La différence entre un IGBT discret et un module IGBT réside dans le fait que le module IGBT représente une amélioration fonctionnelle et une mise à niveau de l'IGBT discret. Leurs domaines d'application sont globalement les mêmes. Cependant, grâce à l'intégration de divers circuits de commande et de protection, l'installation du module IGBT est grandement facilitée. L'adoption de nouvelles technologies de packaging a également permis d'améliorer considérablement les performances de l'IGBT, élargissant ainsi son champ d'application. Le module de puissance IGBT est piloté par un circuit intégré, intègre divers circuits de commande et de protection, des puces IGBT hautes performances et bénéficie de nouvelles technologies de packaging. On trouve ainsi des modules allant du module de puissance composite PIM au module de puissance intelligent IPM, en passant par le module de puissance électronique PEBB et le module de puissance iPem. Le PIM évolue vers des tensions et des courants élevés, avec un niveau de produit de 1200 à 18 V.

Introduction : Les dispositifs électroniques constituent un système très complexe. Les défauts et défaillances liés au processus d'encapsulation le sont tout autant. Par conséquent, l'étude des défauts et défaillances d'encapsulation nécessite une compréhension systématique du processus d'encapsulation, afin d'analyser les causes des défauts sous de multiples angles. 1. Les mécanismes de défaillance des dispositifs et défaillances d'encapsulation peuvent être classés en deux catégories : contraintes excessives et usure. La défaillance par contrainte excessive est souvent instantanée et catastrophique ; l'usure par abrasion est un dommage cumulatif à long terme. Elle se manifeste souvent d'abord par une dégradation des performances, puis rend le dispositif inutilisable. Les types de défaillance peuvent être classés en contraintes mécaniques, thermiques, électriques, radiatives et chimiques. Les facteurs affectant les défauts et défaillances d'encapsulation sont divers, notamment les composants des matériaux.

Que savez-vous du packaging des puces ? Pourquoi encapsuler une puce ? Quels sont les différents types de packaging ? Le packaging consiste à placer le circuit intégré nu (DIE) produit par la fonderie sur un substrat porteur, à y connecter les plots de connexion, puis à fixer le tout dans un boîtier. Le packaging assure le placement, la fixation, l'étanchéité et la protection de la puce, tout en améliorant ses propriétés électriques. Il sert également d'interface entre la puce et les circuits externes : les broches du boîtier sont connectées par des fils. Ces broches sont ensuite reliées à d'autres composants par des pistes sur le circuit imprimé. Le packaging joue donc un rôle essentiel dans les processeurs et autres circuits intégrés à grande échelle (LSI). Il existe différents types de packaging pour les puces.

GD32 est un micro-ordinateur monopuce développé en Chine. On dit que le développeur appartient à la société ST et que GD32 est également créé avec STM32 comme modèle. Par conséquent, GD32 et STM32 sont les mêmes à de nombreux endroits. Cependant, GD32 est un produit différent après tout, et il est impossible de suivre STM32 pour tout. Certains produits auto-développés sont encore différents. Nous ne parlerons pas des mêmes endroits. Voici les différents endroits.

Evolution des emballages CIS

Le radar embarqué est l'un des principaux capteurs de la conduite assistée avancée (ADAS) et de la conduite sans pilote, et la puce radar embarquée est le cœur du radar embarqué. De nos jours, la puce hautement intégrée (MMIC+DSP/MCU) au niveau du véhicule constitue un moyen clé pour la miniaturisation, la haute fiabilité, la stabilité et le faible coût du radar, et son importance est évidente.

Désormais, le « bout en bout » est populaire. Prenons l'exemple d'un appel téléphonique et observons l'ensemble du processus de transmission du signal du téléphone portable à la station de base pour voir à quoi servent la bande de base et la RF.

Diodes TVS vs diodes Zener : par rapport aux diodes Zener traditionnelles, les diodes TVS TVS ont une zone de jonction P/N plus grande. Cette amélioration structurelle permet au TVS d'avoir une plus grande capacité de tenue à haute tension tout en réduisant le taux de coupure de tension.

1. Qu'est-ce qu'une diode à récupération rapide ? Les diodes à récupération rapide sont couramment utilisées dans les systèmes de redressement haute fréquence et les dispositifs de roue libre. Elles sont généralement utilisées à l'entrée des modules de puissance lorsque la fréquence n'est pas élevée ; dans ce cas, l'utilisation de diodes à récupération rapide n'est pas nécessaire.

1. Concernant la relation entre la valeur de crête de la puissance absorbée par la tension transitoire et la largeur d'impulsion de cette tension, le manuel ne donne que la valeur de crête de la puissance absorbée pour une largeur d'impulsion spécifique, alors que la largeur d'impulsion réelle dépend de la puissance absorbée.

Le protecteur électrostatique ESD est un composant de protection antistatique contre les surtensions, utilisé pour protéger les circuits sensibles des équipements électroniques contre l'influence des ESD (décharges électrostatiques), car le but est de transférer la contrainte ESD du composant sensible, de sorte que le courant circule à travers le composant de protection au lieu du composant sensible, tout en maintenant la basse tension sur le composant sensible ; ESD statiqueLe protecteur électrique doit également avoir des caractéristiques de faible fuite et de faible capacité, ce qui ne réduira pas la fonction du circuit ; n'endommagera pas les signaux à grande vitesse et protégera contre les contraintes multiples. La fonction de l'élément de protection ne sera pas réduite.

Le tube TVS est un dispositif de protection à haut rendement. Lorsque les deux extrémités sont soumises à un impact instantané à haute énergie, le tube TVS peut instantanément convertir ses caractéristiques de haute résistance en caractéristiques de faible résistance, absorber des courants importants et fixer la tension aux deux extrémités du tube TVS. À une certaine valeur (la valeur de tension de tenue du tube TVS), le circuit arrière est protégé de l'impact des hautes énergies transitoires et la sécurité du circuit est protégée. Comme indiqué ci-dessous. Pour faire simple, si l'impact de tension que le circuit peut supporter n'est pas supérieur à DC24V, alors soudez un tube TVS 26V au niveau de l'alimentation. Lorsque la tension d'alimentation ne dépasse pas 26 V, le tube TVS est dans un état de haute impédance ; Après une impulsion supérieure à 26 V, le tube TVS peut rapidement maintenir la tension du circuit à 24 V, assurant ainsi la sécurité du circuit imprimé.

Les avantages des tubes TVS : 1. La vitesse de réponse est extrêmement rapide (niveau Ps) ; 2. La tension de claquage varie de 6.12 V à 550 V ; 3. La tension de serrage est plus précise.

Quelle que soit la manière dont le téléviseur est généré ici, comme les coups de foudre directs ou indirects, les décharges électrostatiques, les commutations de charge de grande capacité et d'autres facteurs provoquent des surtensions. La tension varie de quelques volts à des dizaines de kilovolts, voire plus.

Sa fonction principale est l'amplification du courant (circuit analogique) et l'action de commutation (circuit numérique).

Sa particularité commune est qu'il possède trois électrodes, ce qui est à l'origine de l'abréviation « triode ». D'une manière générale, l'intérieur de la triode est une structure à trois couches composée de semi-conducteurs de type P et de semi-conducteurs de type N, qui sont divisés en type NPN et type PNP selon l'ordre hiérarchique.

Caractéristiques parasites de capacité et de température du MOSFET

Lorsque nous achetons et fabriquons des solutions de circuits, nous devons souvent prendre en compte la température des composants. Après tout, chaque composant a une limite de plage de température. À ce stade, nous devons calculer la température des composants avant de sélectionner les composants appropriés. Ensuite les composants d'origine Comment calculer le changement de température, l'éditeur ci-dessous partagera avec vous la méthode de calcul de la température des composants :

Portée par la demande croissante du marché des terminaux automobiles et la parité des prix avec le silicium, la production de carbure de silicium (SiC) connaît une croissance rapide. Des milliers de modules semi-conducteurs de puissance sont déjà utilisés dans les véhicules électriques pour la recharge embarquée, les onduleurs de traction et la conversion CC-CC. La plupart sont actuellement fabriqués à partir d'IGBT à base de silicium. Cependant, le passage aux MOSFET à base de SiC a permis de doubler la densité de puissance et d'accélérer la vitesse de commutation dans des boîtiers plus petits et plus légers. Les exigences en matière de haute tension et de fonctionnement dans des environnements chauds et difficiles sont de plus en plus contraignantes pour les véhicules électriques et les bornes de recharge. Toutefois, en raison des coûts de fabrication et d'encapsulation plus élevés des matériaux à large bande interdite, le carbure de silicium (SiC) mettra du temps à s'imposer durablement. Néanmoins, la situation évolue. Victor Veliadis, directeur exécutif et directeur technique de PowerAmerica, a déclaré que les prix des modules de puissance en SiC sont désormais comparables à ceux des modules à base de silicium, ce qui favorise les partenariats d'approvisionnement et la construction de nouvelles usines de SiC. Il reste encore beaucoup à faire. La technologie des plaquettes de silicium-carbone (SiC) nécessite une mise à niveau. La fabrication de ces composants requiert 20 % de nouveaux outils de production et 80 % d'outils améliorés. Notre objectif est d'accélérer la cadence de production des dispositifs de puissance intégrés et discrets, ce qui explique pourquoi les constructeurs automobiles se tournent vers une collaboration directe avec les fonderies, de la plaquette au module.

Portée par la demande croissante du marché des terminaux automobiles et la parité des prix avec le silicium, la production de carbure de silicium (SiC) connaît une croissance rapide. Des milliers de modules semi-conducteurs de puissance sont déjà utilisés dans les véhicules électriques pour la recharge embarquée, les onduleurs de traction et la conversion CC-CC. La plupart sont actuellement fabriqués à partir d'IGBT à base de silicium. Cependant, le passage aux MOSFET à base de SiC a permis de doubler la densité de puissance et d'accélérer la vitesse de commutation dans des boîtiers plus petits et plus légers. Les exigences en matière de haute tension et de fonctionnement dans des environnements chauds et difficiles sont de plus en plus contraignantes pour les véhicules électriques et les bornes de recharge. Toutefois, en raison des coûts de fabrication et d'encapsulation plus élevés des matériaux à large bande interdite, le carbure de silicium (SiC) mettra du temps à s'imposer durablement. Néanmoins, la situation évolue. Victor Veliadis, directeur exécutif et directeur technique de PowerAmerica, a déclaré que les prix des modules de puissance en SiC sont désormais comparables à ceux des modules à base de silicium, ce qui favorise les partenariats d'approvisionnement et la construction de nouvelles usines de SiC. Il reste encore beaucoup à faire. La technologie des plaquettes de silicium-carbone (SiC) nécessite une mise à niveau. La fabrication de ces composants requiert 20 % de nouveaux outils de production et 80 % d'outils améliorés. Notre objectif est d'accélérer la cadence de production des dispositifs de puissance intégrés et discrets, ce qui explique pourquoi les constructeurs automobiles se tournent vers une collaboration directe avec les fonderies, de la plaquette au module.