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Diode de récupération rapide La structure interne de la diode à récupération rapide est différente de la diode à jonction PN ordinaire, qui appartient à la diode à jonction PIN, c'est-à-dire que la région de base I est ajoutée au milieu du matériau en silicium de type P et du matériau en silicium de type N pour former le code PIN. plaquette de silicium. Étant donné que la région de base est très fine, la charge de récupération inverse est très faible, de sorte que le temps de récupération inverse de la diode à récupération rapide est plus court, la chute de tension directe est plus faible et la tension de claquage inverse (valeur de tension de tenue) est plus élevée.
Diode de redressement à récupération rapide ES1DF SMAF VRRM(V):200V IO(A):1A VF(V):1V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES1GF SMAF VRRM(V):400V IO(A):1A VF(V):1.25V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES1JF SMAF VRRM(V):600V IO(A):1A VF(V):1.68V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2G SMC VRRM(V):400V IO(A):2A VF(V):1.25V IR(A):5uA trr(ns):35ns Package:SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES2GF SMAF VRRM(V):400V IO(A):1A VF(V):1.25V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2JF SMAF VRRM(V):600V IO(A):1A VF(V):1.68V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide ES2JW SOD-123FL VRRM(V):600V IO(A):2A VF(V):1.7V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SOD-123FL
Diode de redressement à récupération rapide ES2M SMA VRRM(V):1000V IO(A):2A VF(V):1.7V IR(A):5μA trr(ns):75ns Package:SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES3DC SMC VRRM(V):200V IO(A):3A VF(V):1.25V IR(A):5μA trr(ns):35ns Package:SMC
Diode de redressement à récupération rapide MURF1040CT TO-220F VRRM(V):400V IO(A):5A VF(V):0.92V IR(A):0.01μA trr(ns):30ns Package:TO-220F
Diode de redressement à récupération rapide RS1DF SMAF VRRM(V):200V IO(A):1A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):150ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide RS1GF SMAF VRRM(V):400V IO(A):1A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):150ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide RS1JF SMAF VRRM(V):600V IO(A):1A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):250ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide RS2D SMA VRRM(V):200V IO(A):2A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):150ns Package:SMA
Diode de redressement à récupération rapide RS2J SMA VRRM(V):600V IO(A):2A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):250ns Package:SMA
Diode de redressement à récupération rapide RS2JF SMAF VRRM(V):600V IO(A):2A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):250ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide RS2MF SMAF VRRM(V):1000V IO(A):2A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):500ns Package:SMAF
Diode de redressement à récupération rapide RS2MW VRRM(V):1000V IO(A):2A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):500ns Package:SOD-123FL
Diode de redressement à récupération rapide RS3MBF SMBF VRRM(V):1000V IO(A):3A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):500ns Package:SMBF
Diode de redressement à récupération rapide RS5MC SMC VRRM(V):1000V IO(A):5A VF(V):1.68V IR(A):5μA trr(ns):75ns Package:SMB
200V 1A 1V 5μA 35ns SMAF
400V 1A 1.25V 5μA 35ns SMAF
600V 1A 1.68V 5μA 35ns SMAF
400V 2A 1.25V 5uA 35ns SMA
400V 1A 1.25V 5μA 35ns SMAF
600V 1A 1.68V 5μA 35ns SMAF
600V 2A 1.7V 5μA 35ns SOD-123FL
1000V 2A 1.7V 5μA 75ns SMA
200V 3A 1.25V 5μA 35ns SMC
400V 5A 0.92V 0.01μA 30ns TO-220F
200V 1A 1.3V 5μA 150ns SMAF
400V 1A 1.3V 5μA 150ns SMAF
600V 1A 1.3V 5μA 250ns SMAF
200V 2A 1.3V 5μA 150ns SMA
600V 2A 1.3V 5μA 250ns SMA
600V 2A 1.3V 5μA 250ns SMAF
1000V 2A 1.3V 5μA 500ns SMAF
1000V 2A 1.3V 5μA 500ns SOD-123FL
1000V 3A 1.3V 5μA 500ns SMBF
1000V 5A 1.68V 5μA 75ns SMB
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