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解決方案
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IGBT分立元件和IGBT模組的區別
2022-03-17
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IGBT分體和IGBT模組的差別在於，IGBT模組可以看作是IGBT分體的功能改進和升級。它們的應用領域基本上相同。然而，由於整合了各種驅動電路和保護電路，IGBT模組的安裝對使用者來說更加便捷。隨著新型封裝技術的應用，IGBT的性能也得到了極大的提升，從而拓展了IGBT的應用領域。 IGBT功率模組由IC驅動，整合了各種驅動保護電路、高效能IGBT晶片以及新型封裝技術。其發展歷程從複合功率模組PIM到智慧功率模組IPM、電子電氣一體化PEBB以及功率模組iPem。 PIM正朝著高壓大電流方向發展，產品等級為1200-18。
電子封裝的可靠度｜封裝缺陷與失效的表現形式
2022-03-17
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引言：電子設備是一個非常複雜的系統，其封裝過程中的缺陷和失效也十分複雜。因此，研究封裝缺陷和失效需要有系統地了解封裝過程，以便從多個角度分析缺陷原因。 1. 封裝缺陷和失效的失效機制可分為兩類：過應力失效和磨損失效。過應力失效通常是瞬時發生的災難性失效；磨損失效則是長期累積性損傷，通常首先表現為性能下降，然後裝置失效。失效類型可分為機械、熱、電、輻射和化學負荷等。影響封裝缺陷和失效的因素多種多樣，包括材料成分等。
晶片封裝類型總結-你用過嗎？
2022-03-17
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您對晶片封裝了解多少？為什麼要封裝晶片？晶片封裝有哪些類型？晶片封裝：簡單來說，就是將代工廠生產的裸晶片（DIE）放置在基板上，利用其承載作用，然後引出接腳，最後將封裝體固定成一個整體。晶片封裝的功能：晶片封裝起到放置、固定、密封、保護晶片和增強其電氣性能的作用，同時也是晶片與外部電路之間的橋樑。晶片透過導線連接到封裝外殼的引腳，這些引腳再透過導線連接到印刷電路板上的其他裝置。因此，封裝在CPU和其他LSI積體電路中起著至關重要的作用。晶片封裝類型
想用GD32取代STM32嗎？這些細節必須知道
2022-03-17
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GD32是我國研發的單晶片。據說開發者來自ST公司，GD32也是以STM32為模板製作的。因此，GD32和STM32很多地方是相同的。有些自主研發的產品還是有差別的，相同的地方我們就不多說了。以下是不同的地方。
TI第二代雷達晶片深度剖析
2022-03-17
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車載雷達是高級輔助駕駛（ADAS）和無人駕駛的核心感測器之一，而車載雷達晶片是車載雷達的核心。如今，高整合度（MMIC+DSP/MCU）車規級晶片為雷達小型化、高可靠、穩定、低成本提供了關鍵途徑，其重要性不言而喻。
TVS二極體與其他同類產品相比有哪些優勢？
2022-11-09
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TVS 二極體與齊納二極體：與傳統齊納二極體相比，TVS 瞬態抑制二極體具有更大的 P/N 結面積。這種結構上的改進使得TVS具有更強的耐高壓能力，同時降低了電壓截止率，因此具有
ESD靜電保護器的產品特性及選用
2022-11-17
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ESD靜電保護器是一種過壓、防靜電的保護元件，用於保護電子設備中的敏感電路免受ESD（靜電放電）的影響，其目的是將ESD應力從敏感元件上轉移出去，使電流流經保護元件而不是敏感元件，同時保持敏感元件上的低電壓；ESD靜電保護器還應具有低應力
TVS二極體的作用是什麼？
2022-11-18
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TVS管是一種高效率的保護裝置。當兩端受到瞬時高能量衝擊時，TVS管能瞬間將其高電阻特性轉變為低電阻特性，吸收大電流，箝位TVS管兩端電壓。在一定值（TVS管的耐壓值）下，保護後級電路免受瞬態高能量的衝擊，保護電路的安全。如下圖所示。簡單來說，如果電路能承受的電壓衝擊不高於DC24V，那麼就在電源處焊接一個26V的TVS管。當電源電壓不超過26V時，TVS管處於高電阻狀態；當高於26V的脈衝後，TVS管能快速將電路電壓箝位至24V，從而確保電路板的安全。
電晶體基礎知識及工作原理
2022-12-07
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它的共同特點是具有三個電極，這就是縮寫“三極管”的由來。一般來說，三極管內部是由P型半導體和N型半導體組成的三層結構，依層次順序分為NPN型和PNP型。
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功率半導體迎來SiC時代（上）
2023-09-05
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受汽車終端市場需求成長和與矽價格持平的推動，碳化矽 (SiC) 的生產正在快速發展。數以千計的功率半導體模組已被應用於電動車的車載充電、牽引逆變器和直流-直流轉換等領域。目前，這些模組大多採用矽基 IGBT 製造。然而，向 SiC 基 MOSFET 的轉變，使得功率密度翻倍，開關速度更快，封裝尺寸更小、重量更輕。電動車和充電站對高電壓以及高溫惡劣環境下的運作要求日益提高。然而，由於寬禁帶材料的製造和封裝成本較高，碳化矽 (SiC) 的市場地位仍需一段時間才能穩固確立。儘管如此，這種情況正在改變。 PowerAmerica 執行董事兼技術長 Victor Veliadis 表示，SiC 功率模組的價格現在已與矽基模組相當，這反過來又促進了供應合作夥伴關係的建立和新 SiC 工廠的建設。但仍有許多工作要做。碳化矽晶圓技術亟需升級。製造這些裝置需要20%的新型製程設備和80%的改良型設備。我們的目標是加快整合和分離式功率裝置的周轉速度，因此汽車製造商正轉向與代工廠開展從晶圓到模組的直接合作。
功率半導體迎來SiC時代（下）
2023-09-05
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受汽車終端市場需求成長和與矽價格持平的推動，碳化矽 (SiC) 的生產正在快速發展。數以千計的功率半導體模組已被應用於電動車的車載充電、牽引逆變器和直流-直流轉換等領域。目前，這些模組大多採用矽基 IGBT 製造。然而，向 SiC 基 MOSFET 的轉變，使得功率密度翻倍，開關速度更快，封裝尺寸更小、重量更輕。電動車和充電站對高電壓以及高溫惡劣環境下的運作要求日益提高。然而，由於寬禁帶材料的製造和封裝成本較高，碳化矽 (SiC) 的市場地位仍需一段時間才能穩固確立。儘管如此，這種情況正在改變。 PowerAmerica 執行董事兼技術長 Victor Veliadis 表示，SiC 功率模組的價格現在已與矽基模組相當，這反過來又促進了供應合作夥伴關係的建立和新 SiC 工廠的建設。但仍有許多工作要做。碳化矽晶圓技術亟需升級。製造這些裝置需要20%的新型製程設備和80%的改良型設備。我們的目標是加快整合和分離式功率裝置的周轉速度，因此汽車製造商正轉向與代工廠開展從晶圓到模組的直接合作。
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