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Bipolartransistor (BJT)
Transistor, Halbleitertransistor, auch Bipolartransistor genannt, ist ein Halbleiterbauelement, das den Strom steuern kann. Entsprechend seiner Struktur wird er in NPN-Transistor und PNP-Transistor unterteilt. Es hat die Funktion der Spannungs- oder Stromverstärkung, die in Verstärkungsschaltungen, Oszillationsschaltungen, Modulations- und Demodulationsschaltungen, Schaltkreisen usw. verwendet werden kann.
13001 NPN-Bipolartransistor SOT-23
Wir stellen den NPN-Bipolartransistor 13001 vor, eine robuste und vielseitige Komponente, die für Hochspannungs- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde. In einem kompakten SOT-23-Gehäuse bietet dieser Transistor eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 600 V und erfüllt damit anspruchsvolle Schaltungsanforderungen. Mit einer Kollektorstromkapazität (Ic) von bis zu 0.2 A und einer Verlustleistung von 0.75 W gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen. Der 13001 verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 0.5 V und eine Übergangsfrequenz (fT) von 8 MHz, wodurch er sowohl für Schalt- als auch für Verstärkungsaufgaben geeignet ist.
13001S NPN-Bipolartransistor TO-92
Der Polar NPN-Hochspannungstransistor ist für eine robuste Leistung in Hochspannungsanwendungen ausgelegt. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 450 V und einem maximalen Kollektorstrom (Ic) von 0.2 A ist dieser Transistor ideal für Leistungsschalt- und Verstärkungsaufgaben. Er verfügt über eine Verlustleistung (Pd) von 0.625 W und eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 0.4 V bei 50 mA Kollektorstrom und 10 mA Basisstrom. Der Transistor bietet außerdem eine Übergangsfrequenz (fT) von 8 MHz und gewährleistet so einen effektiven Betrieb bei hohen Frequenzen. Seine Haltbarkeit und Effizienz machen ihn zu einer zuverlässigen Wahl für anspruchsvolle elektronische Systeme.
2N2222A NPN-Bipolartransistor TO-92
Silizium-NPN-Transistor in einem TO-92-Kunststoffgehäuse.
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
2N3904 NPN BJT Transistor TO-92
2N3906 NPN-Bipolartransistor TO-92
Der 2N3906 ist ein vielseitiger bipolarer NPN-Transistor, der für seine Zuverlässigkeit und Effizienz in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen bekannt ist. Dieser in einem TO-92-Gehäuse gekapselte Transistor ist für eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von -40 V und einen kontinuierlichen Kollektorstrom (Ic) von -200 mA ausgelegt. Mit einer Verlustleistung (Pd) von 625 mW bewältigt er die Wärmeableitung unter typischen Betriebsbedingungen effizient. Der 2N3906 verfügt über eine hohe Übergangsfrequenz (fT) von 250 MHz und eignet sich daher für Anwendungen, die Hochgeschwindigkeitsschaltung und Signalverstärkung erfordern.
2N5401 PNP-Bipolartransistor TO-92
Der 2N5401 ist ein vielseitiger PNP-Bipolartransistor (BJT), der für allgemeine Schalt- und Verstärkungszwecke in elektronischen Schaltkreisen entwickelt wurde. In einem TO-92-Gehäuse untergebracht, bietet er eine robuste Leistung mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von -150 V und einem maximalen Kollektorstrom (Ic) von -0.6 A. Dieser Transistor wird für seine Zuverlässigkeit und einfache Integration in verschiedene Schaltkreisdesigns geschätzt.
2N5551 NPN-Bipolartransistor TO-92
Wir stellen den NPN-Bipolartransistor 2N5551 vor, eine Hochleistungskomponente für anspruchsvolle elektronische Anwendungen. Dieser Transistor in einem TO-92-Gehäuse bietet eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 160 V und unterstützt einen Kollektorstrom (Ic) von bis zu 0.6 A. Mit einer Verlustleistung von 625 mW und einer niedrigen Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 0.2 V gewährleistet er einen effizienten Betrieb. Der 2N5551 verfügt außerdem über eine beeindruckende Übergangsfrequenz (fT) von 300 MHz und ist daher für Hochfrequenzanwendungen geeignet.
2SA1015-B PNP-Bipolartransistor TO-92
Der PNP-Bipolartransistor 2SA1015-B wurde für außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl elektronischer Anwendungen entwickelt. Mit seinen erweiterten Spezifikationen und seinem robusten Design zeichnet sich dieser Transistor durch seine Effizienz bei Signalverstärkung und Schaltvorgängen aus.
2SA1037-R PNP-Bipolartransistor SOT-23
Der digitale PNP-Transistor 2SA1037-R ist ein leistungsstarker PNP-Transistor, der für einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen elektronischen Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) von 50 V ist er gut für verschiedene Schalt- und Verstärkungsaufgaben geeignet. Der Transistor verfügt über eine hohe Übergangsfrequenz (fT) von 140 MHz und ist damit ideal für die Hochgeschwindigkeitssignalverarbeitung.
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
2SA1162-Y PNP-Bipolartransistor
2SA1213-Y PNP-Bipolartransistor
2SA1213-Y PNP-Bipolartransistor
2SA1661-Y PNP-Bipolartransistor SOT-89
Der digitale PNP-Transistor 2SA1661-Y ist ein Hochleistungstransistor, der die Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen erfüllt. Mit seinen robusten Spannungshandhabungsfähigkeiten und seiner hohen Frequenzantwort bietet dieser Transistor zuverlässige Leistung und Effizienz in einer Vielzahl von Schaltkreisen. Der digitale PNP-Transistor 2SA1661-Y ist besonders für Umgebungen mit hohen Frequenzen und hohen Temperaturen geeignet und gewährleistet Stabilität und Haltbarkeit auch unter schwierigen Bedingungen.
2SA1774-R PNP-Bipolartransistor SOT-523
VCEO(V)：50V
PD(W)(PD(W))：150mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：500mV
fT(MHz)(fT(MHz))：140MHz
Package(Package)：SOT-523
IC(A)(IC(A))：150mA
2SA1797-Q PNP-Bipolartransistor
2SA1797-Q PNP-Bipolartransistor
2SA812-M7 PNP-Bipolartransistor
2SA812-M7 PNP-Bipolartransistor
2SB1188-R PNP-Bipolartransistor SOT-89
Der Hochleistungs-NPN-Transistor ist für anspruchsvolle elektronische Anwendungen konzipiert, die robuste Leistung und Zuverlässigkeit erfordern. Mit einem Vceo-Wert von -32 V und einem maximalen Ic von -2 A bietet dieser Transistor zuverlässige Leistungshandhabung und Schaltfähigkeiten.
2SB1197KR PNP-Bipolartransistor
2SB1197KR PNP-Bipolartransistor
2SB1260-R PNP-Bipolartransistor SOT-89
Der Bipolartransistor 2SB1260-R PNP ist eine robuste und vielseitige Komponente, die für hochzuverlässige Anwendungen in verschiedenen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Dieser Transistor ist für eine Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 80 V ausgelegt und gewährleistet eine stabile Leistung auch in anspruchsvollen Umgebungen. Mit seinem kompakten Design und den hervorragenden thermischen Eigenschaften ist er ideal für Anwendungen, die präzise Steuerung und Effizienz erfordern.
2SB1261 PNP-Bipolartransistor
2SB1261 PNP-Bipolartransistor
2SB1386-R PNP-Bipolartransistor SOT-89
Der digitale PNP-Transistor 2SB1386-R ist ein vielseitiges Gerät, das für Hochstrom- und Hochfrequenzbetrieb optimiert ist. Mit einer maximalen Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) von 20 V und einem Dauerkollektorstrom (Ic) von 5 A eignet er sich gut für Leistungsverstärkungs- und Schaltanwendungen. Dieser Transistor verfügt über eine niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 0.35 V bei 4 A Kollektorstrom und 0.1 A Basisstrom, was minimalen Leistungsverlust und effiziente Leistung gewährleistet.
| 50V | 150mW | 500mV | 140MHz | SOT-523 | 150mA | |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Die Produktlinien von SLKOR umfassen diskrete Bauelemente, wie Dioden, Transistoren, Leistungsbauelemente; und integrierte Schaltkreischips, wie Linearregler, DC/DC-Chips, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS... Wir verfügen über jahrelang angesammelte Technologie im Bereich dedizierter Halbleiter.
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