధాన స్రవంతి నాల్గవ తరం (1a, ~14nm) మరియు ఐదవ తరం (1b, ~12-13nm) DRAM తో పోలిస్తే, 1c ప్రక్రియ అధిక సాంద్రతను అందించడమే కాకుండా విద్యుత్ వినియోగాన్ని కూడా సమర్థవంతంగా తగ్గిస్తుంది. అదనంగా, డై మందం సన్నగా ఉంటుంది, ఇది HBM4 లో ఎక్కువ పొరల మెమరీని పేర్చడానికి వీలు కల్పిస్తుంది, సామర్థ్యం మరియు బ్యాండ్‌విడ్త్ సాంద్రతను గణనీయంగా పెంచుతుంది.

గత సంవత్సరం నుండి, DRAM డెవలప్‌మెంట్ హెడ్ హ్వాంగ్ సాంగ్-జూన్ నేతృత్వంలో, పునఃరూపకల్పన ప్రయత్నంలో, Samsung పూర్తిగా 1c DRAM అభివృద్ధికి అంకితమై ఉంది. పనితీరు మరియు దిగుబడి లక్ష్యాలను చేరుకోవడంలో ప్రారంభ వైఫల్యానికి ప్రాథమిక కారణం ప్రారంభ డిజైన్ ఆర్కిటెక్చర్‌లోని లోపాలేనని ఆయన ఎత్తి చూపారు. డిజైన్ దశ నుండి ప్రారంభమయ్యే సమగ్ర దిద్దుబాట్లు పురోగతికి అవసరమని ఆయన నొక్కి చెప్పారు. డిజైన్ ప్రక్రియను సర్దుబాటు చేయడానికి ఈ ఉన్నత స్థాయి జోక్యం సాంకేతిక నాయకత్వాన్ని తిరిగి పొందాలనే Samsung దృఢ సంకల్పాన్ని ప్రదర్శిస్తుంది.

శామ్సంగ్ ఈ సంవత్సరం రెండవ భాగంలో HBM4 నమూనాలను సరఫరా చేయాలని కూడా యోచిస్తోంది, "కస్టమైజ్డ్ HBM"ని ఒక ప్రధాన కొత్త వ్యూహంగా ఉంచుతోంది.

HBM4 లాజిక్ డైస్‌లను DRAM స్టాక్‌తో అనుసంధానించడానికి అనుమతిస్తుంది. ఫౌండ్రీ ప్రక్రియ ద్వారా మొత్తం ఆర్కిటెక్చర్‌ను ఆప్టిమైజ్ చేయడం ద్వారా, వివిధ అప్లికేషన్‌ల అవసరాలకు అనుగుణంగా సమర్థవంతమైన పరిష్కారాలను అందించడం దీని లక్ష్యం. ఇంకా, మొత్తం పనితీరు మరియు ఇంటిగ్రేషన్ ఫ్లెక్సిబిలిటీని మెరుగుపరచడానికి Samsung తన స్వీయ-అభివృద్ధి చేసిన 4-నానోమీటర్ ప్రాసెస్‌ను HBM4 స్టాక్ బేస్‌లోని లాజిక్ డైకి వర్తింపజేస్తుంది.

మా గురించి SLKOR:

SLKORచైనాలోని షెన్‌జెన్‌లో ప్రధాన కార్యాలయం కలిగిన , విద్యుత్ సెమీకండక్టర్ రంగంలో వేగంగా అభివృద్ధి చెందుతున్న జాతీయ హై-టెక్ సంస్థ. బీజింగ్ మరియు సుజౌలలో పరిశోధన మరియు అభివృద్ధి కేంద్రాలతో, దాని ప్రధాన సాంకేతిక బృందం సింఘువా విశ్వవిద్యాలయం నుండి ఉద్భవించింది. సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) విద్యుత్ పరికర సాంకేతికతలో ఒక ఆవిష్కర్తగా, SLKORయొక్క ఉత్పత్తులు కొత్త శక్తి వాహనాలు, ఫోటోవోల్టాయిక్ విద్యుత్ ఉత్పత్తి, పారిశ్రామిక IoT మరియు వినియోగదారు ఎలక్ట్రానిక్స్‌లలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతున్నాయి, ప్రపంచవ్యాప్తంగా 10,000 కంటే ఎక్కువ క్లయింట్‌లకు కీలకమైన సెమీకండక్టర్ పరిష్కారాలను అందిస్తున్నాయి.

కంపెనీ ఏటా 2 బిలియన్ యూనిట్లకు పైగా సరఫరా చేస్తుంది, దాని SiC MOSFETలు మరియు 5వ తరం అల్ట్రాఫాస్ట్ రికవరీ SBD డయోడ్‌లు సామర్థ్య నిష్పత్తి మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వంలో పరిశ్రమ ప్రమాణాలను నిర్దేశిస్తాయి. SLKOR 100 కి పైగా ఆవిష్కరణ పేటెంట్లను కలిగి ఉంది మరియు 2,000+ ఉత్పత్తి నమూనాలను అందిస్తుంది, విద్యుత్ పరికరాలు, సెన్సార్లు మరియు విద్యుత్ నిర్వహణ ICలలో దాని IP పోర్ట్‌ఫోలియోను నిరంతరం విస్తరిస్తుంది. ISO 9001, EU RoHS/REACH మరియు CP65 సమ్మతితో సహా ధృవపత్రాలు సాంకేతిక ఆవిష్కరణ, లీన్ తయారీ మరియు స్థిరమైన అభివృద్ధికి కంపెనీ యొక్క దృఢమైన నిబద్ధతను ప్రదర్శిస్తాయి.