Service Hotline
Producten
Producten
Bipolaire transistor (BJT)
Transistor, halfgeleidertransistor, ook bekend als bipolaire transistor, is een halfgeleiderapparaat dat de stroom kan regelen. Volgens zijn structuur is het verdeeld in NPN-transistor, PNP-transistor. Het heeft de functie van spannings- of stroomversterking, die kan worden gebruikt in versterkingscircuits, oscillatiecircuits, modulatie- en demodulatiecircuits, schakelcircuits enzovoort.
13001 NPN bipolaire transistor SOT-23
Introductie van de 13001 NPN Bipolar Transistor, een robuust en veelzijdig onderdeel ontworpen voor hoogspannings- en vermogenstoepassingen. Omvat in een compacte SOT-23-behuizing, biedt deze transistor een maximale collector-emitterspanning (Vceo) van 600 V, wat voldoet aan veeleisende circuitvereisten. Met een collectorstroom (Ic) capaciteit van maximaal 0.2 A en een vermogensdissipatieclassificatie van 0.75 W, zorgt het voor een betrouwbare werking in verschillende omgevingen. De 13001 heeft een lage verzadigingsspanning (VCE(sat)) van 0.5 V en een overgangsfrequentie (fT) van 8 MHz, wat hem geschikt maakt voor zowel schakel- als versterkingstaken.
13001S NPN bipolaire transistor TO-92
De Polar NPN-hoogspanningstransistor is ontworpen voor robuuste prestaties in hoogspanningstoepassingen. Met een collector-emitterspanning (Vceo) van 450 V en een maximale collectorstroom (Ic) van 0.2 A is deze transistor ideaal voor vermogensschakeling en versterkingstaken. Het beschikt over een vermogensdissipatievermogen (Pd) van 0.625 W en een lage collector-emitterverzadigingsspanning (VCE (sat)) van 0.4 V bij 50 mA collectorstroom en 10 mA basisstroom. De transistor biedt ook een overgangsfrequentie (fT) van 8 MHz, wat een effectieve werking bij hoge frequenties garandeert. Dankzij de duurzaamheid en efficiëntie is het een betrouwbare keuze voor veeleisende elektronische systemen.
2N2222A NPN bipolaire transistor TO-92
Silicium NPN-transistor in een TO-92 plastic verpakking.
2N3904 NPN BJT-transistor TO-92
2N3904 NPN BJT-transistor TO-92
2N3906 NPN bipolaire transistor TO-92
De 2N3906 is een veelzijdige bipolaire NPN-transistor die bekend staat om zijn betrouwbaarheid en efficiëntie in verschillende elektronische circuits. Deze transistor is ingekapseld in een TO-92-behuizing en is ontworpen om een maximale collector-emitterspanning (Vceo) van -40V en een continue collectorstroom (Ic) van -200mA te verwerken. Met een vermogensdissipatie (Pd) van 625 mW wordt de warmteafvoer onder normale bedrijfsomstandigheden efficiënt beheerd. De 2N3906 beschikt over een hoge overgangsfrequentie (fT) van 250 MHz, waardoor hij geschikt is voor toepassingen die snelle schakeling en signaalversterking vereisen.
2N5401 PNP bipolaire transistor TO-92
De 2N5401 is een veelzijdige PNP bipolaire junctie-transistor (BJT), ontworpen voor algemene schakelingen en versterking in elektronische circuits. Ingesloten in een TO-92-pakket biedt hij robuuste prestaties met een maximale collector-emitterspanning (Vceo) van -150V en een maximale collectorstroom (Ic) van -0.6A. Deze transistor staat hoog aangeschreven vanwege zijn betrouwbaarheid en gemakkelijke integratie in verschillende circuitontwerpen.
2N5551 NPN bipolaire transistor TO-92
Introductie van de 2N5551 NPN Bipolar Transistor, een high-performance component ontworpen voor veeleisende elektronische toepassingen. Deze transistor is ondergebracht in een TO-92-behuizing en biedt een maximale collector-emitterspanning (Vceo) van 160 V en ondersteunt een collectorstroom (Ic) van maximaal 0.6 A. Met een vermogensdissipatiecapaciteit van 625 mW en een lage verzadigingsspanning (VCE(sat)) van 0.2 V, zorgt het voor een efficiënte werking. De 2N5551 heeft ook een indrukwekkende overgangsfrequentie (fT) van 300 MHz, waardoor hij geschikt is voor hoogfrequente toepassingen.
2SA1015-B PNP bipolaire transistor TO-92
De 2SA1015-B PNP Bipolar Transistor is ontworpen om uitzonderlijke prestaties en betrouwbaarheid te leveren in een breed scala aan elektronische toepassingen. Met zijn geavanceerde specificaties en robuuste ontwerp onderscheidt deze transistor zich door zijn efficiëntie in signaalversterking en schakelbewerkingen.
2SA1037-R PNP bipolaire transistor SOT-23
De 2SA1037-R PNP Digital Transistor is een hoogwaardige PNP-transistor die is ontworpen om betrouwbare werking te leveren in veeleisende elektronische toepassingen. Met een maximale collector-emitterspanning (Vceo) van 50 V is deze zeer geschikt voor verschillende schakel- en versterkingstaken. De transistor heeft een hoge overgangsfrequentie (fT) van 140 MHz, waardoor deze ideaal is voor snelle signaalverwerking.
2SA1162-Y PNP bipolaire transistor
2SA1162-Y PNP bipolaire transistor
2SA1213-Y PNP bipolaire transistor
2SA1213-Y PNP bipolaire transistor
2SA1661-Y PNP bipolaire transistor SOT-89
De 2SA1661-Y PNP digitale transistor is een krachtige transistor die is ontworpen om te voldoen aan de eisen van moderne elektronische toepassingen. Met zijn robuuste spanningsverwerkingsmogelijkheden en hoge frequentierespons biedt deze transistor betrouwbare prestaties en efficiëntie in een verscheidenheid aan circuits. De 2SA1661-Y PNP digitale transistor is bijzonder geschikt voor omgevingen met hoge frequentie en hoge temperaturen, waardoor stabiliteit en duurzaamheid worden gegarandeerd, zelfs onder uitdagende omstandigheden.
2SA1774-R PNP bipolaire transistor SOT-523
VCEO(V)：50V
PD(W)(PD(W))：150mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：500mV
fT(MHz)(fT(MHz))：140MHz
Package(Package)：SOT-523
IC(A)(IC(A))：150mA
2SA1797-Q PNP bipolaire transistor
2SA1797-Q PNP bipolaire transistor
2SA812-M7 PNP bipolaire transistor
2SA812-M7 PNP bipolaire transistor
2SB1188-R PNP bipolaire transistor SOT-89
De High-Performance NPN Transistor is ontworpen voor veeleisende elektronische toepassingen die robuuste prestaties en betrouwbaarheid vereisen. Met een Vceo-classificatie van -32V en een maximale Ic van -2A levert deze transistor betrouwbare vermogensafhandeling en schakelmogelijkheden.
2SB1197KR PNP bipolaire transistor
2SB1197KR PNP bipolaire transistor
2SB1260-R PNP bipolaire transistor SOT-89
De 2SB1260-R PNP Bipolar Transistor is een robuust en veelzijdig onderdeel dat is ontworpen voor toepassingen met hoge betrouwbaarheid in verschillende elektronische systemen. Deze transistor is ontworpen om tot 80 V collector-emitterspanning aan te kunnen en garandeert stabiele prestaties, zelfs in veeleisende omgevingen. Met zijn compacte ontwerp en uitstekende thermische eigenschappen is dit ideaal voor toepassingen die nauwkeurige controle en efficiëntie vereisen.
2SB1261 PNP bipolaire transistor
2SB1261 PNP bipolaire transistor
2SB1386-R PNP bipolaire transistor SOT-89
De 2SB1386-R PNP digitale transistor is een veelzijdig apparaat dat is geoptimaliseerd voor bewerkingen met hoge stroomsterkte en hoge frequentie. Met een maximale collector-emitterspanning (VCE) van 20V en een continue collectorstroom (Ic) van 5A, is hij zeer geschikt voor vermogensversterking en schakeltoepassingen. Deze transistor heeft een lage verzadigingsspanning (VCE(sat)) van 0.35V bij een collectorstroom van 4A en een basisstroom van 0.1A, wat zorgt voor minimaal vermogensverlies en efficiënte prestaties.
| 50V | 150mW | 500mV | 140MHz | SOT-523 | 150mA | |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Need help? Scan the code with your phone to start to chat on WhatsApp.
粤公网安备44030002007346号