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Diode Schottky
Une diode Schottky (SBD) est réalisée en utilisant le principe d'une jonction métal-semi-conducteur formée par un métal en contact avec un semi-conducteur. Par conséquent, la SBD, également connue sous le nom de diode métal-semi-conducteur (contact) ou diode à barrière de surface, est une diode à porteur chaud. Alors qu'une diode générale utilise une jonction PN pour exercer les caractéristiques de la diode, une diode à barrière Schottky utilise les barrières Schottky créées par la jonction métal-semi-conducteur. Par rapport à une diode à jonction PN normale, elle se caractérise par une faible tension directe et une vitesse de commutation rapide.
Redresseurs à barrière Schottky 1N5817W SOD-123
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 20 V
VF(V) : 0.45 V.
IR : 1 mA
Paquet : SOD-123
Redresseurs à barrière Schottky 1N5819W SOD-123
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 40 V
VF(V) : 0.45 V.
IR : 1 mA
Paquet : SOD-123
Diodes Schottky de puissance 1N5819WT SOD-523
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 350 mA
VR(V) : 40 V
VF(V) : 0.27 V à 1 mA
IR : 5 µA à 30 V
Paquet : SOD-523
Diodes barrière Schottky 1SS357 SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 0.2 A
VR(V) : 70 V
VF(V) : 0.47 V à 1 mA
IR : 0.1 µA à 50 V
Paquet : SOD-323
B0530WS Redresseurs à barrière Schottky SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 0.5 A
VR(V) : 30 V
VF(V) : 0.36 V à 0.1 A
IR : 75 µA à 15 V
Paquet : SOD-323
B0540WS Redresseurs Schottky SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 500 mA
VR(V) : 40 V
VF(V) : 620 mV à 1 A
IR : 20 μA à 40 V
Paquet : SOD-323
Redresseur à diode Schottky B16WS SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 60 V
VF(V) : 700 mV à 1 A
IR : 100 μA à 60 V
Paquet : SOD-323
Diodes Schottky de puissance B5817W SOD-123FL
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 20 V
VF(V) : 0.45 V à 1 A
IR : 1 μA à 20 V
Paquet : SOD-123FL
Diodes barrière Schottky B5817WS SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 20 V
VF(V) : 0.45 V à 1 A
IR : 1 mA à 20 V
Paquet : SOD-323
Diodes barrière Schottky B5819W SOD-123
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 40 V
VF(V) : 900 mV à 3 A
IR : 1 mA à 40 V
Paquet : SOD-123
Redresseur à diode Schottky B5819WS SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 1 A
VR(V) : 40 V
VF(V) : 900 mV à 3 A
IR : 1 mA
Paquet : SOD-323
Diodes Schottky B5819WT SOT-523
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 350 mA
VR(V) : 40 V
VF(V) : 600 mV à 200 mA
IR : 5 μA à 30 V
Paquet : SOT-523
BAS40-04 Transistor épitaxial en silicium SOT-23
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 200 mA
VR(V) : 40 V
VF(V) : 1 V à 40 mA
IR : 200 nA à 30 V
Paquet : SOT-23
Redresseurs à barrière Schottky BAS521 SOD-523
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 300 V
VR(V) : 250 mA
VF(V) : 0.95 V.
IR : 30 nA
Paquet : SOD-523
Diodes Schottky BAS70-04 SOT-23
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 100 mA
VR(V) : 70 V
VF(V) : 1 V à 15 mA
IR : 100 nA à 50 V
Paquet : SOT-23
Redresseur à diode Schottky BAS70-06 SOT-23
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 100 mA
VR(V) : 70 V
VF(V) : 1 V à 15 mA
IR : 100 nA à 50 V
Paquet : SOT-23
Diode Schottky BAS70W-05 SOT-323
Paquet : SOT-323
VDSS (V) : 70 V
Id(A) : 100 mA
P/N : Canal N
E/S :
VR(V) :
VF(V) :
IR :
Paquet:
Diodes barrière Schottky BAS70WS SOD-323
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 0.2 A
VR(V) : 70 V
VF(V) : 0.47 V à 1 mA
IR : 0.1 µA à 50 V
Paquet : SOD-323
Redresseurs à barrière Schottky BAT42W SOD-123
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 500 mA
VR(V) : 30 V
VF(V) : 0.4 V.
IR : 500 nA
Paquet : SOD-123
Diodes à barrière Schottky BAT46W SOD-123
Paquet:
VDSS(V) :
Id(A) :
P/N :
E/S : 150 mA
VR(V) : 100 V
VF(V) : 0.45 V.
IR : 0.3 μA
Paquet : SOD-123
| 1A | 20V | 0.45V | 1mA | SOD-123 | |||||
| 1A | 40V | 0.45V | 1mA | SOD-123 | |||||
| 350mA | 40V | 0.27V à 1mA | 5uA à 30V | SOD-523 | |||||
| 0.2A | 70V | 0.47V à 1mA | 0.1uA à 50V | SOD-323 | |||||
| 0.5A | 30V | 0.36V @ 0.1A | 75uA à 15V | SOD-323 | |||||
| 500mA | 40V | 620 mV à 1 A | 20 μA à 40 V | SOD-323 | |||||
| 1A | 60V | 700 mV à 1 A | 100 μA à 60 V | SOD-323 | |||||
| 1A | 20V | 0.45V @ 1A | 1 μA à 20 V | SOD-123FL | |||||
| 1A | 20V | 0.45V @ 1A | 1mA @ 20V | SOD-323 | |||||
| 1A | 40V | 900 mV à 3 A | 1mA @ 40V | SOD-123 | |||||
| 1A | 40V | 900 mV à 3 A | 1mA | SOD-323 | |||||
| 350mA | 40V | 600 mV à 200 mA | 5 μA à 30 V | AUJOURD'HUI-523 | |||||
| 200mA | 40V | 1V à 40mA | 200 nA à 30 V | AUJOURD'HUI-23 | |||||
| 300V | 250mA | 0.95V | 30 nA | SOD-523 | |||||
| 100mA | 70V | 1V à 15mA | 100 nA à 50 V | AUJOURD'HUI-23 | |||||
| 100mA | 70V | 1V à 15mA | 100 nA à 50 V | AUJOURD'HUI-23 | |||||
| AUJOURD'HUI-323 | 70V | 100mA | Canal N | ||||||
| 0.2A | 70V | 0.47V à 1mA | 0.1uA à 50V | SOD-323 | |||||
| 500mA | 30V | 0.4V | 500 nA | SOD-123 | |||||
| 150mA | 100V | 0.45V | 0.3μA | SOD-123 |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKORLes gammes de produits de comprennent des dispositifs discrets, etc., des diodes, des transistors, des dispositifs de puissance et des puces de circuits intégrés, etc., des régulateurs linéaires, des puces DC/DC, des puces d'interface, des capteurs à effet Hall, des ADC et des BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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