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Diode de récupération ultra rapide La diode de récupération ultra-rapide est une sorte de diode semi-conductrice avec de bonnes caractéristiques de commutation et un temps de récupération inverse ultra-court, qui est souvent utilisée pour fournir un dispositif de commutation de dispositif onduleur haute fréquence pour la continuité du courant, l'absorption, le serrage, l'isolation, les redresseurs de sortie et d'entrée. , afin de donner pleinement jeu à la fonction de dispositif de commutation. La diode de récupération ultra-rapide est un dispositif important indispensable au développement d’équipements à haute fréquence et à haute fréquence à semi-conducteurs.
Redresseur à récupération ultra rapide E1D SOD-123FL VRRM(V) : 200 V IO(A) : 1A VF(V) : 1.7 V. IR(A) : 50 μA trr(ns):35ns Paquet : SOD-123FL
Redresseur à récupération ultra rapide E1J SOD-123FL VRRM(V) : 600 V IO(A) : 1A VF(V) : 1.7 V. IR(A) : 50 μA trr(ns):35ns Paquet : SOD-123FL
Diode de redressement à récupération rapide ES1D SMA VRRM(V) : 200 V IO(A) : 1A VF(V) : 0.95 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):35ns Emballage : SMA
Redresseur à récupération rapide ES1J SMA VRRM(V) : 600 V IO(A) : 1A VF(V) : 1.7 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):35ns Emballage : SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES2J SMA VRRM(V) : 600 V IO(A) : 2A VF(V) : 1.68 V à 2 A IR(A) : 5 μA à 600 V trr(ns):35ns Emballage : SMA
Diode de redressement à récupération rapide ES2JB SMB VRRM(V) : 600 V IO(A) : 2A VF(V) : 1.68 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):35ns Paquet : PME
Diode de redressement à récupération rapide ES3JB SMB VRRM(V) : 600 V IO(A) : 3A VF(V) : 1.68 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):35ns Paquet : PME
Diode de redressement à récupération rapide ES3JBF SMBF VRRM(V) : 600 V IO(A) : 3A VF(V) : 1.7 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):35ns Paquet : SMBF
Diode de redressement à récupération rapide ES3JC SMC VRRM(V) : 600 V IO(A) : 3A VF(V) : 1.68 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):35ns Paquet : SMC
Diode de redressement à récupération rapide ES5JBF SMBF VRRM(V) : 600 V IO(A) : 5A VF(V) : 1.7 V. IR(A) : 10 μA trr(ns):35ns Paquet : SMBF
Diode de redressement à récupération rapide SF1001DS TO-252 VRRM(V) : 100 V IO(A) : 10A VF(V) : 0.95 V. IR(A) : 1 μA trr(ns):35ns Paquet : TO-252
Diode de redressement à récupération rapide SF1002DS TO-252 VRRM(V) : 200 V IO(A) : 10A VF(V) : 0.95 V. IR(A) : 1 μA trr(ns):35ns Paquet : TO-252
Diode de redressement à récupération rapide SF1004DS TO-252 VRRM(V) : 400 V IO(A) : 10A VF(V) : 0.95 V. IR(A) : 1 μA trr(ns):35ns Paquet : TO-252
Diode de redressement à récupération rapide SF1006DS TO-252 VRRM(V) : 600 V IO(A) : 10A VF(V) : 1.7 V. IR(A) : 1 μA trr(ns):35ns Paquet : TO-252
Diode de redressement à récupération rapide US2D SMA VRRM(V) : 200 V IO(A) : 2A VF(V) : 1 V. IR(A) : 5 μA trr(ns):50ns Emballage : SMA
Diode de redressement à récupération rapide US2M SMA VRRM(V) : 1000 V IO(A) : 2A VF(V) : 1.65 V à 2 A IR(A) : 5 μA à 1 kV trr(ns):75ns Emballage : SMA
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