डिस्क्रीट आईजीबीटी और आईजीबीटी मॉड्यूल में अंतर यह है कि आईजीबीटी मॉड्यूल को डिस्क्रीट आईजीबीटी का कार्यात्मक सुधार और अपग्रेड माना जा सकता है। इनके अनुप्रयोग क्षेत्र मूलतः समान हैं। हालांकि, विभिन्न ड्राइवर और सुरक्षा सर्किट के एकीकरण के कारण, आईजीबीटी मॉड्यूल की स्थापना उपयोगकर्ताओं के लिए बहुत सुविधाजनक हो गई है। नई पैकेजिंग तकनीक को अपनाने से आईजीबीटी का प्रदर्शन भी काफी बेहतर हुआ है, जिससे आईजीबीटी के अनुप्रयोग क्षेत्र का विस्तार हुआ है। आईजीबीटी पावर मॉड्यूल आईसी, विभिन्न ड्राइविंग सुरक्षा सर्किट, उच्च-प्रदर्शन आईजीबीटी चिप्स और नई पैकेजिंग तकनीक द्वारा संचालित होता है। इसमें कंपोजिट पावर मॉड्यूल (पीआईएम) से लेकर स्मार्ट पावर मॉड्यूल (आईपीएम), इलेक्ट्रॉनिक बिल्डिंग (पीईबीबी) और पावर मॉड्यूल (आईपीईएम) तक शामिल हैं। पीआईएम उच्च-वोल्टेज करंट की दिशा में विकसित हो रहा है, और उत्पाद स्तर 1200-18 है।

परिचय: इलेक्ट्रॉनिक उपकरण एक अत्यंत जटिल प्रणाली हैं। पैकेजिंग प्रक्रिया में होने वाली कमियां और विफलताएं भी बहुत जटिल होती हैं। इसलिए, पैकेजिंग दोषों और विफलताओं पर शोध के लिए पैकेजिंग प्रक्रिया की व्यवस्थित समझ होना आवश्यक है, ताकि दोषों के कारणों का कई कोणों से विश्लेषण किया जा सके। 1. पैकेजिंग दोषों और विफलताओं की विफलता प्रक्रिया को दो श्रेणियों में विभाजित किया जा सकता है: अत्यधिक तनाव और घिसाव। अत्यधिक तनाव के कारण होने वाली विफलता अक्सर तात्कालिक और विनाशकारी होती है; घिसाव के कारण होने वाली हानि दीर्घकालिक संचयी क्षति है। यह अक्सर पहले प्रदर्शन में गिरावट के रूप में दिखाई देती है, और फिर उपकरण बेकार हो जाता है। विफलता के प्रकार को यांत्रिक, ऊष्मीय, विद्युत, विकिरण और रासायनिक भार में विभाजित किया जा सकता है। पैकेजिंग दोषों और विफलताओं को प्रभावित करने वाले कारक विविध हैं, जिनमें सामग्री घटक भी शामिल हैं।

चिप पैकेजिंग के बारे में आप कितना जानते हैं? चिप को एनकैप्सुलेट क्यों किया जाना चाहिए? चिप पैकेजिंग के प्रकार क्या हैं? चिप पैकेजिंग: सरल शब्दों में, फाउंड्री द्वारा उत्पादित इंटीग्रेटेड सर्किट (DIE) को बेयरिंग इफेक्ट वाले सबस्ट्रेट पर रखना, फिर ट्यूब फुट लगाना और अंत में पैकेजिंग को पूरी तरह से फिक्स करना है। चिप पैकेजिंग का कार्य: चिप पैकेजिंग चिप को रखने, फिक्स करने, सील करने, सुरक्षित रखने और विद्युत गुणों को बढ़ाने का काम करती है। यह चिप के बाहरी सर्किट और दुनिया के बीच एक सेतु का काम भी करती है। चिप पैकेज शेल के पिनों से वायर कनेक्शन के माध्यम से जुड़ी होती है। ये पिन प्रिंटेड बोर्ड पर लगे तारों के जरिए अन्य उपकरणों से जुड़े होते हैं। इसलिए, CPU और अन्य LSI इंटीग्रेटेड सर्किट में पैकेजिंग की महत्वपूर्ण भूमिका होती है। चिप पैकेजिंग के सामान्य प्रकार।

GD32 चीन में विकसित एक सिंगल चिप माइक्रो कंप्यूटर है। ऐसा कहा जाता है कि डेवलपर ST कंपनी से है, और GD32 को भी STM32 के साथ एक टेम्पलेट के रूप में बनाया गया है। इसलिए, GD32 और STM32 कई स्थानों पर समान हैं। हालाँकि, GD32 आखिरकार एक अलग उत्पाद है, और हर चीज़ के लिए STM32 का पालन करना असंभव है। कुछ स्व-विकसित उत्पाद अभी भी भिन्न हैं। हम उन्हीं स्थानों के बारे में बात नहीं करेंगे। यहां अलग-अलग जगहें हैं.

सीआईएस पैकेजिंग का विकास

वाहन पर लगे रडार एडवांस्ड असिस्टेड ड्राइविंग (ADAS) और मानव रहित ड्राइविंग के मुख्य सेंसरों में से एक है, और वाहन पर लगे रडार चिप वाहन पर लगे रडार के मुख्य सेंसर में से एक है। आजकल, अत्यधिक एकीकृत (एमएमआईसी+डीएसपी/एमसीयू) वाहन-स्तरीय चिप लघुकरण, उच्च विश्वसनीयता, स्थिरता और रडार की कम लागत के लिए एक महत्वपूर्ण तरीका प्रदान करती है, और इसका महत्व स्वयं स्पष्ट है।

अब "एंड-टू-एंड" लोकप्रिय है। आइए सेल फोन कॉल को एक उदाहरण के रूप में लें और सेल फोन से बेस स्टेशन तक सिग्नल की पूरी प्रक्रिया का निरीक्षण करें और देखें कि बेसबैंड और आरएफ किस लिए हैं।

टीवीएस डायोड बनाम जेनर डायोड: पारंपरिक जेनर डायोड की तुलना में, टीवीएस टीवीएस डायोड का पी/एन जंक्शन क्षेत्र बड़ा होता है। यह संरचनात्मक सुधार टीवीएस को वोल्टेज कट-ऑफ दर को कम करते हुए मजबूत उच्च वोल्टेज झेलने की क्षमता प्रदान करता है, इसलिए यह एक विकल्प है

1. फास्ट रिकवरी डायोड क्या है? फास्ट रिकवरी डायोड का उपयोग आमतौर पर उच्च आवृत्ति रेक्टिफिकेशन और फ्रीव्हीलिंग उत्पादों में किया जाता है। आमतौर पर पावर मॉड्यूल के इनपुट भाग के लिए उपयोग किया जाता है, जहां आवृत्ति अधिक नहीं होती है, वहां फास्ट रिकवरी डायोड का उपयोग करने की आवश्यकता नहीं होती है।

1. क्षणिक वोल्टेज की अवशोषित शक्ति के शिखर मान और क्षणिक वोल्टेज की पल्स चौड़ाई के बीच संबंध के संबंध में, मैनुअल में केवल एक विशिष्ट पल्स चौड़ाई के तहत अवशोषित शक्ति का शिखर मान दिया गया है, जबकि वास्तविक पल्स चौड़ाई में अंतर होता है।

ईएसडी इलेक्ट्रोस्टैटिक रक्षक एक ओवरवोल्टेज, एंटी-स्टैटिक सुरक्षा घटक है, जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में संवेदनशील सर्किट को ईएसडी (इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज) के प्रभाव से बचाने के लिए किया जाता है, क्योंकि इसका उद्देश्य संवेदनशील घटक से ईएसडी तनाव को स्थानांतरित करना है, ताकि संवेदनशील घटक पर कम वोल्टेज बनाए रखते हुए, वर्तमान संवेदनशील घटक के बजाय सुरक्षात्मक घटक के माध्यम से बहता है; ईएसडी स्थैतिक विद्युत रक्षक में कम रिसाव और कम समाई विशेषताएं भी होनी चाहिए, जो सर्किट फ़ंक्शन को कम नहीं करेगी; उच्च गति के संकेतों को नुकसान नहीं पहुंचाएगा, और कई तनावों से बचाएगा। सुरक्षा तत्व का कार्य कम नहीं होगा।

टीवीएस ट्यूब एक उच्च दक्षता वाला सुरक्षा उपकरण है। जब दोनों सिरों पर तात्कालिक उच्च-ऊर्जा प्रभाव पड़ता है, तो टीवीएस ट्यूब तुरंत अपनी उच्च-प्रतिरोध विशेषताओं को कम-प्रतिरोध विशेषताओं में परिवर्तित कर सकती है, बड़ी धाराओं को अवशोषित कर सकती है, और टीवीएस ट्यूब के दोनों सिरों पर वोल्टेज को क्लैंप कर सकती है। एक निश्चित मूल्य (टीवीएस ट्यूब के वोल्टेज का सामना करने वाला मूल्य) पर, पिछला सर्किट क्षणिक उच्च ऊर्जा के प्रभाव से सुरक्षित रहता है और सर्किट की सुरक्षा सुरक्षित रहती है। जैसा कि नीचे दिया गया है। इसे सीधे शब्दों में कहें तो, यदि सर्किट जिस वोल्टेज प्रभाव का सामना कर सकता है वह DC24V से अधिक नहीं है, तो बिजली आपूर्ति पर 26V टीवीएस ट्यूब को वेल्ड करें। जब बिजली आपूर्ति वोल्टेज 26V से अधिक नहीं होती है, तो टीवीएस ट्यूब उच्च-प्रतिबाधा स्थिति में होती है; 26V से अधिक पल्स के बाद, टीवीएस ट्यूब जल्दी से सर्किट वोल्टेज को 24V तक क्लैंप कर सकती है, जिससे सर्किट बोर्ड की सुरक्षा सुनिश्चित होती है।

टीवीएस ट्यूब के फायदे: 1. प्रतिक्रिया की गति बेहद तेज (पीएस स्तर) है; 2. ब्रेकडाउन वोल्टेज 6.12V से 550V तक होता है; 3. क्लैम्पिंग वोल्टेज अधिक सटीक है।

इससे कोई फर्क नहीं पड़ता कि यहां टीवी कैसे उत्पन्न होता है, जैसे प्रत्यक्ष या अप्रत्यक्ष बिजली के झटके, इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज, बड़ी क्षमता वाले लोड स्विचिंग और अन्य कारक उछाल का कारण बनते हैं। वोल्टेज कुछ वोल्ट से लेकर दसियों किलोवोल्ट या उससे भी अधिक तक होता है।

इसका मुख्य कार्य धारा प्रवर्धन (एनालॉग सर्किट) और स्विचिंग क्रिया (डिजिटल सर्किट) है।

इसकी सामान्य विशेषता यह है कि इसमें तीन इलेक्ट्रोड हैं, जो संक्षिप्त नाम "ट्रायोड" का मूल है। सामान्यतया, ट्रायोड का आंतरिक भाग पी-प्रकार अर्धचालक और एन-प्रकार अर्धचालक से बना एक तीन-परत संरचना है, जिसे पदानुक्रमित क्रम के अनुसार एनपीएन प्रकार और पीएनपी प्रकार में विभाजित किया गया है।

MOSFET की परजीवी धारिता और तापमान विशेषताएँ

जब हम सर्किट समाधान खरीदते और बनाते हैं, तो हमें अक्सर घटकों के तापमान पर विचार करने की आवश्यकता होती है। आख़िरकार, प्रत्येक घटक की तापमान सीमा सीमा होती है। इस समय, हमें उपयुक्त घटकों का चयन करने से पहले घटकों के तापमान की गणना करने की आवश्यकता है। फिर मूल घटक तापमान परिवर्तन की गणना कैसे करें, नीचे संपादक आपके साथ घटक तापमान की गणना विधि साझा करेगा:

ऑटोमोटिव टर्मिनल बाजार में बढ़ती मांग और सिलिकॉन के साथ मूल्य समानता के कारण सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) का उत्पादन तेजी से बढ़ रहा है। हजारों पावर सेमीकंडक्टर मॉड्यूल पहले से ही इलेक्ट्रिक वाहनों में ऑन-बोर्ड चार्जिंग, ट्रैक्शन इनवर्टर और DC-टू-DC रूपांतरण के लिए उपयोग किए जा रहे हैं। इनमें से अधिकांश वर्तमान में सिलिकॉन-आधारित IGBT का उपयोग करके निर्मित किए जाते हैं। हालांकि, SiC-आधारित MOSFETs में बदलाव से छोटे, हल्के पैकेज में पावर घनत्व दोगुना हो गया है और स्विचिंग गति तेज हो गई है। इलेक्ट्रिक वाहनों और चार्जिंग स्टेशनों के लिए उच्च वोल्टेज और गर्म एवं कठोर वातावरण में संचालन की आवश्यकताएं लगातार बढ़ती जा रही हैं। हालांकि, वाइड बैंडगैप सामग्रियों की उच्च निर्माण और पैकेजिंग लागत के कारण, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) को ठोस आधार प्राप्त करने में कुछ समय लगेगा। फिर भी, यह स्थिति बदल रही है। पावरअमेरिका के कार्यकारी निदेशक और मुख्य प्रौद्योगिकी अधिकारी विक्टर वेलियाडिस ने कहा कि SiC पावर मॉड्यूल की कीमतें अब सिलिकॉन-आधारित मॉड्यूल के बराबर हैं, जो बदले में आपूर्ति साझेदारी और नए SiC कारखानों के निर्माण को बढ़ावा देती हैं। अभी बहुत काम बाकी है। SiC वेफर तकनीक को उन्नत करने की आवश्यकता है। इन उपकरणों के निर्माण के लिए 20% नए प्रोसेस टूल्स और 80% बेहतर टूल्स की आवश्यकता है। हमारा लक्ष्य इंटीग्रेटेड और डिस्क्रीट पावर डिवाइसों के उत्पादन की गति को तेज करना है, यही कारण है कि ऑटोमोटिव निर्माता फाउंड्री के साथ सीधे वेफर-टू-मॉड्यूल सहयोग की ओर रुख कर रहे हैं।

ऑटोमोटिव टर्मिनल बाजार में बढ़ती मांग और सिलिकॉन के साथ मूल्य समानता के कारण सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) का उत्पादन तेजी से बढ़ रहा है। हजारों पावर सेमीकंडक्टर मॉड्यूल पहले से ही इलेक्ट्रिक वाहनों में ऑन-बोर्ड चार्जिंग, ट्रैक्शन इनवर्टर और DC-टू-DC रूपांतरण के लिए उपयोग किए जा रहे हैं। इनमें से अधिकांश वर्तमान में सिलिकॉन-आधारित IGBT का उपयोग करके निर्मित किए जाते हैं। हालांकि, SiC-आधारित MOSFETs में बदलाव से छोटे, हल्के पैकेज में पावर घनत्व दोगुना हो गया है और स्विचिंग गति तेज हो गई है। इलेक्ट्रिक वाहनों और चार्जिंग स्टेशनों के लिए उच्च वोल्टेज और गर्म एवं कठोर वातावरण में संचालन की आवश्यकताएं लगातार बढ़ती जा रही हैं। हालांकि, वाइड बैंडगैप सामग्रियों की उच्च निर्माण और पैकेजिंग लागत के कारण, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) को ठोस आधार प्राप्त करने में कुछ समय लगेगा। फिर भी, यह स्थिति बदल रही है। पावरअमेरिका के कार्यकारी निदेशक और मुख्य प्रौद्योगिकी अधिकारी विक्टर वेलियाडिस ने कहा कि SiC पावर मॉड्यूल की कीमतें अब सिलिकॉन-आधारित मॉड्यूल के बराबर हैं, जो बदले में आपूर्ति साझेदारी और नए SiC कारखानों के निर्माण को बढ़ावा देती हैं। अभी बहुत काम बाकी है। SiC वेफर तकनीक को उन्नत करने की आवश्यकता है। इन उपकरणों के निर्माण के लिए 20% नए प्रोसेस टूल्स और 80% बेहतर टूल्स की आवश्यकता है। हमारा लक्ष्य इंटीग्रेटेड और डिस्क्रीट पावर डिवाइसों के उत्पादन की गति को तेज करना है, यही कारण है कि ऑटोमोटिव निर्माता फाउंड्री के साथ सीधे वेफर-टू-मॉड्यूल सहयोग की ओर रुख कर रहे हैं।