الفرق بين ترانزستور IGBT المنفصل ووحدة IGBT: يمكن اعتبار وحدة IGBT بمثابة تحسين وظيفي وتطوير لترانزستور IGBT المنفصل. مجالات استخدامهما متشابهة بشكل أساسي. ومع ذلك، وبفضل دمج دوائر القيادة والحماية المختلفة، أصبح تركيب وحدة IGBT أكثر سهولة للمستخدمين. ومع اعتماد تقنية تغليف جديدة، تحسن أداء IGBT بشكل كبير، مما وسّع نطاق استخدامه. تعتمد وحدة طاقة IGBT على دوائر متكاملة، ودوائر حماية متنوعة، ورقائق IGBT عالية الأداء، وتقنية تغليف جديدة. تتنوع هذه الوحدات من وحدة الطاقة المركبة PIM إلى وحدة الطاقة الذكية IPM، ووحدة الطاقة الإلكترونية PEBB، ووحدة الطاقة iPEM. تتطور وحدة PIM باتجاه الجهد العالي والتيار العالي، ويبلغ مستوى المنتج 1200-18

مقدمة: تُعدّ الأجهزة الإلكترونية أنظمة بالغة التعقيد، وكذلك عيوب وأعطال عملية التغليف. لذا، يتطلب البحث في عيوب وأعطال التغليف فهمًا منهجيًا لعملية التغليف، وذلك لتحليل أسباب العيوب من زوايا متعددة. 1. يمكن تقسيم آلية فشل عيوب التغليف إلى فئتين: الإجهاد المفرط والتآكل. غالبًا ما يكون فشل الإجهاد المفرط فوريًا وكارثيًا، بينما يُعدّ التآكل ضررًا تراكميًا طويل الأمد. غالبًا ما يُشار إليه أولًا بتدهور الأداء، ثم يصبح الجهاز غير صالح للاستخدام. يمكن تقسيم نوع الفشل إلى أحمال ميكانيكية، وحرارية، وكهربائية، وإشعاعية، وكيميائية. تتنوع العوامل المؤثرة على عيوب وأعطال التغليف، بما في ذلك مكونات المواد.

ما مدى معرفتك بتغليف الرقائق الإلكترونية؟ لماذا يجب تغليف الرقاقة؟ ما هي أنواع تغليف الرقائق؟ تغليف الرقائق: ببساطة، هو وضع رقاقة الدائرة المتكاملة (DIE) المصنعة من قبل شركة تصنيع الرقائق على ركيزة ذات تأثير داعم، ثم يتم تثبيت قاعدة التغليف، ثم يتم تثبيت الرقاقة في غلافها. وظيفة تغليف الرقائق: يلعب تغليف الرقائق دورًا هامًا في وضع الرقاقة وتثبيتها وحمايتها، بالإضافة إلى تحسين خصائصها الكهربائية. كما أنه يمثل حلقة الوصل بين الدوائر الداخلية والخارجية، حيث يتم توصيل الرقاقة بدبابيس غلاف التغليف عبر أسلاك. تتصل هذه الدبابيس بالأجهزة الأخرى عبر الأسلاك الموجودة على اللوحة المطبوعة. لذلك، يلعب التغليف دورًا هامًا في وحدة المعالجة المركزية (CPU) وغيرها من الدوائر المتكاملة واسعة النطاق (LSI). أنواع تغليف الرقائق

GD32 هو حاسوب صغير ذو شريحة واحدة تم تطويره في الصين. يُقال أن المطور من شركة ST، وأن GD32 مصنوع أيضًا باستخدام STM32 كقالب. لذلك، GD32 وSTM32 متماثلان في العديد من الأماكن. ومع ذلك، GD32 منتج مختلف بعد كل شيء، ومن المستحيل اتباع STM32 في كل شيء. لا تزال بعض المنتجات المطورة ذاتيًا مختلفة. ولن نتحدث عن نفس الأماكن. وهنا أماكن مختلفة.

تطور التعبئة والتغليف في رابطة الدول المستقلة

يعد الرادار المثبت على السيارة أحد أجهزة الاستشعار الأساسية للقيادة المساعدة المتقدمة (ADAS) والقيادة بدون طيار، كما أن شريحة الرادار المثبتة على السيارة هي جوهر الرادار المثبت على السيارة. في الوقت الحاضر، توفر شريحة مستوى السيارة المتكاملة للغاية (MMIC+DSP/MCU) طريقة رئيسية للتصغير والموثوقية العالية والاستقرار والتكلفة المنخفضة للرادار، وأهميتها واضحة بذاتها.

الآن أصبح "النهاية إلى النهاية" شائعًا. لنأخذ مكالمة هاتفية خلوية كمثال ونراقب العملية الكاملة للإشارة من الهاتف الخليوي إلى المحطة الأساسية لمعرفة الغرض من النطاق الأساسي والتردد اللاسلكي.

الثنائيات TVS مقابل الثنائيات Zener: بالمقارنة مع الثنائيات Zener التقليدية، تحتوي الثنائيات TVS TVS على مساحة توصيل P/N أكبر. يتيح هذا التحسين الهيكلي لأجهزة TVS أن تتمتع بقدرة أقوى على تحمل الجهد العالي مع تقليل معدل قطع الجهد، لذلك فقد حدث ذلك

1. ما هو الصمام الثنائي سريع الاسترداد؟ تُستخدم الصمامات الثنائية سريعة الاسترداد عادةً في منتجات تقويم التيار عالي التردد ومنتجات التحرر. تُستخدم عمومًا في جزء الإدخال من وحدة الطاقة، حيث لا يكون التردد عاليًا، وبالتالي لا حاجة لاستخدام الصمامات الثنائية سريعة الاسترداد.

1. فيما يتعلق بالعلاقة بين القيمة القصوى للطاقة الممتصة للجهد العابر وعرض نبضة الجهد العابر، فإن الدليل لا يذكر سوى القيمة القصوى للطاقة الممتصة عند عرض نبضة محدد، بينما يختلف عرض النبضة في الواقع

حامي الكهروستاتيكي ESD هو مكون حماية من الجهد الزائد ومضاد للكهرباء الساكنة، يستخدم لحماية الدوائر الحساسة في المعدات الإلكترونية من تأثير ESD (التفريغ الكهروستاتيكي)، والغرض هو نقل إجهاد ESD من المكون الحساس، بحيث يتدفق التيار عبر المكون الواقي بدلاً من المكون الحساس، مع الحفاظ على الجهد المنخفض على المكون الحساس؛ يجب أن يتمتع الحامي الكهربائي أيضًا بخصائص تسرب منخفضة وسعة منخفضة، مما لن يقلل من وظيفة الدائرة؛ لن يتسبب في تلف الإشارات عالية السرعة، وسيحمي من الضغوط المتعددة. لن يتم تقليل وظيفة عنصر الحماية.

أنبوب TVS هو جهاز حماية عالي الكفاءة. عندما يتعرض الطرفان لتأثير لحظي عالي الطاقة، يمكن لأنبوب TVS تحويل خصائص المقاومة العالية على الفور إلى خصائص مقاومة منخفضة، وامتصاص التيارات الكبيرة، وتثبيت الجهد عند طرفي أنبوب TVS. عند قيمة معينة (قيمة جهد الصمود لأنبوب TVS)، تكون الدائرة الخلفية محمية من تأثير الطاقة العالية العابرة ويتم حماية سلامة الدائرة. كما هو مبين أدناه. بكل بساطة، إذا كان تأثير الجهد الذي يمكن أن تتحمله الدائرة ليس أعلى من DC24V، فقم بلحام أنبوب TVS 26V في مصدر الطاقة. عندما لا يتجاوز جهد مصدر الطاقة 26 فولت، يكون أنبوب TVS في حالة مقاومة عالية؛ بعد نبضة أعلى من 26V، يمكن لأنبوب TVS تثبيت جهد الدائرة بسرعة إلى 24V، وبالتالي ضمان سلامة لوحة الدائرة.

مزايا أنابيب TVS: 1. سرعة الاستجابة سريعة للغاية (مستوى Ps)؛ 2. يتراوح جهد الانهيار من 6.12V إلى 550V؛ 3. جهد التثبيت أكثر دقة.

بغض النظر عن كيفية إنشاء التلفزيون هنا، مثل ضربات البرق المباشرة أو غير المباشرة، والتفريغ الكهروستاتيكي، وتبديل الحمل ذو السعة الكبيرة وعوامل أخرى تسبب حدوث زيادات. ويتراوح الجهد من بضعة فولت إلى عشرات الكيلوفولت أو حتى أعلى.

وتتمثل وظيفتها الرئيسية في تضخيم التيار (الدائرة التناظرية) وعمل التبديل (الدائرة الرقمية).

السمة المشتركة لها هي أنها تحتوي على ثلاثة أقطاب كهربائية، وهو أصل اختصار "الصمام الثلاثي". بشكل عام، الجزء الداخلي للصمام الثلاثي عبارة عن هيكل ثلاثي الطبقات يتكون من أشباه الموصلات من النوع P وأشباه الموصلات من النوع N، والتي تنقسم إلى نوع NPN ونوع PNP وفقًا للترتيب الهرمي.

السعة الطفيلية وخصائص درجة الحرارة للMOSFET

عندما نشتري ونصنع حلولاً للدوائر، غالبًا ما نحتاج إلى مراعاة درجة حرارة المكونات. بعد كل شيء، كل مكون لديه حد لنطاق درجة الحرارة. في هذا الوقت، نحن بحاجة لحساب درجة حرارة المكونات قبل اختيار المكونات المناسبة. ثم المكونات الأصلية كيفية حساب التغير في درجة الحرارة، سيشارككم المحرر أدناه طريقة حساب درجة حرارة المكون:

مدفوعًا بالطلب المتزايد في سوق محطات الطاقة للسيارات، وتكافؤ الأسعار مع السيليكون، يشهد إنتاج كربيد السيليكون (SiC) نموًا سريعًا. وقد استُخدمت بالفعل آلاف وحدات أشباه الموصلات للطاقة في المركبات الكهربائية لشحنها، ومحولات الجر، وتحويل التيار المستمر. ويتم تصنيع معظمها حاليًا باستخدام ترانزستورات IGBT المصنوعة من السيليكون. إلا أن التحول إلى ترانزستورات MOSFET المصنوعة من كربيد السيليكون قد ضاعف كثافة الطاقة وسرّع سرعة التبديل في عبوات أصغر حجمًا وأخف وزنًا. وتزداد متطلبات الجهد العالي والتشغيل في البيئات الحارة والقاسية أهميةً بالنسبة للمركبات الكهربائية ومحطات الشحن. ومع ذلك، ونظرًا لارتفاع تكاليف تصنيع وتغليف المواد ذات فجوة النطاق الواسعة، سيستغرق الأمر بعض الوقت قبل أن يكتسب كربيد السيليكون (SiC) مكانةً راسخة. ومع ذلك، فإن هذا الوضع آخذ في التغير. فقد صرّح فيكتور فيلياديس، المدير التنفيذي وكبير مسؤولي التكنولوجيا في شركة باور أمريكا، بأن أسعار وحدات طاقة كربيد السيليكون أصبحت الآن مماثلة لأسعار الوحدات المصنوعة من السيليكون، مما يشجع بدوره على إقامة شراكات التوريد وبناء مصانع جديدة لكربيد السيليكون. لا يزال أمامنا الكثير من العمل. فتقنية رقائق كربيد السيليكون بحاجة إلى تطوير. ويتطلب تصنيع هذه الأجهزة 20% من أدوات المعالجة الجديدة و80% من الأدوات المُحسّنة. هدفنا هو تسريع وتيرة إنتاج أجهزة الطاقة المتكاملة والمنفصلة، ولذلك يتجه مصنّعو السيارات إلى التعاون المباشر مع مصانع الرقائق، بدءًا من تصنيع الرقائق وصولًا إلى تصنيع الوحدات.

مدفوعًا بالطلب المتزايد في سوق محطات الطاقة للسيارات، وتكافؤ الأسعار مع السيليكون، يشهد إنتاج كربيد السيليكون (SiC) نموًا سريعًا. وقد استُخدمت بالفعل آلاف وحدات أشباه الموصلات للطاقة في المركبات الكهربائية لشحنها، ومحولات الجر، وتحويل التيار المستمر. ويتم تصنيع معظمها حاليًا باستخدام ترانزستورات IGBT المصنوعة من السيليكون. إلا أن التحول إلى ترانزستورات MOSFET المصنوعة من كربيد السيليكون قد ضاعف كثافة الطاقة وسرّع سرعة التبديل في عبوات أصغر حجمًا وأخف وزنًا. وتزداد متطلبات الجهد العالي والتشغيل في البيئات الحارة والقاسية أهميةً بالنسبة للمركبات الكهربائية ومحطات الشحن. ومع ذلك، ونظرًا لارتفاع تكاليف تصنيع وتغليف المواد ذات فجوة النطاق الواسعة، سيستغرق الأمر بعض الوقت قبل أن يكتسب كربيد السيليكون (SiC) مكانةً راسخة. ومع ذلك، فإن هذا الوضع آخذ في التغير. فقد صرّح فيكتور فيلياديس، المدير التنفيذي وكبير مسؤولي التكنولوجيا في شركة باور أمريكا، بأن أسعار وحدات طاقة كربيد السيليكون أصبحت الآن مماثلة لأسعار الوحدات المصنوعة من السيليكون، مما يشجع بدوره على إقامة شراكات التوريد وبناء مصانع جديدة لكربيد السيليكون. لا يزال أمامنا الكثير من العمل. فتقنية رقائق كربيد السيليكون بحاجة إلى تطوير. ويتطلب تصنيع هذه الأجهزة 20% من أدوات المعالجة الجديدة و80% من الأدوات المُحسّنة. هدفنا هو تسريع وتيرة إنتاج أجهزة الطاقة المتكاملة والمنفصلة، ولذلك يتجه مصنّعو السيارات إلى التعاون المباشر مع مصانع الرقائق، بدءًا من تصنيع الرقائق وصولًا إلى تصنيع الوحدات.