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Transistor bipolare (BJT)
Transistor, transistor a semiconduttore, noto anche come transistor bipolare, è un dispositivo a semiconduttore in grado di controllare la corrente. Secondo la sua struttura, è diviso in transistor NPN, transistor PNP. Ha la funzione di amplificazione di tensione o corrente, che può essere utilizzata in circuiti di amplificazione, circuiti di oscillazione, circuiti di modulazione e demodulazione, circuiti di commutazione e così via.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Presentazione del transistor bipolare NPN 13001, un componente robusto e versatile progettato per applicazioni di potenza e ad alta tensione. Racchiuso in un contenitore SOT-23 compatto, questo transistor offre una tensione massima collettore-emettitore (Vceo) di 600 V, soddisfacendo i requisiti del circuito più impegnativi. Con una capacità di corrente del collettore (Ic) fino a 0.2 A e un valore di dissipazione di potenza di 0.75 W, garantisce un funzionamento affidabile in varie impostazioni. Il 13001 presenta una bassa tensione di saturazione (VCE(sat)) di 0.5 V e una frequenza di transizione (fT) di 8 MHz, che lo rende adatto sia per compiti di commutazione che di amplificazione.
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Il transistor ad alta tensione Polar NPN è progettato per prestazioni robuste in applicazioni ad alta tensione. Con una tensione nominale collettore-emettitore (Vceo) di 450 V e una corrente massima di collettore (Ic) di 0.2 A, questo transistor è ideale per attività di commutazione di potenza e amplificazione. Presenta una capacità di dissipazione di potenza (Pd) di 0.625 W e una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di 0.4 V con una corrente di collettore di 50 mA e una corrente di base di 10 mA. Il transistor fornisce inoltre una frequenza di transizione (fT) di 8 MHz, garantendo un funzionamento efficace alle alte frequenze. La sua durata ed efficienza lo rendono una scelta affidabile per i sistemi elettronici esigenti.
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Il transistor bipolare PNP 2SA1015-B è progettato per offrire prestazioni e affidabilità eccezionali in un'ampia gamma di applicazioni elettroniche. Con le sue specifiche avanzate e il design robusto, questo transistor si distingue per la sua efficienza nelle operazioni di amplificazione e commutazione del segnale.
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Il transistor digitale PNP 2SA1037-R è un transistor PNP ad alte prestazioni progettato per offrire un funzionamento affidabile in applicazioni elettroniche esigenti. Con una tensione collettore-emettitore (Vceo) massima di 50 V, è adatto per vari compiti di commutazione e amplificazione. Il transistor vanta un'elevata frequenza di transizione (fT) di 140 MHz, rendendolo ideale per l'elaborazione del segnale ad alta velocità.
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Il transistor digitale PNP 2SA1661-Y è un transistor ad alte prestazioni progettato per soddisfare le esigenze delle moderne applicazioni elettroniche. Grazie alle sue robuste capacità di gestione della tensione e alla risposta in alta frequenza, questo transistor offre prestazioni ed efficienza affidabili in una varietà di circuiti. Il transistor digitale PNP 2SA1661-Y è particolarmente adatto per ambienti ad alta frequenza e alta temperatura, garantendo stabilità e durata anche in condizioni difficili.
2SB1261 Transistor bipolare PNP
2SB1261 Transistor bipolare PNP
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Progettato principalmente per applicazioni di amplificatori di potenza lineari SSB
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
Il 2SC2712-Y è un versatile transistor bipolare NPN progettato per applicazioni precise di amplificazione e commutazione nei circuiti elettronici. Alloggiato in un package TO-92 compatto, questo transistor presenta una tensione massima collettore-emettitore (Vceo) di 50 V e può gestire una corrente continua di collettore (Ic) fino a 150 mA. Con un valore di dissipazione di potenza (Pd) di 150 mW, gestisce in modo efficiente la dissipazione del calore in varie configurazioni di circuito. Il 2SC2712-Y è caratterizzato da una bassa tensione di saturazione (VCE(sat)) di 250 mV con una corrente di collettore di 100 mA e una corrente di base di 10 mA, garantendo una perdita di energia minima durante il funzionamento. Offre un elevato guadagno di corrente CC (hFE) di 120 con una corrente di collettore di 2 mA e una tensione di collettore-emettitore (Vce) di 6 V, rendendolo adatto per applicazioni che richiedono un'amplificazione e un controllo precisi del segnale.
2SC2714-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
VCEO(V)：30V
PD(W)(PD(W))：100mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：400mV
fT(MHz)(fT(MHz))：550MHz
Package(Package)：SOT-23
IC(A)(IC(A))：20mA
2SC2873 Transistor bipolare NPN SOT-89
VCEO(V)：50V
PD(W)(PD(W))：500mW
VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))：500mV
fT(MHz)(fT(MHz))：120MHz
Package(Package)：SOT-89
IC(A)(IC(A))：2A
2SC2884-Y Transistor bipolare NPN SOT-89
Il transistor bipolare NPN 2SC2884-Y è progettato per applicazioni elettroniche avanzate che richiedono elevata efficienza e affidabilità. Con una tensione collettore-emettitore (Vceo) massima di 30 V e una corrente di collettore (Ic) di 0.8 A, questo transistor offre prestazioni robuste per diverse configurazioni di circuito. È progettato per gestire una dissipazione di potenza fino a 500 mW mantenendo una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di 0.5 V con una corrente di collettore di 0.5 A e una corrente di base di 0.02 A.
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2SC3356 Transistor bipolare R25 NPN SOT-23
2SC3356 Transistor bipolare R25 NPN SOT-23
2SC3356R25 Transistor bipolare NPN SOT-23
Il 2SC3356 è un transistor a basso rumore e frequenza ultra-alta che utilizza la tecnologia bipolare epitassiale al silicio NPN planare. È caratterizzato da un elevato guadagno di potenza, bassa cifra di rumore, ampia gamma dinamica ed eccellenti caratteristiche di corrente. Confezionato in formato SMD SOT-23, è utilizzato principalmente negli amplificatori a basso rumore a banda larga VHF, UHF e CATV.
2SC3357RE Transistor bipolare PNP SOT-89
Il 2SC3357 è un transistor di potenza a bassissimo rumore e frequenza ultra-alta, che utilizza un processo bipolare epitassiale al silicio NPN planare. Offre un elevato guadagno di potenza, una bassa cifra di rumore, un'ampia gamma dinamica e caratteristiche di corrente eccellenti. Confezionato in una configurazione a montaggio superficiale SOT-89, è utilizzato principalmente in applicazioni VHF, UHF e CATV per amplificazione a basso rumore a banda larga ad alta frequenza.
2SC3357RF
Triodo 2SC3357 RF
2SC3585R45
Triodo 2SC3585 R45
2SC3585R45 Transistor bipolare NPN SOT-23-3L
Il 2SC3585 è un transistor a basso rumore e frequenza ultra-alta che utilizza la tecnologia bipolare epitassiale al silicio NPN planare. È caratterizzato da un elevato guadagno di potenza, bassa cifra di rumore, ampia gamma dinamica e caratteristiche di corrente ideali. È disponibile in un package a montaggio superficiale SOT-23-3L ed è utilizzato principalmente negli amplificatori a basso rumore a banda larga ad alta frequenza VHF, UHF e CATV.
2SC3904 Transistor bipolare NPN
2SC3904 Transistor bipolare NPN
| 30V | 100mW | 400mV | 550MHz | SOT-23 | 20mA | |
| 50V | 500mW | 500mV | 120MHz | SOT-89 | 2A | |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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