Ortak özelliği "" kısaltmasının kökeni olan üç elektrota sahip olmasıdır.transistor". Genel olarak konuşursak, iç kısım transistor hiyerarşik sıraya göre NPN tipi ve PNP tipine ayrılan P tipi yarı iletkenlerden ve N tipi yarı iletkenlerden oluşan üç katmanlı bir yapıdır.
Yukarıda bahsedilen üç katmanlı yapı, üç bölgedir. transistor. Ortadaki daha ince katman taban bölgesidir ve diğer iki katman hem N tipi hem de P tipidir. Bunlardan nispeten küçük boyutlu ve nispeten yüksek çoğunluk taşıyıcı konsantrasyonuna sahip olan katman, emitör alanı ve diğer katman ise toplayıcı bölgedir. Bu iç yapısal özellik transistor için iç koşuldur transistor güçlendirebilmek.
Üç bölgenin her biri, taban (b), yayıcı (e) ve toplayıcı (c) olan üç elektroda yol açar.
Şekil b'de gösterildiği gibi, üç katmanlı yapı, yayıcı bağlantı noktası ve toplayıcı bağlantı adı verilen iki PN bağlantı noktası oluşturabilir. Ok yönü transistor sembolü yayıcı bağlantının yönünü gösterir.
İç yapısında tek yönlü iletkenliğe sahip iki adet PN bağlantısı bulunmaktadır. transistorelbette bir anahtarlama elemanı olarak kullanılabilir, ancak aynı zamanda transistor aynı zamanda güçlendiren bir unsurdur. Elektronik teknolojisinin hızlı gelişimini destekleyen görünüşüdür.

2. Mevcut amplifikasyon etkisi transistor
DC voltaj kaynağı Vcc, Vbb'den büyük olmalıdır, böylece devre, harici amplifikasyon koşullarını karşılar: yayıcı bağlantı noktası ileri yönde öngerilimlidir ve toplayıcı ters yönde öngerilimlidir. Ayarlanabilir direncin Rb, taban akımının IB, kolektör akımının Ic ve verici akımının IE değiştirilmesinin tümü değişecektir ve ölçüm sonuçlarından aşağıdaki sonuçlar çıkarılabilir:
(1) IE = IB + IC (Kirchhoff'un mevcut teoremine göre)
(2) IC ≈ IB ×? (?, mevcut amplifikasyon kapasitesini karakterize edebilen mevcut amplifikasyon faktörü olarak adlandırılır. transistor)
(3) △ IC ≈ △ IB ×?
Yukarıdakilerden görülebileceği gibi, transistor akım amplifikasyonuna sahip analog bir cihazdır.

3. Amplifikasyon ilkesi transistor
Aşağıdakiler NPN kullanır transistor Dahili taşıyıcı hareket yasasını ve mevcut amplifikasyon ilkesini gösteren bir örnek olarak,
1. Elektronların yayıcı bölgeden taban bölgesine difüzyonu: Emitör bağlantısı ileri yönde olduğundan, yayıcı bölgedeki taşıyıcıların (serbest elektronlar) çoğunluğu baz bölgeye yayılmaya devam eder ve güçten gelen elektronları sürekli olarak yeniler. besleme, yayıcı akım IE'yi oluşturur.
2. Taban alanındaki elektronların difüzyonu ve rekombinasyonu: Taban alanı çok ince olduğundan çoğunluk taşıyıcı (delik) konsantrasyonu çok düşüktür, dolayısıyla yayıcıdan yayılan elektronların yalnızca küçük bir kısmı taban alanı delikleriyle yeniden birleşebilir. Temel akım IB nispeten küçüktür ve geri kalan elektronların çoğu kollektör bağlantı noktasının kenarına yayılabilir.
3. Kolektör alanı, emitör alanından yayılan elektronları toplar: kollektör bağlantısının ters polarizasyonu nedeniyle, emitör alanından taban alanına yayılan ve toplayıcı alanın kenarına ulaşan elektronlar, kolektör alanına çekilebilir, böylece daha büyük bir kollektör akımı IC'si oluşturulur.

4. Giriş ve çıkış özellikleri transistor
Giriş karakteristiği transistor kolektör-emetör voltajı UCE sabit olduğunda baz akımı IB ile baz-yayıcı voltajı UBE arasındaki ilişki eğrisini ifade eder.
Silikon tüpler için, UCE 1V'yi aştığında, toplayıcı bağlantı, yayıcı bölgeden baz bölgeye yayılan elektronların çoğunu toplayıcı bölgeye çekecek kadar ters eğilime ulaşmıştır. Eğer UCE bu zamanda arttırılırsa, UBE değişmediği sürece (emisyon alanından taban alanına yayılan elektronların sayısı sabittir), IB temel olarak değişmeden kalacaktır. Yani UCE 1V'yi aştığında giriş karakteristik eğrileri temelde çakışır.
Şekilden diyotun volt-amper karakteristiği gibi, giriş karakteristiğinin de görülebileceği görülmektedir. transistor bir de ölü bölgesi var. Yalnızca UBE ölü bölge geriliminden büyük olduğunda, baz akımı IB transistor görünecek. Genellikle silikon tüpün ölü bölge voltajı yaklaşık 0.5V, germanyum tüpün ölü bölge voltajı ise yaklaşık 0.1V'dur. Normal çalışma koşulları altında, NPN silikon tüpünün yayıcı bağlantı voltajı UBE, 0.6 ila 0.7V arasındadır ve PNP germanyum tüpünün yayıcı bağlantı voltajı UBE, -0.2 ila -0.3V'dur.
Çıkış karakteristiği transistor temel akım IB sabit olduğunda kolektör akımı IC ile kolektör-emetör voltajı UCE arasındaki ilişki eğrisini ifade eder. Farklı IB altında farklı eğriler elde edilebilir, dolayısıyla çıkış karakteristikleri transistor bir dizi eğridir. Genellikle çıkış karakteristik eğrisi üç çalışma alanına ayrılır:
1. Genişletme alanı: Çıkış karakteristik eğrisinin neredeyse yatay kısmı genişletme alanıdır. Amplifikasyon alanında IC = IB ×?, farklı IB'ler altında mevcut amplifikasyon katsayıları yaklaşık olarak eşit olduğundan amplifikasyon alanına doğrusal alan da denir. İçin transistor Amplifikasyon alanında çalışmak için yayıcı bağlantı noktası ileri yönde olmalı ve kollektör bağlantısı ters yönde olmalıdır. Silikon tüpler için UBE>0 ve UBC<0 yapılmalıdır.
2. Kesme alanı: IB = 0 eğrisinin altında kalan alana kesme alanı denir. Aslında NPN silikon tüp için UBE<0.5V olduğunda kesilmeye başlar, ancak bunu yapmak için transistor Güvenilir bir şekilde kesildiğinden UBE≤0V sıklıkla kullanılır. Bu sırada hem emitör bağlantısı hem de kolektör bağlantısı ters yöndedir.
3. Doygunluk alanı: Çıkış karakteristik eğrisinin dik kısmı doygunluk alanıdır. Şu anda IB'deki değişikliğin IC üzerinde çok az etkisi vardır ve ? Amplifikasyon alanının değeri artık doygunluk alanına uygulanamaz. Doyum bölgesinde, UCE