Perbedaan antara IGBT diskrit dan modul IGBT dapat dilihat dari peningkatan fungsional dan pengembangan IGBT diskrit. Bidang aplikasinya pada dasarnya sama. Namun, karena integrasi berbagai driver dan sirkuit proteksi, pemasangan modul IGBT jauh lebih mudah bagi pengguna. Dengan adopsi teknologi pengemasan baru, kinerja IGBT juga telah meningkat pesat, memperluas bidang aplikasi IGBT. Modul daya IGBT digerakkan oleh IC, berbagai sirkuit proteksi penggerak, chip IGBT berkinerja tinggi, dan teknologi pengemasan baru. Dari modul daya komposit PIM hingga modul daya cerdas IPM, bangunan elektronik PEBB, dan modul daya iPem. PIM berkembang ke arah tegangan tinggi dan arus tinggi, dan tingkat produknya adalah 1200-18.

Pendahuluan: Perangkat elektronik merupakan sistem yang sangat kompleks. Cacat dan kegagalan dalam proses pengemasan juga sangat kompleks. Oleh karena itu, penelitian tentang cacat dan kegagalan pengemasan perlu memiliki pemahaman sistematis tentang proses pengemasan, sehingga dapat menganalisis penyebab cacat dari berbagai sudut pandang. 1. Mekanisme kegagalan cacat dan kegagalan pengemasan dapat dibagi menjadi dua kategori: tegangan berlebih dan keausan. Kegagalan akibat tegangan berlebih seringkali terjadi secara instan dan dahsyat; kerusakan akibat keausan merupakan kerusakan kumulatif jangka panjang. Hal ini seringkali pertama kali ditunjukkan sebagai penurunan kinerja, dan kemudian perangkat menjadi tidak berfungsi. Jenis kegagalan dapat dibagi menjadi beban mekanis, termal, listrik, radiasi, dan kimia. Faktor-faktor yang memengaruhi cacat dan kegagalan pengemasan sangat beragam, termasuk komposisi material.

Seberapa banyak yang Anda ketahui tentang pengemasan chip? Mengapa chip harus dienkapsulasi? Apa saja jenis pengemasan chip? Pengemasan chip: Secara sederhana, ini adalah menempatkan chip (DIE) sirkuit terpadu yang diproduksi oleh Foundry pada substrat dengan efek penahan, kemudian memasang kaki tabung, dan kemudian menyatukan kemasan menjadi satu kesatuan. Fungsi pengemasan chip: Pengemasan chip berperan dalam menempatkan, memperbaiki, menyegel, melindungi chip, dan meningkatkan sifat listrik, dan juga merupakan jembatan antara dunia luar dan sirkuit eksternal chip - koneksi chip ke pin cangkang kemasan dengan koneksi kawat ke pin cangkang. Pin-pin ini terhubung ke perangkat lain melalui kabel pada papan sirkuit tercetak. Oleh karena itu, pengemasan memainkan peran penting dalam CPU dan sirkuit terpadu LSI lainnya. Jenis pengemasan chip di dunia

GD32 adalah komputer mikro chip tunggal yang dikembangkan di Tiongkok. Konon pengembangnya dari ST Company, dan GD32 juga dibuat dengan STM32 sebagai templatenya. Oleh karena itu, GD32 dan STM32 sama di banyak tempat. Namun, GD32 adalah produk yang berbeda, dan tidak mungkin mengikuti STM32 untuk semuanya. Beberapa produk yang dikembangkan sendiri masih berbeda. Kami tidak akan membicarakan tempat yang sama. Berikut adalah tempat-tempat yang berbeda.

Evolusi Kemasan CIS

Radar yang dipasang di kendaraan adalah salah satu sensor inti dari Advanced Assisted Driving (ADAS) dan mengemudi tanpa awak, dan chip radar yang dipasang di kendaraan adalah inti dari radar yang dipasang di kendaraan. Saat ini, chip tingkat kendaraan yang sangat terintegrasi (MMIC+DSP/MCU) menyediakan cara utama untuk miniaturisasi, keandalan tinggi, stabilitas, dan biaya radar yang rendah, dan pentingnya hal ini terbukti dengan sendirinya.

Sekarang "end-to-end" sedang populer. Mari kita ambil contoh panggilan telepon seluler dan amati seluruh proses sinyal dari telepon seluler ke stasiun pangkalan untuk melihat apa gunanya pita dasar dan RF.

Dioda TVS vs Dioda Zener: Dibandingkan dengan dioda Zener tradisional, dioda TVS TVS memiliki area sambungan P/N yang lebih besar. Perbaikan struktural ini memungkinkan TVS memiliki kemampuan menahan tegangan tinggi yang lebih kuat sekaligus mengurangi tingkat pemutusan tegangan, sehingga menjadi lebih baik

1. Apa itu dioda pemulihan cepat? Dioda pemulihan cepat umumnya digunakan dalam produk penyearah dan freewheeling frekuensi tinggi. Umumnya digunakan untuk bagian input modul daya, frekuensinya tidak tinggi, sehingga tidak perlu menggunakan dioda pemulihan cepat.

1. Mengenai hubungan antara nilai puncak daya serap tegangan transien dan lebar pulsa tegangan transien, manual hanya memberikan nilai puncak daya serap pada lebar pulsa tertentu, sedangkan lebar pulsa pada kondisi sebenarnya

Pelindung elektrostatik ESD adalah komponen perlindungan anti-statis terhadap tegangan berlebih, digunakan untuk melindungi sirkuit sensitif pada peralatan elektronik dari pengaruh ESD (pelepasan muatan listrik statis), karena tujuannya adalah untuk mentransfer tegangan ESD dari komponen sensitif, sehingga arus mengalir melalui komponen pelindung dan bukan melalui komponen sensitif, dengan tetap menjaga tegangan rendah pada komponen sensitif; ESD statis. Pelindung listrik juga harus memiliki karakteristik kebocoran dan kapasitansi rendah, yang tidak akan mengurangi fungsi sirkuit; tidak akan menyebabkan kerusakan pada sinyal berkecepatan tinggi, dan akan melindungi dari berbagai tegangan. Fungsi elemen perlindungan tidak akan berkurang.

Tabung TVS adalah perangkat perlindungan efisiensi tinggi. Ketika kedua ujungnya terkena dampak energi tinggi seketika, tabung TVS dapat langsung mengubah karakteristik resistansi tinggi menjadi karakteristik resistansi rendah, menyerap arus besar, dan menjepit tegangan di kedua ujung tabung TVS. Pada nilai tertentu (nilai tegangan tahan tabung TVS), rangkaian belakang terlindungi dari dampak energi tinggi transien dan keselamatan rangkaian terlindungi. Seperti yang ditunjukkan di bawah ini. Sederhananya, jika dampak tegangan yang dapat ditahan rangkaian tidak lebih tinggi dari DC24V, maka las tabung TVS 26V pada catu daya. Ketika tegangan catu daya tidak melebihi 26V, tabung TVS berada dalam keadaan impedansi tinggi; Setelah pulsa lebih tinggi dari 26V, tabung TVS dapat dengan cepat menjepit tegangan rangkaian menjadi 24V, sehingga menjamin keamanan papan sirkuit.

Keunggulan tabung TVS: 1. Kecepatan respon sangat cepat (level Ps); 2. Tegangan rusaknya berkisar antara 6.12V hingga 550V; 3. Tegangan penjepitan lebih akurat.

Tidak peduli bagaimana TV dihasilkan di sini, seperti sambaran petir langsung atau tidak langsung, pelepasan muatan listrik statis, peralihan beban berkapasitas besar, dan faktor lain yang menyebabkan lonjakan arus. Tegangannya berkisar dari beberapa volt hingga puluhan kilovolt atau bahkan lebih tinggi.

Fungsi utamanya adalah penguatan arus (rangkaian analog) dan aksi switching (rangkaian digital).

Ciri umumnya adalah ia memiliki tiga elektroda, yang merupakan asal mula singkatan "triode". Secara umum, bagian dalam triode adalah struktur tiga lapisan yang terdiri dari semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N, yang dibagi menjadi tipe NPN dan tipe PNP sesuai urutan hierarki.

Karakteristik Kapasitansi Parasit dan Suhu MOSFET

Saat kita membeli dan membuat solusi rangkaian, kita sering kali perlu mempertimbangkan suhu komponen. Toh setiap komponen mempunyai batasan kisaran suhu. Saat ini, kita perlu menghitung suhu komponen sebelum memilih komponen yang sesuai. Kemudian komponen asli Cara menghitung perubahan suhu, editor di bawah ini akan membagikan kepada Anda cara menghitung suhu komponen:

Didorong oleh meningkatnya permintaan di pasar terminal otomotif dan kesamaan harga dengan silikon, produksi silikon karbida (SiC) berkembang pesat. Ribuan modul semikonduktor daya telah digunakan dalam kendaraan listrik untuk pengisian daya di dalam kendaraan, inverter traksi, dan konversi DC-ke-DC. Sebagian besar saat ini diproduksi menggunakan IGBT berbasis silikon. Namun, peralihan ke MOSFET berbasis SiC telah menggandakan kepadatan daya dan mempercepat kecepatan switching dalam paket yang lebih kecil dan ringan. Persyaratan untuk tegangan tinggi dan pengoperasian di lingkungan yang panas dan keras semakin menuntut bagi kendaraan listrik dan stasiun pengisian daya. Namun, karena biaya manufaktur dan pengemasan material pita lebar yang lebih tinggi, dibutuhkan waktu bagi silikon karbida (SiC) untuk mendapatkan pijakan yang kuat. Meskipun demikian, situasi ini sedang berubah. Victor Veliadis, Direktur Eksekutif dan Kepala Teknologi PowerAmerica, menyatakan bahwa harga modul daya SiC sekarang sebanding dengan modul berbasis silikon, yang pada gilirannya mendorong kemitraan pasokan dan pembangunan pabrik SiC baru. Masih banyak pekerjaan yang harus dilakukan. Teknologi wafer SiC perlu ditingkatkan. Pembuatan perangkat ini membutuhkan 20% alat proses baru dan 80% alat yang lebih baik. Tujuan kami adalah untuk mempercepat laju pergantian perangkat daya terintegrasi dan diskrit, itulah sebabnya produsen otomotif beralih ke kolaborasi langsung wafer-ke-modul dengan pabrik semikonduktor.

Didorong oleh meningkatnya permintaan di pasar terminal otomotif dan kesamaan harga dengan silikon, produksi silikon karbida (SiC) berkembang pesat. Ribuan modul semikonduktor daya telah digunakan dalam kendaraan listrik untuk pengisian daya di dalam kendaraan, inverter traksi, dan konversi DC-ke-DC. Sebagian besar saat ini diproduksi menggunakan IGBT berbasis silikon. Namun, peralihan ke MOSFET berbasis SiC telah menggandakan kepadatan daya dan mempercepat kecepatan switching dalam paket yang lebih kecil dan ringan. Persyaratan untuk tegangan tinggi dan pengoperasian di lingkungan yang panas dan keras semakin menuntut bagi kendaraan listrik dan stasiun pengisian daya. Namun, karena biaya manufaktur dan pengemasan material pita lebar yang lebih tinggi, dibutuhkan waktu bagi silikon karbida (SiC) untuk mendapatkan pijakan yang kuat. Meskipun demikian, situasi ini sedang berubah. Victor Veliadis, Direktur Eksekutif dan Kepala Teknologi PowerAmerica, menyatakan bahwa harga modul daya SiC sekarang sebanding dengan modul berbasis silikon, yang pada gilirannya mendorong kemitraan pasokan dan pembangunan pabrik SiC baru. Masih banyak pekerjaan yang harus dilakukan. Teknologi wafer SiC perlu ditingkatkan. Pembuatan perangkat ini membutuhkan 20% alat proses baru dan 80% alat yang lebih baik. Tujuan kami adalah untuk mempercepat laju pergantian perangkat daya terintegrasi dan diskrit, itulah sebabnya produsen otomotif beralih ke kolaborasi langsung wafer-ke-modul dengan pabrik semikonduktor.