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Diodo TVS
I diodi TVS vengono utilizzati per proteggere i componenti elettronici da sovratensioni e sovratensioni impreviste causate da elettricità statica e fluttuazioni di potenza. Mentre i diodi raddrizzatori e i diodi a barriera Schottky utilizzano le caratteristiche dirette del diodo, i diodi TVS utilizzano le caratteristiche inverse del diodo, così come il diodo Zener (ZD). I diodi TVS rispondono molto più velocemente dei diodi Zener e hanno valori di capacità di giunzione molto più piccoli .
5.0SMDJ18A Diodo TVS SMC
VRWM(V):18V
VBR min(V):20V
VBR max(V):22.1V
IR(uA):1μA
VC(V):29.2V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ24CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):24V
VBR min(V):26.7V
VBR max(V):29.5V
IR(uA):1μA
VC(V):38.9V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ28A Diodo TVS SMC
VRWM(V):28V
VBR min(V):31.1V
VBR max(V):34.4V
IR(uA):1μA
VC(V):45.4V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ30CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):30V
VBR min(V):33.3V
VBR max(V):36.8V
IR(uA):1μA
VC(V):48.4V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ33A Diodo TVS SMC
VRWM(V):33V
VBR min(V):36.7V
VBR max(V):40.6V
IR(uA):1μA
VC(V):53.3V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ33CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):33V
VBR min(V):36.7V
VBR max(V):40.6V
IR(uA):1μA
VC(V):53.3V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ36CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):36V
VBR min(V):40V
VBR max(V):44.2V
IR(uA):1μA
VC(V):58.1V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ43CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):43.0 V
VBR min(V):47.80 V
VBR max(V):52.80 V
IR(uA):1μA
VC(V):69.4 V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ58A Diodo TVS SMC
VRWM(V):58V
VBR min(V):64.4V
VBR max(V):71.2V
IR(uA):1μA
VC(V):93.6V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ58CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):58V
VBR min(V):64.4V
VBR max(V):71.2V
IR(uA):1μA
VC(V):93.6V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ64CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):64V
VBR min(V):71.1V
VBR max(V):78.6V
IR(uA):1μA
VC(V):103.0 V
Pacchetto: SMC
5.0SMDJ70CA Diodo TVS SMC
VRWM(V):70V
VBR min(V):77.8V
VBR max(V):86V
IR(uA):1μA
VC(V):113V
Pacchetto: SMC
AZC199-04 Diodi TSD/ESD a capacità ultra bassa SOT-23-6L
VRWM(V):5V
VBR min(V):6V
VBR max(V):1μA
IR(uA):28V
VC(V):0.8pF
Pacchetto: SOT-23-6L
Diodo di soppressione della tensione transitoria BTRD04A15 DFN1006-2L
VRWM(V):15V
VBR min(V):16.7V
VBR max(V):
IR(uA):0.2μA
VC(V):20V
Confezione:DFN1006-2L
Dispositivi di protezione ESD SMBJ24CA Diodo soppressore di tensione transitoria a montaggio superficiale
VRWM(V):24V
VBR min(V):26.7V
VBR max(V):30.7V
IR(uA):5μA
VC(V):38.9V
Confezione: DO-214AA
Diodo di protezione ESD SLE0504 SOT-23
VRWM(V):5V
VBR min(V):6V
VBR max(V):7.2V
IR(uA):3μA
VC(V):
Pacchetto:SOT-23-6
Diodo di protezione ESD SLE0504 SOT-23
VRWM(V):5V
VBR min(V):6V
VBR max(V):7.2V
IR(uA):3μA
VC(V):
Pacchetto:SOT-23-6
Diodo di protezione ESD SLESDFBP12V SOD-923
VRWM(V):12V
VBR min(V):13.5V
VBR max(V):15V
IR(uA):1μA
VC(V):15V
Pacchetto:SOD-923
Diodo di protezione transitoria ESD5451L DNF1006-2L
VRWM(V):5V
VBR min(V):5.6V
VBR max(V):
IR(uA):1A
VC(V):12V
Confezione: DNF1006-2L
Soppressore di tensioni transitorie ESDA25L
VRWM(V):24V
VBR min(V):26.7V
VBR max(V):
IR(uA):1μA
VC(V):52V
Pacchetto: SOT-23
| 18V | 20V | 22.1V | 1μA | 29.2V | SMC | |
| 24V | 26.7V | 29.5V | 1μA | 38.9V | SMC | |
| 28V | 31.1V | 34.4V | 1μA | 45.4V | SMC | |
| 30V | 33.3V | 36.8V | 1μA | 48.4V | SMC | |
| 33V | 36.7V | 40.6V | 1μA | 53.3V | SMC | |
| 33V | 36.7V | 40.6V | 1μA | 53.3V | SMC | |
| 36V | 40V | 44.2V | 1μA | 58.1V | SMC | |
| 43.0 V | 47.80 V | 52.80 V | 1μA | 69.4 V | SMC | |
| 58V | 64.4V | 71.2V | 1μA | 93.6V | SMC | |
| 58V | 64.4V | 71.2V | 1μA | 93.6V | SMC | |
| 64V | 71.1V | 78.6V | 1μA | 103.0 V | SMC | |
| 70V | 77.8V | 86V | 1μA | 113V | SMC | |
| 5V | 6V | 1μA | 28V | 0.8pF | SOT-23-6L | |
| 15V | 16.7V | 0.2μA | 20V | DFN1006-2L | ||
| 24V | 26.7V | 30.7V | 5μA | 38.9V | DO-214AA | |
| 5V | 6V | 7.2V | 3μA | OGGI-23-6 | ||
| 5V | 6V | 7.2V | 3μA | OGGI-23-6 | ||
| 12V | 13.5V | 15V | 1μA | 15V | SOD-923 | |
| 5V | 5.6V | 1A | 12V | DNF1006-2L | ||
| 24V | 26.7V | 1μA | 52V | OGGI-23 |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKORLe linee di prodotti includono dispositivi discreti, ecc., diodi, transistor, dispositivi di potenza; chip per circuiti integrati, ecc., regolatori lineari, chip CC/CC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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