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Transistor bipolaire (BJT)
Le transistor, transistor semi-conducteur, également connu sous le nom de transistor bipolaire, est un dispositif semi-conducteur capable de contrôler le courant. Selon sa structure, il est divisé en transistor NPN et transistor PNP. Il a la fonction d'amplification de tension ou de courant, qui peut être utilisé dans les circuits d'amplification, les circuits d'oscillation, les circuits de modulation et de démodulation, les circuits de commutation, etc.
13001 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Présentation du transistor bipolaire NPN 13001, un composant robuste et polyvalent conçu pour les applications haute tension et de puissance. Logé dans un boîtier SOT-23 compact, ce transistor offre une tension collecteur-émetteur (Vceo) maximale de 600 V, répondant aux exigences de circuit les plus exigeantes. Avec une capacité de courant de collecteur (Ic) allant jusqu'à 0.2 A et une puissance dissipée de 0.75 W, il garantit un fonctionnement fiable dans divers environnements. Le 13001 présente une faible tension de saturation (VCE(sat)) de 0.5 V et une fréquence de transition (fT) de 8 MHz, ce qui le rend adapté aux tâches de commutation et d'amplification.
2SC3357RF
Triode 2SC3357RF
2SC3585R45
Triode 2SC3585 R45
2SC4228R45
Triode 2SC4228 R45
BCP56-16
Triode BCP56-16
BCX52-16 Transistors de puissance moyenne 60 V, 1 A PNP SOT-89
Série de transistors PNP de moyenne puissance dans des boîtiers en plastique pour dispositifs montés en surface (CMS).
MMBT1616AK NPN Transistor bipolaire SOT-23
Le transistor bipolaire NPN MMBT1616AK est conçu pour offrir une efficacité et une fiabilité exceptionnelles pour une large gamme d'applications électroniques. Avec une tension nominale collecteur-émetteur (Vceo) de 60 V et une capacité de courant collecteur (Ic) de 1 A, ce transistor est conçu pour gérer des tâches exigeantes tout en conservant des performances optimales. L'appareil dispose d'une dissipation de puissance (Pd) de 350 mW, garantissant un fonctionnement robuste même sous des charges importantes. Doté d'un faible VCE(sat) de 0.3 V à 1 A et d'un courant de base de 50 mA (Ib), ce transistor offre une tension de saturation minimale pour une efficacité énergétique améliorée. De plus, avec une fréquence de transition (fT) de 100 MHz, il est bien adapté aux applications haute fréquence.
MMBT2222A
Équivalent alternatif pour STMicroelectronics MMBT2222A | Transistor de commutation NPN Slkor MMBT2222A
MMBT2907 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Le MMBT2907 est un transistor à jonction bipolaire (BJT) PNP haute performance connu pour ses caractéristiques robustes et ses applications polyvalentes en électronique. Conçu pour l'efficacité et la fiabilité, il offre une tension collecteur-émetteur (Vceo) de -40 V et un courant collecteur maximum (Ic) de -600 mA. Cela le rend adapté aux circuits de faible et moyenne puissance où un contrôle précis du courant et une amplification du signal sont essentiels. Encapsulé dans un boîtier SOT-23 compact, il facilite une intégration facile dans les conceptions électroniques modernes.
MMBT4401 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Le MMBT4401 est un transistor planaire épitaxial en silicium NPN hautes performances conçu pour une variété d'applications électroniques de commutation et d'amplification. Avec ses caractéristiques électriques robustes et ses fonctionnalités polyvalentes, ce transistor constitue une alternative fiable au STMicroelectronics MMBT4401. Il offre d'excellentes performances dans les circuits électroniques compacts et exigeants.
MMBT4403 Transistor bipolaire PNP SOT-23
Le MMBT4403 est un transistor à jonction bipolaire (BJT) PNP polyvalent connu pour sa taille compacte et ses performances efficaces. Enfermé dans un boîtier SOT-23 standard, ce transistor est conçu pour gérer une dissipation modérée de courant et de puissance avec fiabilité. Il présente une tension nominale collecteur-émetteur (Vceo) de -40 V, un courant de collecteur maximum (Ic) de -0.6 A et une capacité de dissipation de puissance (Pd) de 0.35 W. Avec une fréquence de transition (fT) de 200 MHz, le MMBT4403 offre une excellente réponse haute fréquence, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une commutation et une amplification rapides.
MMBT5401 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Le MMBT5401 est un transistor à jonction bipolaire (BJT) NPN robuste conçu pour les applications haute tension et courant modéré. Avec un Vceo de 150 V et un courant de collecteur maximum (Ic) de 500 mA, ce transistor est logé dans un boîtier SOT-23 compact, ce qui le rend adapté aux conceptions à espace limité où une fiabilité et des performances élevées sont essentielles.
MMBT5551 Transistor bipolaire NPN SOT-23
Cet appareil est conçu pour les amplificateurs haute tension à usage général et les pilotes d'affichage à décharge de gaz.
MMBT589 Transistor bipolaire PNP SOT-23
VCEO(V)：30V
PD(W)(PD(W))：310mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：650mV
fT(MHz)(fT(MHz))：100MHz
Package(Package)：SOT-23
IC(A)(IC(A))：−1.0A
MMDT3904 Transistor bipolaire NPN SOT-363
Le MMDT3904 est un transistor à jonction bipolaire NPN polyvalent conçu pour les tâches de commutation et d'amplification de précision dans les circuits électroniques. Doté d'une tension nominale collecteur-émetteur (Vceo) de 40 V et d'un courant collecteur maximum (Ic) de 0.2 A, il offre des performances efficaces dans un format compact. Avec un indice de dissipation de puissance (Pd) de 0.2 W, il convient aux applications nécessitant des capacités de gestion de puissance modérées.
MMDT3906 Transistor bipolaire PNP SOT-363
Le MMDT3906 est un transistor à jonction bipolaire double PNP hautes performances, conçu pour une commutation et une amplification efficaces dans diverses applications électroniques. Avec une tension nominale collecteur-émetteur (Vceo) de 40 V et un courant collecteur maximum (Ic) de 200 mA, il offre des performances robustes dans un boîtier compact. Le transistor est conçu pour gérer jusqu'à 200 mW de dissipation de puissance, garantissant ainsi sa fiabilité dans diverses conditions de fonctionnement.
MMDT3946 Transistor BJT SOT-363
MMDT3946 Transistor BJT SOT-363
MMDT4413 Transistor bipolaire NPN + PNP SOT-363
Le transistor numérique NPN+PNP MMDT4413 présente une tension collecteur-émetteur maximale (Vceo) de 40 V, ce qui le rend adapté à diverses applications à tension faible à modérée. Avec un courant de collecteur nominal (Ic) de 200 mA et une capacité de dissipation de puissance (Pd) de 0.2 W, ce transistor assure un fonctionnement efficace et une gestion thermique. Il est également conçu pour résister à des températures extrêmes, avec une plage de températures de fonctionnement de -55 °C à 150 °C.
MMDT5401 Transistor bipolaire PNP SOT-363
Le transistor numérique PNP MMDT5401 est conçu pour offrir des performances exceptionnelles dans les applications haute tension et haute fréquence. Avec une valeur Vceo de 150 V et un Ic maximum de 600 mA, ce transistor est conçu pour exceller dans les environnements exigeants où la fiabilité et l'efficacité sont primordiales. Sa construction robuste supporte une température de travail élevée allant jusqu'à 150°C, ce qui le rend adapté à diverses applications industrielles et à haute température.
MMDT5451 Transistor bipolaire NPN + PNP SOT-363
Le transistor bipolaire MMDT5451 NPN+PNP est conçu pour offrir une efficacité et une fiabilité exceptionnelles dans les applications haute fréquence. Avec une tension nominale collecteur-émetteur robuste de 160 V et un courant de collecteur maximal de 0.2 A, ce transistor est conçu pour les environnements très sollicités, garantissant des performances durables dans des conditions exigeantes.
| 30V | 310mW | 650mV | 100MHz | SOT-23 | −1.0A | |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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