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SiC-Schottky-Diode Mit der Hochfrequenz-Schottky-Barriere-Diodenstruktur erreicht die SiC-SBD eine Hochspannung von mehr als 600 V, während die maximale Spannungsfestigkeit der Silizium-SBD nur etwa 200 V beträgt und ihr Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand viel geringer ist als der der Silizium-Schnellerholungsdiode. Die Wiederherstellungszeit beim Herunterfahren ist kürzer, daher sind die Abschaltverluste geringer, was zu geringeren elektromagnetischen Störungen (EMI) führt. Durch den Einsatz von SiC-SBD als Ersatz für das Mainstream-Produkt Silizium-Fast-Recovery-Diode FRD kann der Gesamtverlust erheblich reduziert, die Effizienz der Stromversorgung verbessert und durch den Hochfrequenzbetrieb die Miniaturisierung passiver Komponenten wie Induktivitäten und Kondensatoren erreicht werden und elektromagnetische Störungen (EMI) sind geringer. Siliziumkarbid SBD kann in großem Umfang in Klimaanlagen, Netzteilen, Wechselrichtern in Photovoltaik-Stromerzeugungssystemen, Motorschleppsystemen für Elektrofahrzeuge und Schnellladegeräten eingesetzt werden.
SL12005B SiC-Schottky-Dioden TO-220-2 VRRM(V):1200V IF(A):5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):110W Package:TO-220-2
SL12010B SiC-Schottky-Dioden TO-220-2 VRRM(V):1200V IF(A):10.5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):153W Package:TO-220-2
SL12015B SiC-Schottky-Barrieregleichrichter TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):15A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):220W Package:TO-247-2
SL12020B SiC-Schottky-Gleichrichter TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):22A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):272W Package:TO-247-2
SL12030B SiC-Leistungs-Schottkydioden TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):30A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):288W Package:TO-247-2
SL12040B SiC-Schottky-Diodengleichrichter TO-247-2 VRRM(V):1200V IF(A):40A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):385W Package:TO-247-2
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