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SiC शोट्की डायोड उच्च-आवृत्ति शोट्की बैरियर डायोड संरचना के साथ, SiC SBD 600V से अधिक उच्च वोल्टेज प्राप्त करता है, जबकि सिलिकॉन SBD का अधिकतम झेलने वाला वोल्टेज केवल 200V या उससे अधिक है, और इसकी ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप सिलिकॉन फास्ट रिकवरी डायोड की तुलना में बहुत कम है। इसका शटडाउन पुनर्प्राप्ति समय छोटा है, इसलिए शटडाउन हानि कम है, जिसके परिणामस्वरूप विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप ईएमआई कम है। मुख्यधारा के उत्पाद सिलिकॉन फास्ट रिकवरी डायोड एफआरडी को बदलने के लिए सीआईसी एसबीडी का उपयोग, कुल नुकसान को काफी कम कर सकता है, बिजली आपूर्ति की दक्षता में सुधार कर सकता है, और उच्च आवृत्ति ऑपरेशन के माध्यम से इंडक्टर्स और कैपेसिटर जैसे निष्क्रिय घटकों के लघुकरण को प्राप्त कर सकता है। , और विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप ईएमआई कम है। सिलिकॉन कार्बाइड एसबीडी का व्यापक रूप से एयर कंडीशनर, बिजली आपूर्ति, फोटोवोल्टिक बिजली उत्पादन प्रणालियों में इनवर्टर, इलेक्ट्रिक वाहनों के लिए मोटर-ड्रैग सिस्टम और फास्ट चार्जर में उपयोग किया जा सकता है।
SL12005B SiC शॉटकी बैरियर डायोड TO-220-2 VRRM(V):1200V यदि(ए):5ए वीएफ प्रकार(V):1.8V PD@TC=25℃)W):110W पैकेज:TO-220-2
SL12010B SiC शॉटकी डायोड TO-220-2 VRRM(V):1200V यदि(ए):10.5ए वीएफ प्रकार(V):1.8V PD@TC=25℃)W):153W पैकेज:TO-220-2
SL12015B SiC शॉटकी बैरियर रेक्टीफायर्स TO-247-2 VRRM(V):1200V यदि(ए):15ए वीएफ प्रकार(V):1.8V PD@TC=25℃)W):220W पैकेज:TO-247-2
SL12020B SiC शॉटकी रेक्टीफायर्स TO-247-2 VRRM(V):1200V यदि(ए):22ए वीएफ प्रकार(V):1.8V PD@TC=25℃)W):272W पैकेज:TO-247-2
SL12030B SiC पावर शॉटकी डायोड TO-247-2 VRRM(V):1200V यदि(ए):30ए वीएफ प्रकार(V):1.8V PD@TC=25℃)W):288W पैकेज:TO-247-2
SL12040B SiC शॉटकी डायोड रेक्टीफायर TO-247-2 VRRM(V):1200V यदि(ए):40ए वीएफ प्रकार(V):1.8V PD@TC=25℃)W):385W पैकेज:TO-247-2
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