IGBT ayrık ve IGBT modülü arasındaki fark, IGBT modülünün ayrık IGBT'nin fonksiyonel iyileştirmesi ve yükseltilmesi olarak düşünülebilir. Uygulama alanları temelde aynıdır. Bununla birlikte, çeşitli sürücü ve koruma devrelerinin entegrasyonu sayesinde, IGBT modülünün kurulumu kullanıcılar için büyük ölçüde daha kolaydır. Yeni paketleme teknolojisinin benimsenmesiyle, IGBT'nin performansı da büyük ölçüde iyileştirilmiş ve IGBT'nin uygulama alanı genişlemiştir. IGBT güç modülü, IC tarafından sürülen çeşitli sürücü koruma devreleri, yüksek performanslı IGBT çipleri ve yeni paketleme teknolojisi ile üretilir. Kompozit güç modülü PIM'den akıllı güç modülü IPM'ye, elektronik bina PEBB'ye ve güç modülü iPem'e kadar uzanır. PIM, yüksek voltajlı yüksek akım yönünde gelişmektedir ve ürün seviyesi 1200-18'dir.

Giriş: Elektronik cihazlar çok karmaşık bir sistemdir. Paketleme sürecindeki kusurlar ve arızalar da oldukça karmaşıktır. Bu nedenle, paketleme kusurları ve arızaları üzerine yapılan araştırmalar, kusurların nedenlerini çok yönlü olarak analiz edebilmek için paketleme sürecinin sistematik bir şekilde anlaşılmasını gerektirir. 1. Paketleme kusurlarının ve arızalarının mekanizması iki kategoriye ayrılabilir: aşırı gerilme ve aşınma. Aşırı gerilme kaynaklı arıza genellikle ani ve felaket niteliğindedir; aşınma kaybı ise uzun vadeli birikimli hasardır. Genellikle önce performans düşüşü olarak kendini gösterir, ardından cihaz kullanılamaz hale gelir. Arıza türü mekanik, termal, elektriksel, radyasyon ve kimyasal yükler olarak ayrılabilir. Paketleme kusurlarını ve arızalarını etkileyen faktörler çeşitlidir, malzeme bileşenleri de bunlardan biridir.

Çip paketleme hakkında ne kadar bilgiye sahipsiniz? Çip neden kapsüllenmelidir? Çip paketleme türleri nelerdir? Çip paketleme: Basitçe söylemek gerekirse, dökümhane tarafından üretilen entegre devre çıplak halini (DIE) taşıyıcı etkiye sahip bir alt tabaka üzerine yerleştirmek, ardından tüp ayağını yönlendirmek ve daha sonra paketlemeyi bir bütün haline getirmektir. Çip paketlemenin işlevi: Çip paketleme, çipi yerleştirme, sabitleme, sızdırmaz hale getirme, koruma ve elektriksel özelliklerini geliştirme rolünü oynar ve aynı zamanda çipin dış devrelerle bağlantısını sağlayan bir köprüdür; çip, paket kabuğunun pinlerine kablo bağlantısıyla bağlanır. Bu pinler, baskılı devre kartı üzerindeki kablolar aracılığıyla diğer cihazlara bağlanır. Bu nedenle, paketleme CPU ve diğer LSI entegre devrelerinde önemli bir rol oynar. Çip paketleme türleri

GD32, Çin'de geliştirilen tek çipli bir mikro bilgisayardır. Geliştiricisinin ST Firmasından olduğu ve GD32'nin de şablon olarak STM32 ile yapıldığı söyleniyor. Dolayısıyla GD32 ile STM32 birçok yerde aynı. Ancak sonuçta GD32 farklı bir ürün ve STM32'yi her konuda takip etmek mümkün değil. Kendi geliştirdiğimiz bazı ürünler hala farklıdır. Aynı yerlerden bahsetmeyeceğiz. İşte farklı yerler.

CIS Paketlemenin Evrimi

Araca monteli radar, Gelişmiş Destekli Sürüş (ADAS) ve insansız sürüşün temel sensörlerinden biridir ve araca monteli radar çipi, araca monteli radarın çekirdeğidir. Günümüzde, son derece entegre (MMIC+DSP/MCU) araç seviyesi çip, radarın minyatürleştirilmesi, yüksek güvenilirliği, kararlılığı ve düşük maliyeti için önemli bir yol sağlar ve bunun önemi açıktır.

Artık "uçtan uca" popüler. Örnek olarak cep telefonu görüşmesini ele alalım ve cep telefonundan baz istasyonuna kadar tüm sinyal sürecini inceleyerek baz bant ve RF'nin ne işe yaradığını görelim.

TVS Diyotları ve Zener Diyotları: Geleneksel Zener diyotlarıyla karşılaştırıldığında, TVS TVS diyotları daha büyük bir P/N bağlantı alanına sahiptir. Bu yapısal iyileştirme, TVS'nin voltaj kesme oranını azaltırken daha güçlü yüksek voltaj dayanım kapasitesine sahip olmasını sağlar.

1. Hızlı toparlanma diyotu nedir? Hızlı toparlanma diyotları genellikle yüksek frekanslı doğrultma ve serbest çalışma ürünlerinde kullanılır. Genellikle güç modülünün giriş kısmında kullanılır, frekans yüksek değilse hızlı toparlanma diyotlarına gerek yoktur.

1. Geçici gerilimin emilen gücünün tepe değeri ile geçici gerilimin darbe genişliği arasındaki ilişkiye gelince, kılavuz yalnızca belirli bir darbe genişliği altındaki emilen gücün tepe değerini vermektedir; oysa gerçekte darbe genişliği farklıdır.

ESD elektrostatik koruyucu, elektronik ekipmanlardaki hassas devreleri ESD'nin (elektrostatik deşarj) etkisinden korumak için kullanılan aşırı gerilim, anti-statik koruma bileşenidir. Amacı, ESD gerilimini hassas bileşenden aktarmaktır, böylece akım hassas bileşen yerine koruyucu bileşenden akarken hassas bileşen üzerindeki düşük voltajı korumaktır; ESD statikElektriksel koruyucu ayrıca düşük sızıntı ve düşük kapasitans özelliklerine sahip olmalıdır, bu da devre işlevini azaltmayacak; yüksek hızlı sinyallere zarar vermeyecek ve çoklu gerilimlere karşı koruma sağlayacaktır.Koruma elemanının işlevi azalmayacaktır.

TVS tüpü yüksek verimli bir koruma cihazıdır. İki uç anında yüksek enerjili bir darbeye maruz kaldığında TVS tüpü, yüksek direnç özelliklerini anında düşük direnç özelliklerine dönüştürebilir, büyük akımları emebilir ve TVS tüpünün her iki ucundaki voltajı sıkıştırabilir. Belirli bir değerde (TVS tüpünün dayanma gerilimi değeri) arka devre geçici yüksek enerjinin etkisinden korunarak devrenin güvenliği korunmuş olur. Aşağıda gösterildiği gibi. Basitçe söylemek gerekirse, devrenin dayanabileceği voltaj etkisi DC24V'den yüksek değilse, güç kaynağına 26V TVS tüpünü kaynaklayın. Güç kaynağı voltajı 26V'u geçmediğinde TVS tüpü yüksek empedans durumundadır; 26V'tan yüksek bir darbeden sonra TVS tüpü devre voltajını hızlı bir şekilde 24V'a sabitleyebilir, böylece devre kartının güvenliği sağlanır.

TVS tüplerinin avantajları: 1. Tepki hızı son derece hızlıdır (Ps seviyesi); 2. Arıza voltajı 6.12V ile 550V arasında değişir; 3. Sıkıştırma voltajı daha doğrudur.

TV'nin burada oluşumu nasıl olursa olsun, doğrudan veya dolaylı yıldırım düşmesi, elektrostatik boşalma, büyük kapasiteli yük değişimi ve diğer faktörler dalgalanmalara neden olur. Voltaj birkaç volttan onlarca kilovolta veya daha yükseğe kadar değişir.

Ana işlevi akımın yükseltilmesi (analog devre) ve anahtarlama eylemidir (dijital devre).

Ortak özelliği "triyot" kısaltmasının kökeni olan üç elektrota sahip olmasıdır. Genel olarak konuşursak, triyotun iç kısmı, hiyerarşik sıraya göre NPN tipi ve PNP tipine ayrılan P tipi yarı iletkenlerden ve N tipi yarı iletkenlerden oluşan üç katmanlı bir yapıdır.

MOSFET'in Parazit Kapasitans ve Sıcaklık Özellikleri

Devre çözümleri satın alırken ve ürettiğimizde genellikle bileşenlerin sıcaklığını dikkate almamız gerekir. Sonuçta her bileşenin bir sıcaklık aralığı sınırı vardır. Şu anda uygun bileşenleri seçmeden önce bileşenlerin sıcaklığını hesaplamamız gerekiyor. Daha sonra orijinal bileşenler Sıcaklık değişimi nasıl hesaplanır, aşağıdaki editör bileşen sıcaklığının hesaplama yöntemini sizinle paylaşacaktır:

Otomotiv terminal pazarındaki artan talep ve silikonla fiyat eşitliği nedeniyle, silisyum karbür (SiC) üretimi hızla artıyor. Elektrikli araçlarda, araç içi şarj, çekiş invertörleri ve DC-DC dönüştürme için binlerce güç yarı iletken modülü zaten kullanılıyor. Bunların çoğu şu anda silikon tabanlı IGBT'ler kullanılarak üretiliyor. Bununla birlikte, SiC tabanlı MOSFET'lere geçiş, daha küçük ve daha hafif paketlerde güç yoğunluğunu ikiye katladı ve anahtarlama hızını hızlandırdı. Elektrikli araçlar ve şarj istasyonları için yüksek voltaj ve sıcak ve zorlu ortamlarda çalışma gereksinimleri giderek daha zorlayıcı hale geliyor. Ancak, geniş bant aralıklı malzemelerin daha yüksek üretim ve paketleme maliyetleri nedeniyle, silisyum karbürün (SiC) sağlam bir yer edinmesi biraz zaman alacaktır. Yine de bu durum değişiyor. PowerAmerica'nın İcra Direktörü ve Baş Teknoloji Sorumlusu Victor Veliadis, SiC güç modüllerinin fiyatlarının artık silikon tabanlı modüllerle karşılaştırılabilir olduğunu ve bunun da tedarik ortaklıklarını ve yeni SiC fabrikalarının inşasını teşvik ettiğini belirtti. Hala yapılacak çok iş var. SiC gofret teknolojisinin geliştirilmesi gerekiyor. Bu cihazların üretimi %20 yeni işlem araçları ve %80 geliştirilmiş araçlar gerektiriyor. Amacımız, entegre ve ayrık güç cihazlarının üretim hızını artırmak; bu nedenle otomotiv üreticileri dökümhanelerle doğrudan gofret-modül işbirliğine yöneliyor.

Otomotiv terminal pazarındaki artan talep ve silikonla fiyat eşitliği nedeniyle, silisyum karbür (SiC) üretimi hızla artıyor. Elektrikli araçlarda, araç içi şarj, çekiş invertörleri ve DC-DC dönüştürme için binlerce güç yarı iletken modülü zaten kullanılıyor. Bunların çoğu şu anda silikon tabanlı IGBT'ler kullanılarak üretiliyor. Bununla birlikte, SiC tabanlı MOSFET'lere geçiş, daha küçük ve daha hafif paketlerde güç yoğunluğunu ikiye katladı ve anahtarlama hızını hızlandırdı. Elektrikli araçlar ve şarj istasyonları için yüksek voltaj ve sıcak ve zorlu ortamlarda çalışma gereksinimleri giderek daha zorlayıcı hale geliyor. Ancak, geniş bant aralıklı malzemelerin daha yüksek üretim ve paketleme maliyetleri nedeniyle, silisyum karbürün (SiC) sağlam bir yer edinmesi biraz zaman alacaktır. Yine de bu durum değişiyor. PowerAmerica'nın İcra Direktörü ve Baş Teknoloji Sorumlusu Victor Veliadis, SiC güç modüllerinin fiyatlarının artık silikon tabanlı modüllerle karşılaştırılabilir olduğunu ve bunun da tedarik ortaklıklarını ve yeni SiC fabrikalarının inşasını teşvik ettiğini belirtti. Hala yapılacak çok iş var. SiC gofret teknolojisinin geliştirilmesi gerekiyor. Bu cihazların üretimi %20 yeni işlem araçları ve %80 geliştirilmiş araçlar gerektiriyor. Amacımız, entegre ve ayrık güç cihazlarının üretim hızını artırmak; bu nedenle otomotiv üreticileri dökümhanelerle doğrudan gofret-modül işbirliğine yöneliyor.