A diferença entre o IGBT discreto e o módulo IGBT pode ser considerada como uma melhoria e atualização funcional do IGBT discreto. Seus campos de aplicação são basicamente os mesmos. No entanto, devido à integração de vários circuitos de acionamento e proteção, a instalação do módulo IGBT é muito mais conveniente para os usuários. Com a adoção de novas tecnologias de encapsulamento, o desempenho do IGBT também foi bastante aprimorado, expandindo seu campo de aplicação. O módulo de potência IGBT é controlado por circuitos integrados, diversos circuitos de acionamento e proteção, chips IGBT de alto desempenho e novas tecnologias de encapsulamento. Desde o módulo de potência composto PIM até o módulo de potência inteligente IPM, passando pelo módulo eletrônico PEBB e o módulo de potência iPem, o PIM está se desenvolvendo na direção de alta tensão e alta corrente, e o nível de produto é de 1200-18W.

Introdução: Dispositivos eletrônicos são sistemas muito complexos. Os defeitos e falhas no processo de encapsulamento também são bastante complexos. Portanto, a pesquisa sobre defeitos e falhas de encapsulamento requer uma compreensão sistemática do processo de encapsulamento, a fim de analisar as causas dos defeitos sob múltiplas perspectivas. 1. O mecanismo de falha de defeitos e falhas de encapsulamento pode ser dividido em duas categorias: tensão excessiva e desgaste. A falha por tensão excessiva geralmente é instantânea e catastrófica; a perda por desgaste é um dano cumulativo a longo prazo. Frequentemente, manifesta-se inicialmente como degradação de desempenho, tornando o dispositivo inutilizável. Os tipos de falha podem ser classificados em cargas mecânicas, térmicas, elétricas, de radiação e químicas. Os fatores que afetam os defeitos e falhas de encapsulamento são diversos, incluindo os materiais utilizados.

Quanto você sabe sobre encapsulamento de chips? Por que os chips devem ser encapsulados? Quais são os tipos de encapsulamento de chips? Encapsulamento de chips: Em termos simples, consiste em colocar o circuito integrado nu (DIE), produzido pela fundição, sobre um substrato com função de suporte, em seguida, fixar os terminais do encapsulamento e, por fim, unir tudo. Função do encapsulamento de chips: O encapsulamento de chips desempenha o papel de posicionar, fixar, selar, proteger o chip e melhorar suas propriedades elétricas. Ele também serve como ponte entre o mundo exterior e os circuitos externos do chip – a conexão do chip aos pinos do encapsulamento é feita por meio de fios que se conectam aos pinos do encapsulamento. Esses pinos são conectados a outros dispositivos através de fios na placa de circuito impresso. Portanto, o encapsulamento desempenha um papel importante na CPU e em outros circuitos integrados LSI. Tipos de encapsulamento de chips no mundo

GD32 é um microcomputador de chip único desenvolvido na China. Diz-se que o desenvolvedor é da ST Company, e o GD32 também é feito com STM32 como template. Portanto, GD32 e STM32 são iguais em muitos lugares. Porém, afinal, GD32 é um produto diferente e é impossível seguir o STM32 para tudo. Alguns produtos autodesenvolvidos ainda são diferentes. Não falaremos dos mesmos lugares. Aqui estão os diferentes lugares.

Evolução da Embalagem CIS

O radar montado em veículo é um dos principais sensores da direção assistida avançada (ADAS) e da direção não tripulada, e o chip do radar montado em veículo é o núcleo do radar montado em veículo. Hoje em dia, o chip de nível de veículo altamente integrado (MMIC+DSP/MCU) fornece um caminho fundamental para a miniaturização, alta confiabilidade, estabilidade e baixo custo do radar, e sua importância é evidente.

Agora, "ponta a ponta" é popular. Vamos pegar a chamada de celular como exemplo e observar todo o processo de sinal do celular até a estação base para ver para que servem a banda base e a RF.

Diodos TVS vs. Diodos Zener: Comparados aos diodos Zener tradicionais, os diodos TVS possuem uma área de junção P/N maior. Essa melhoria estrutural permite que o TVS tenha uma capacidade de suportar altas tensões mais elevadas, ao mesmo tempo que reduz a taxa de corte de tensão, tornando-o mais adequado para aplicações de alta tensão.

1. O que é um diodo de recuperação rápida? Diodos de recuperação rápida são comumente usados em retificação de alta frequência e em produtos de roda livre. Geralmente são usados na parte de entrada do módulo de potência, onde a frequência não é alta e não há necessidade de usar diodos de recuperação rápida.

1. Em relação à relação entre o valor de pico da potência absorvida da tensão transitória e a largura do pulso da tensão transitória, o manual fornece apenas o valor de pico da potência absorvida para uma largura de pulso específica, enquanto a largura do pulso na realidade

O protetor eletrostático ESD é um componente de proteção antiestática contra sobretensão, usado para proteger circuitos sensíveis em equipamentos eletrônicos da influência de ESD (descarga eletrostática), pois o objetivo é transferir o estresse ESD do componente sensível, de modo que a corrente flua através do componente de proteção em vez do componente sensível, mantendo a baixa tensão no componente sensível; ESD estáticoO protetor elétrico também deve ter características de baixo vazamento e baixa capacitância, o que não reduzirá a função do circuito; não causará danos aos sinais de alta velocidade e protegerá contra múltiplos estresses. A função do elemento de proteção não será reduzida.

O tubo TVS é um dispositivo de proteção de alta eficiência. Quando as duas extremidades são submetidas a um impacto instantâneo de alta energia, o tubo TVS pode converter instantaneamente suas características de alta resistência em características de baixa resistência, absorver grandes correntes e fixar a tensão em ambas as extremidades do tubo TVS. Em um determinado valor (o valor da tensão suportável do tubo TVS), o circuito traseiro é protegido do impacto de alta energia transitória e a segurança do circuito é protegida. Como mostrado abaixo. Simplificando, se o impacto de tensão que o circuito pode suportar não for superior a DC24V, solde um tubo TVS de 26V na fonte de alimentação. Quando a tensão da fonte de alimentação não excede 26 V, o tubo TVS está em estado de alta impedância; Após um pulso superior a 26V, o tubo TVS pode fixar rapidamente a tensão do circuito em 24V, garantindo assim a segurança da placa de circuito.

As vantagens dos tubos TVS: 1. A velocidade de resposta é extremamente rápida (nível Ps); 2. A tensão de ruptura varia de 6.12 V a 550 V; 3. A tensão de fixação é mais precisa.

Não importa como a TV é gerada aqui, como descargas atmosféricas diretas ou indiretas, descargas eletrostáticas, comutação de carga de grande capacidade e outros fatores causam surtos. A tensão varia de alguns volts a dezenas de quilovolts ou até mais.

Sua principal função é amplificação de corrente (circuito analógico) e ação de comutação (circuito digital).

Sua característica comum é possuir três eletrodos, o que dá origem à abreviação "triodo". De modo geral, o interior do triodo é uma estrutura de três camadas composta por semicondutores do tipo P e semicondutores do tipo N, que são divididos em tipo NPN e tipo PNP de acordo com a ordem hierárquica.

Características de capacitância e temperatura parasitas do MOSFET

Quando compramos e fabricamos soluções de circuitos, muitas vezes precisamos considerar a temperatura dos componentes. Afinal, cada componente possui um limite de faixa de temperatura. Neste momento, precisamos calcular a temperatura dos componentes antes de selecionar os componentes adequados. Em seguida, os componentes originais Como calcular a mudança de temperatura, o editor abaixo compartilhará com você o método de cálculo da temperatura do componente:

Impulsionada pela crescente demanda no mercado de terminais automotivos e pela paridade de preços com o silício, a produção de carboneto de silício (SiC) está crescendo rapidamente. Milhares de módulos semicondutores de potência já são utilizados em veículos elétricos para carregamento a bordo, inversores de tração e conversão CC-CC. A maioria deles é fabricada atualmente com IGBTs à base de silício. No entanto, a transição para MOSFETs à base de SiC dobrou a densidade de potência e acelerou a velocidade de comutação em encapsulamentos menores e mais leves. Os requisitos para alta tensão e operação em ambientes quentes e severos estão se tornando cada vez mais exigentes para veículos elétricos e estações de carregamento. Contudo, devido aos custos mais elevados de fabricação e encapsulamento de materiais de banda larga, levará algum tempo para que o carboneto de silício (SiC) se consolide. Apesar disso, essa situação está mudando. Victor Veliadis, diretor executivo e diretor de tecnologia da PowerAmerica, afirmou que os preços dos módulos de potência de SiC agora são comparáveis aos dos módulos à base de silício, o que, por sua vez, promove parcerias de fornecimento e a construção de novas fábricas de SiC. Ainda há muito trabalho a ser feito. A tecnologia de wafers de SiC precisa ser atualizada. A fabricação desses dispositivos requer 20% de novas ferramentas de processo e 80% de ferramentas aprimoradas. Nosso objetivo é acelerar o ritmo de produção de dispositivos de potência integrados e discretos, e é por isso que as montadoras estão buscando a colaboração direta com as fundições, desde a fabricação do wafer até a produção do módulo.

Impulsionada pela crescente demanda no mercado de terminais automotivos e pela paridade de preços com o silício, a produção de carboneto de silício (SiC) está crescendo rapidamente. Milhares de módulos semicondutores de potência já são utilizados em veículos elétricos para carregamento a bordo, inversores de tração e conversão CC-CC. A maioria deles é fabricada atualmente com IGBTs à base de silício. No entanto, a transição para MOSFETs à base de SiC dobrou a densidade de potência e acelerou a velocidade de comutação em encapsulamentos menores e mais leves. Os requisitos para alta tensão e operação em ambientes quentes e severos estão se tornando cada vez mais exigentes para veículos elétricos e estações de carregamento. Contudo, devido aos custos mais elevados de fabricação e encapsulamento de materiais de banda larga, levará algum tempo para que o carboneto de silício (SiC) se consolide. Apesar disso, essa situação está mudando. Victor Veliadis, diretor executivo e diretor de tecnologia da PowerAmerica, afirmou que os preços dos módulos de potência de SiC agora são comparáveis aos dos módulos à base de silício, o que, por sua vez, promove parcerias de fornecimento e a construção de novas fábricas de SiC. Ainda há muito trabalho a ser feito. A tecnologia de wafers de SiC precisa ser atualizada. A fabricação desses dispositivos requer 20% de novas ferramentas de processo e 80% de ferramentas aprimoradas. Nosso objetivo é acelerar o ritmo de produção de dispositivos de potência integrados e discretos, e é por isso que as montadoras estão buscando a colaboração direta com as fundições, desde a fabricação do wafer até a produção do módulo.