La differenza tra IGBT discreto e modulo IGBT: il modulo IGBT può essere considerato un miglioramento funzionale e un aggiornamento dell'IGBT discreto. I loro campi di applicazione sono sostanzialmente gli stessi. Tuttavia, grazie all'integrazione di vari driver e circuiti di protezione, l'installazione del modulo IGBT è molto più semplice per gli utenti. Con l'adozione di nuove tecnologie di packaging, anche le prestazioni dell'IGBT sono state notevolmente migliorate, ampliando il campo di applicazione dell'IGBT. Il modulo di potenza IGBT è pilotato da IC, vari circuiti di pilotaggio e protezione, chip IGBT ad alte prestazioni e nuove tecnologie di packaging. Dal modulo di potenza composito PIM al modulo di potenza intelligente IPM, all'edificio elettronico PEBB e al modulo di potenza iPem. Il PIM si sta sviluppando nella direzione dell'alta tensione e della corrente, e il livello di prodotto è 1200-18

Introduzione: I dispositivi elettronici sono sistemi molto complessi. Anche i difetti e i guasti del processo di confezionamento sono molto complessi. Pertanto, la ricerca sui difetti e sui guasti del confezionamento richiede una comprensione sistematica del processo di confezionamento, in modo da poter analizzare le cause dei difetti da molteplici punti di vista. 1. Il meccanismo di guasto dei difetti e dei guasti del confezionamento può essere suddiviso in due categorie: stress eccessivo e usura. Il guasto da stress eccessivo è spesso istantaneo e catastrofico; la perdita per abrasione è un danno cumulativo a lungo termine. Spesso si manifesta inizialmente come degrado delle prestazioni, e successivamente il dispositivo diventa inutilizzabile. Il tipo di guasto può essere suddiviso in carichi meccanici, termici, elettrici, da radiazioni e chimici. I fattori che influenzano i difetti e i guasti del confezionamento sono diversi, gli ingredienti dei materiali

Quanto ne sai sul packaging dei chip? Perché un chip dovrebbe essere incapsulato? Quali sono i tipi di packaging dei chip? Packaging dei chip: in parole semplici, consiste nel posizionare il circuito integrato nudo (DIE) prodotto dalla fonderia su un substrato con funzione di supporto, quindi posizionare i piedini del tubo e infine fissare il packaging in un unico blocco. Funzione del packaging dei chip: il packaging dei chip svolge il ruolo di posizionare, fissare, sigillare, proteggere il chip e migliorarne le proprietà elettriche, ed è anche il ponte tra il mondo e i circuiti esterni, collegando i pin del package con i pin del contenitore tramite un filo. Questi pin sono collegati ad altri dispositivi tramite fili sul circuito stampato. Pertanto, il packaging svolge un ruolo importante nelle CPU e in altri circuiti integrati LSI. Tipi di packaging del chip

GD32 è un microcomputer a chip singolo sviluppato in Cina. Si dice che lo sviluppatore provenga dalla società ST e anche GD32 è realizzato con STM32 come modello. Pertanto, GD32 e STM32 sono gli stessi in molti punti. Tuttavia, dopo tutto GD32 è un prodotto diverso ed è impossibile seguire STM32 per tutto. Alcuni prodotti sviluppati internamente sono ancora diversi. Non parleremo degli stessi posti. Ecco i diversi posti.

Evoluzione del packaging CIS

Il radar montato sul veicolo è uno dei sensori principali della guida assistita avanzata (ADAS) e della guida senza pilota, e il chip radar montato sul veicolo è il nucleo del radar montato sul veicolo. Al giorno d'oggi, il chip a livello di veicolo altamente integrato (MMIC+DSP/MCU) fornisce una via chiave per la miniaturizzazione, l'elevata affidabilità, la stabilità e il basso costo del radar, e la sua importanza è evidente.

Ora "end-to-end" è popolare. Prendiamo come esempio una chiamata da cellulare e osserviamo l'intero processo del segnale dal cellulare alla stazione base per vedere a cosa servono la banda base e la RF.

Diodi TVS e diodi Zener: rispetto ai diodi Zener tradizionali, i diodi TVS TVS hanno un'area di giunzione P/N più ampia. Questo miglioramento strutturale consente a TVS di avere una maggiore capacità di resistenza all'alta tensione riducendo al tempo stesso il tasso di interruzione della tensione, quindi è necessario

1. Cos'è un diodo a recupero rapido? I diodi a recupero rapido sono comunemente utilizzati nei prodotti di rettifica e di ricircolo ad alta frequenza. Generalmente utilizzati per la parte di ingresso del modulo di potenza, la frequenza non è elevata, non è necessario utilizzare diodi a recupero rapido,

1. Per quanto riguarda la relazione tra il valore di picco della potenza assorbita della tensione transitoria e la larghezza dell'impulso della tensione transitoria, il manuale fornisce solo il valore di picco della potenza assorbita sotto una larghezza dell'impulso specifica, mentre la larghezza dell'impulso nell'effettiva

Il protettore elettrostatico ESD è un componente di protezione antistatico e da sovratensione, utilizzato per proteggere i circuiti sensibili nelle apparecchiature elettroniche dall'influenza delle ESD (scariche elettrostatiche), poiché lo scopo è trasferire lo stress ESD dal componente sensibile, in modo che la corrente scorra attraverso il componente protettivo anziché attraverso il componente sensibile, mantenendo al contempo una bassa tensione sul componente sensibile; ESD statico. Il protettore elettrico deve inoltre avere caratteristiche di bassa dispersione e bassa capacità, che non ridurranno la funzione del circuito; non causeranno danni ai segnali ad alta velocità e proteggeranno da stress multipli. La funzione dell'elemento di protezione non sarà ridotta.

Il tubo TVS è un dispositivo di protezione ad alta efficienza. Quando le due estremità sono soggette a un impatto istantaneo ad alta energia, il tubo TVS può convertire istantaneamente le sue caratteristiche di alta resistenza in caratteristiche di bassa resistenza, assorbire grandi correnti e bloccare la tensione su entrambe le estremità del tubo TVS. Ad un certo valore (il valore della tensione di tenuta del tubo TVS), il circuito posteriore è protetto dall'impatto di energia transitoria elevata e la sicurezza del circuito è protetta. Come mostrato di seguito. Per dirla semplicemente, se l'impatto di tensione che il circuito può sopportare non è superiore a 24 V CC, saldare un tubo TVS da 26 V all'alimentatore. Quando la tensione di alimentazione non supera i 26 V, il tubo TVS è in uno stato ad alta impedenza; Dopo un impulso superiore a 26 V, il tubo TVS può rapidamente bloccare la tensione del circuito a 24 V, garantendo così la sicurezza del circuito.

I vantaggi dei tubi TVS: 1. La velocità di risposta è estremamente rapida (livello Ps); 2. La tensione di rottura varia da 6.12 V a 550 V; 3. La tensione di bloccaggio è più precisa.

Non importa come viene generata la TV qui, come fulmini diretti o indiretti, scariche elettrostatiche, commutazione di carichi di grande capacità e altri fattori causano sovratensioni. La tensione varia da pochi volt a decine di kilovolt o anche di più.

La sua funzione principale è l'amplificazione della corrente (circuito analogico) e l'azione di commutazione (circuito digitale).

La sua caratteristica comune è quella di avere tre elettrodi, da qui l'abbreviazione "triodo". In generale, l'interno del triodo è una struttura a tre strati composta da semiconduttori di tipo P e semiconduttori di tipo N, che sono suddivisi in tipo NPN e tipo PNP secondo l'ordine gerarchico.

Capacità parassita e caratteristiche di temperatura del MOSFET

Quando acquistiamo e realizziamo soluzioni circuitali, spesso dobbiamo considerare la temperatura dei componenti. Dopotutto, ogni componente ha un limite di intervallo di temperatura. A questo punto, dobbiamo calcolare la temperatura dei componenti prima di selezionare i componenti adatti. Quindi i componenti originali Come calcolare la variazione di temperatura, l'editor di seguito condividerà con te il metodo di calcolo della temperatura del componente:

Spinta dalla crescente domanda nel mercato dei terminali per autoveicoli e dalla parità di prezzo con il silicio, la produzione di carburo di silicio (SiC) sta crescendo rapidamente. Migliaia di moduli semiconduttori di potenza sono già stati utilizzati nei veicoli elettrici per la ricarica a bordo, gli inverter di trazione e la conversione CC-CC. La maggior parte di essi è attualmente prodotta utilizzando IGBT a base di silicio. Tuttavia, il passaggio ai MOSFET a base di SiC ha raddoppiato la densità di potenza e accelerato la velocità di commutazione in package più piccoli e leggeri. I requisiti di alta tensione e di funzionamento in ambienti caldi e ostili stanno diventando sempre più stringenti per i veicoli elettrici e le stazioni di ricarica. Tuttavia, a causa dei maggiori costi di produzione e confezionamento dei materiali a banda proibita ampia, ci vorrà del tempo prima che il carburo di silicio (SiC) si affermi definitivamente. Ciononostante, questa situazione sta cambiando. Victor Veliadis, direttore esecutivo e responsabile tecnologico di PowerAmerica, ha affermato che i prezzi dei moduli di potenza in SiC sono ora paragonabili a quelli dei moduli a base di silicio, il che a sua volta promuove le partnership di fornitura e la costruzione di nuovi stabilimenti per la produzione di SiC. C'è ancora molto lavoro da fare. La tecnologia dei wafer di SiC necessita di un aggiornamento. La produzione di questi dispositivi richiede il 20% di nuovi strumenti di processo e l'80% di strumenti migliorati. Il nostro obiettivo è accelerare la velocità di produzione dei dispositivi di potenza integrati e discreti, motivo per cui i produttori automobilistici si stanno rivolgendo alla collaborazione diretta con le fonderie, dalla produzione dei wafer ai moduli.

Spinta dalla crescente domanda nel mercato dei terminali per autoveicoli e dalla parità di prezzo con il silicio, la produzione di carburo di silicio (SiC) sta crescendo rapidamente. Migliaia di moduli semiconduttori di potenza sono già stati utilizzati nei veicoli elettrici per la ricarica a bordo, gli inverter di trazione e la conversione CC-CC. La maggior parte di essi è attualmente prodotta utilizzando IGBT a base di silicio. Tuttavia, il passaggio ai MOSFET a base di SiC ha raddoppiato la densità di potenza e accelerato la velocità di commutazione in package più piccoli e leggeri. I requisiti di alta tensione e di funzionamento in ambienti caldi e ostili stanno diventando sempre più stringenti per i veicoli elettrici e le stazioni di ricarica. Tuttavia, a causa dei maggiori costi di produzione e confezionamento dei materiali a banda proibita ampia, ci vorrà del tempo prima che il carburo di silicio (SiC) si affermi definitivamente. Ciononostante, questa situazione sta cambiando. Victor Veliadis, direttore esecutivo e responsabile tecnologico di PowerAmerica, ha affermato che i prezzi dei moduli di potenza in SiC sono ora paragonabili a quelli dei moduli a base di silicio, il che a sua volta promuove le partnership di fornitura e la costruzione di nuovi stabilimenti per la produzione di SiC. C'è ancora molto lavoro da fare. La tecnologia dei wafer di SiC necessita di un aggiornamento. La produzione di questi dispositivi richiede il 20% di nuovi strumenti di processo e l'80% di strumenti migliorati. Il nostro obiettivo è accelerare la velocità di produzione dei dispositivi di potenza integrati e discreti, motivo per cui i produttori automobilistici si stanno rivolgendo alla collaborazione diretta con le fonderie, dalla produzione dei wafer ai moduli.