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Diodo TVS
I diodi TVS vengono utilizzati per proteggere i componenti elettronici da sovratensioni e sovratensioni impreviste causate da elettricità statica e fluttuazioni di potenza. Mentre i diodi raddrizzatori e i diodi a barriera Schottky utilizzano le caratteristiche dirette del diodo, i diodi TVS utilizzano le caratteristiche inverse del diodo, così come il diodo Zener (ZD). I diodi TVS rispondono molto più velocemente dei diodi Zener e hanno valori di capacità di giunzione molto più piccoli .
5.0SMDJ18A Diodo TVS SMC
VRWM(V)：18V
VBR min(V)：20V
VBR max(V)：22.1V
IR(uA)：1μA
VC(V)：29.2V
Package：SMC
5.0SMDJ28A Diodo TVS SMC
VRWM(V)：28V
VBR min(V)：31.1V
VBR max(V)：34.4V
IR(uA)：1μA
VC(V)：45.4V
Package：SMC
5.0SMDJ30CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：30V
VBR min(V)：33.3V
VBR max(V)：36.8V
IR(uA)：1μA
VC(V)：48.4V
Package：SMC
5.0SMDJ33A Diodo TVS SMC
VRWM(V)：33V
VBR min(V)：36.7V
VBR max(V)：40.6V
IR(uA)：1μA
VC(V)：53.3V
Package：SMC
5.0SMDJ33CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：33V
VBR min(V)：36.7V
VBR max(V)：40.6V
IR(uA)：1μA
VC(V)：53.3V
Package：SMC
5.0SMDJ36CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：36V
VBR min(V)：40V
VBR max(V)：44.2V
IR(uA)：1μA
VC(V)：58.1V
Package：SMC
5.0SMDJ43CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：43.0 V
VBR min(V)：47.80 V
VBR max(V)：52.80 V
IR(uA)：1μA
VC(V)：69.4 V
Package：SMC
5.0SMDJ58A Diodo TVS SMC
VRWM(V)：58V
VBR min(V)：64.4V
VBR max(V)：71.2V
IR(uA)：1μA
VC(V)：93.6V
Package：SMC
5.0SMDJ58CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：58V
VBR min(V)：64.4V
VBR max(V)：71.2V
IR(uA)：1μA
VC(V)：93.6V
Package：SMC
5.0SMDJ64CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：64V
VBR min(V)：71.1V
VBR max(V)：78.6V
IR(uA)：1μA
VC(V)：103.0 V
Package：SMC
5.0SMDJ70CA Diodo TVS SMC
VRWM(V)：70V
VBR min(V)：77.8V
VBR max(V)：86V
IR(uA)：1μA
VC(V)：113V
Package：SMC
AZC199-04 Diodi TSD/ESD a capacità ultra bassa SOT-23-6L
VRWM(V)：5V
VBR min(V)：6V
VBR max(V)：1μA
IR(uA)：28V
VC(V)：0.8pF
Package：SOT-23-6L
Diodi TVS bidirezionali SLSD5311N-2TR DFN1006
VRWM(V)：5V
VBR min(V)：6V
VBR max(V)：9V
IR(uA)：1μA
VC(V)：10V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMAJ10A SMA
VRWM(V)：10V
VBR min(V)：11.1V
VBR max(V)：12.3V
IR(uA)：5μA
VC(V)：17V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMAJ13A SMA
VRWM(V)：13V
VBR min(V)：14.4V
VBR max(V)：15.9V
IR(uA)：5μA
VC(V)：21.5V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMAJ16A SMA
VRWM(V)：16V
VBR min(V)：17.8V
VBR max(V)：19.7V
IR(uA)：5μA
VC(V)：26V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMAJ40A SMA
VRWM(V)：40V
VBR min(V)：44.4V
VBR max(V)：49.1V
IR(uA)：5μA
VC(V)：64.5V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMAJ6.5A SMA
VRWM(V)：6.5V
VBR min(V)：7.22V
VBR max(V)：7.98V
IR(uA)：500μA
VC(V)：11.2V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMAJ7.0A SMA
VRWM(V)：7V
VBR min(V)：7.78V
VBR max(V)：8.60V
IR(uA)：200μA
VC(V)：12V
Package：SMA
Diodi TVS bidirezionali SMF26A SOD-123FL
VRWM(V)：26V
VBR min(V)：28.9V
VBR max(V)：31.9V
IR(uA)：1μA
VC(V)：42.1V
Package：SOD-123FL
| 18V | 20V | 22.1V | 1μA | 29.2V | SMC | |
| 28V | 31.1V | 34.4V | 1μA | 45.4V | SMC | |
| 30V | 33.3V | 36.8V | 1μA | 48.4V | SMC | |
| 33V | 36.7V | 40.6V | 1μA | 53.3V | SMC | |
| 33V | 36.7V | 40.6V | 1μA | 53.3V | SMC | |
| 36V | 40V | 44.2V | 1μA | 58.1V | SMC | |
| 43.0 V | 47.80 V | 52.80 V | 1μA | 69.4 V | SMC | |
| 58V | 64.4V | 71.2V | 1μA | 93.6V | SMC | |
| 58V | 64.4V | 71.2V | 1μA | 93.6V | SMC | |
| 64V | 71.1V | 78.6V | 1μA | 103.0 V | SMC | |
| 70V | 77.8V | 86V | 1μA | 113V | SMC | |
| 5V | 6V | 1μA | 28V | 0.8pF | SOT-23-6L | |
| 5V | 6V | 9V | 1μA | 10V | SMA | |
| 10V | 11.1V | 12.3V | 5μA | 17V | SMA | |
| 13V | 14.4V | 15.9V | 5μA | 21.5V | SMA | |
| 16V | 17.8V | 19.7V | 5μA | 26V | SMA | |
| 40V | 44.4V | 49.1V | 5μA | 64.5V | SMA | |
| 6.5V | 7.22V | 7.98V | 500μA | 11.2V | SMA | |
| 7V | 7.78V | 8.60V | 200μA | 12V | SMA | |
| 26V | 28.9V | 31.9V | 1μA | 42.1V | SOD-123FL |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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