La diferencia entre el IGBT discreto y el módulo IGBT puede considerarse como una mejora funcional y una actualización del IGBT discreto. Sus campos de aplicación son básicamente los mismos. Sin embargo, debido a la integración de varios controladores y circuitos de protección, la instalación del módulo IGBT es mucho más conveniente para los usuarios. Con la adopción de una nueva tecnología de encapsulado, el rendimiento del IGBT también ha mejorado considerablemente, ampliando su campo de aplicación. El módulo de potencia IGBT está controlado por circuitos integrados, diversos circuitos de control y protección, chips IGBT de alto rendimiento y una nueva tecnología de encapsulado. Desde el módulo de potencia compuesto PIM hasta el módulo de potencia inteligente IPM, el módulo de potencia PEBB y el módulo de potencia iPem. El PIM se está desarrollando en la dirección de la corriente de alto voltaje, y el nivel de producto es 1200-18

Introducción: Los dispositivos electrónicos son un sistema muy complejo. Los defectos y fallas del proceso de empaquetado también son muy complejos. Por lo tanto, la investigación de defectos y fallas de empaquetado requiere una comprensión sistemática del proceso de empaquetado, para analizar las causas de los defectos desde múltiples ángulos. 1. El mecanismo de falla de los defectos y fallas de empaquetado se puede dividir en dos categorías: estrés excesivo y desgaste. La falla por estrés excesivo suele ser instantánea y catastrófica; la pérdida por desgaste es un daño acumulativo a largo plazo. A menudo se indica primero como una degradación del rendimiento y luego el dispositivo queda inutilizable. El tipo de falla se puede dividir en cargas mecánicas, térmicas, eléctricas, de radiación y químicas. Los factores que afectan los defectos y fallas de empaquetado son diversos, incluidos los ingredientes del material.

¿Cuánto sabes sobre el encapsulado de chips? ¿Por qué se debe encapsular el chip? ¿Cuáles son los tipos de encapsulado de chips? Encapsulado de chips: En términos sencillos, consiste en colocar el circuito integrado desnudo (DIE) producido por la fundición sobre un sustrato con efecto de soporte, luego conectar el pie del tubo y finalmente fijar el encapsulado. Función del encapsulado de chips: El encapsulado de chips cumple la función de colocar, fijar, sellar y proteger el chip, además de mejorar sus propiedades eléctricas. También actúa como puente entre el mundo exterior y los circuitos externos, conectando el chip a los pines de la carcasa del encapsulado mediante cables. Estos pines se conectan a otros dispositivos a través de los cables en la placa de circuito impreso. Por lo tanto, el encapsulado desempeña un papel importante en la CPU y otros circuitos integrados LSI. Tipos de encapsulado de chips.

GD32 es un microordenador de un solo chip desarrollado en China. Se dice que el desarrollador es de ST Company y que GD32 también se fabrica con STM32 como plantilla. Por lo tanto, GD32 y STM32 son iguales en muchos lugares. Sin embargo, después de todo, GD32 es un producto diferente y es imposible seguir STM32 en todo. Algunos productos de desarrollo propio siguen siendo diferentes. No hablaremos de los mismos lugares. Aquí están los diferentes lugares.

Evolución del embalaje CIS

El radar montado en el vehículo es uno de los sensores centrales de la conducción asistida avanzada (ADAS) y la conducción no tripulada, y el chip de radar montado en el vehículo es el núcleo del radar montado en el vehículo. Hoy en día, el chip a nivel de vehículo altamente integrado (MMIC+DSP/MCU) proporciona una forma clave para la miniaturización, alta confiabilidad, estabilidad y bajo costo del radar, y su importancia es evidente.

Ahora el "punto a punto" es popular. Tomemos como ejemplo una llamada de teléfono celular y observemos todo el proceso de señal desde el teléfono celular hasta la estación base para ver para qué sirven la banda base y la RF.

Diodos TVS frente a diodos Zener: en comparación con los diodos Zener tradicionales, los diodos TVS TVS tienen un área de unión P/N más grande. Esta mejora estructural permite que los TVS tengan una mayor capacidad de resistencia a alto voltaje al tiempo que reducen la tasa de corte de voltaje, por lo que tiene una mayor

1. ¿Qué es un diodo de recuperación rápida? Los diodos de recuperación rápida se utilizan comúnmente en productos de rectificación y de rueda libre de alta frecuencia. Generalmente se utilizan para la parte de entrada del módulo de potencia, la frecuencia no es alta, no es necesario utilizar diodos de recuperación rápida,

1. Respecto a la relación entre el valor pico de la potencia absorbida de la tensión transitoria y el ancho de pulso de la tensión transitoria, el manual solo proporciona el valor pico de la potencia absorbida bajo un ancho de pulso específico, mientras que el ancho de pulso en la práctica

El protector electrostático ESD es un componente de protección antiestático contra sobretensiones que se utiliza para proteger circuitos sensibles en equipos electrónicos de la influencia de ESD (descarga electrostática), ya que el propósito es transferir la tensión ESD del componente sensible, de modo que la corriente fluya a través del componente protector en lugar del componente sensible, mientras se mantiene el bajo voltaje en el componente sensible; ESD estático El protector eléctrico también debe tener características de baja fuga y baja capacitancia, lo que no reducirá la función del circuito; no causará daños a las señales de alta velocidad y protegerá contra múltiples tensiones. La función del elemento de protección no se reducirá.

El tubo TVS es un dispositivo de protección de alta eficiencia. Cuando los dos extremos se someten a un impacto instantáneo de alta energía, el tubo TVS puede convertir instantáneamente sus características de alta resistencia en características de baja resistencia, absorber grandes corrientes y fijar el voltaje en ambos extremos del tubo TVS. A un cierto valor (el valor de tensión soportada del tubo TVS), el circuito trasero está protegido del impacto de alta energía transitoria y la seguridad del circuito está protegida. Como se muestra abajo. En pocas palabras, si el impacto de voltaje que el circuito puede soportar no es superior a 24 V CC, entonces suelde un tubo TVS de 26 V en la fuente de alimentación. Cuando el voltaje de la fuente de alimentación no supera los 26 V, el tubo TVS se encuentra en un estado de alta impedancia; Después de un pulso superior a 26 V, el tubo TVS puede fijar rápidamente el voltaje del circuito a 24 V, garantizando así la seguridad de la placa de circuito.

Las ventajas de los tubos TVS: 1. La velocidad de respuesta es extremadamente rápida (nivel Ps); 2. El voltaje de ruptura varía de 6.12 V a 550 V; 3. El voltaje de sujeción es más preciso.

No importa cómo se genere el televisor aquí, como rayos directos o indirectos, descargas electrostáticas, conmutación de carga de gran capacidad y otros factores causan sobretensiones. El voltaje varía desde unos pocos voltios hasta decenas de kilovoltios o incluso más.

Su función principal es la amplificación de corriente (circuito analógico) y la acción de conmutación (circuito digital).

Su característica común es que tiene tres electrodos, de ahí la abreviatura "triodo". En términos generales, el interior del triodo es una estructura de tres capas compuesta por semiconductores de tipo P y semiconductores de tipo N, que se dividen en tipo NPN y tipo PNP según el orden jerárquico.

Características parásitas de capacitancia y temperatura del MOSFET

Cuando compramos y fabricamos soluciones de circuitos, a menudo debemos considerar la temperatura de los componentes. Después de todo, cada componente tiene un límite de rango de temperatura. En este momento, necesitamos calcular la temperatura de los componentes antes de seleccionar los componentes adecuados. Luego, los componentes originales Cómo calcular el cambio de temperatura, el siguiente editor compartirá con usted el método de cálculo de la temperatura del componente:

Impulsada por la creciente demanda en el mercado de terminales automotrices y la paridad de precios con el silicio, la producción de carburo de silicio (SiC) está creciendo rápidamente. Miles de módulos semiconductores de potencia ya se han utilizado en vehículos eléctricos para carga a bordo, inversores de tracción y conversión CC-CC. La mayoría de ellos se fabrican actualmente con IGBT basados en silicio. Sin embargo, el cambio a MOSFET basados en SiC ha duplicado la densidad de potencia y acelerado la velocidad de conmutación en paquetes más pequeños y ligeros. Los requisitos de alto voltaje y operación en entornos calientes y hostiles son cada vez más exigentes para los vehículos eléctricos y las estaciones de carga. Sin embargo, debido a los mayores costos de fabricación y empaquetado de los materiales de banda prohibida ancha, el carburo de silicio (SiC) tardará algún tiempo en consolidarse. No obstante, esta situación está cambiando. Victor Veliadis, director ejecutivo y director de tecnología de PowerAmerica, afirmó que los precios de los módulos de potencia de SiC son ahora comparables a los de los módulos basados en silicio, lo que a su vez fomenta las alianzas de suministro y la construcción de nuevas fábricas de SiC. Aún queda mucho trabajo por hacer. La tecnología de obleas de SiC necesita modernizarse. La fabricación de estos dispositivos requiere un 20 % de herramientas de proceso nuevas y un 80 % de herramientas mejoradas. Nuestro objetivo es acelerar la producción de dispositivos de potencia integrados y discretos, razón por la cual los fabricantes de automóviles están recurriendo a la colaboración directa con las fundiciones, desde la oblea hasta el módulo.

Impulsada por la creciente demanda en el mercado de terminales automotrices y la paridad de precios con el silicio, la producción de carburo de silicio (SiC) está creciendo rápidamente. Miles de módulos semiconductores de potencia ya se han utilizado en vehículos eléctricos para carga a bordo, inversores de tracción y conversión CC-CC. La mayoría de ellos se fabrican actualmente con IGBT basados en silicio. Sin embargo, el cambio a MOSFET basados en SiC ha duplicado la densidad de potencia y acelerado la velocidad de conmutación en paquetes más pequeños y ligeros. Los requisitos de alto voltaje y operación en entornos calientes y hostiles son cada vez más exigentes para los vehículos eléctricos y las estaciones de carga. Sin embargo, debido a los mayores costos de fabricación y empaquetado de los materiales de banda prohibida ancha, el carburo de silicio (SiC) tardará algún tiempo en consolidarse. No obstante, esta situación está cambiando. Victor Veliadis, director ejecutivo y director de tecnología de PowerAmerica, afirmó que los precios de los módulos de potencia de SiC son ahora comparables a los de los módulos basados en silicio, lo que a su vez fomenta las alianzas de suministro y la construcción de nuevas fábricas de SiC. Aún queda mucho trabajo por hacer. La tecnología de obleas de SiC necesita modernizarse. La fabricación de estos dispositivos requiere un 20 % de herramientas de proceso nuevas y un 80 % de herramientas mejoradas. Nuestro objetivo es acelerar la producción de dispositivos de potencia integrados y discretos, razón por la cual los fabricantes de automóviles están recurriendo a la colaboración directa con las fundiciones, desde la oblea hasta el módulo.