Het verschil tussen een discrete IGBT en een IGBT-module is dat de IGBT-module kan worden beschouwd als een functionele verbetering en upgrade van de discrete IGBT. Hun toepassingsgebieden zijn in principe hetzelfde. Door de integratie van diverse drivers en beveiligingscircuits is de installatie van de IGBT-module echter veel eenvoudiger voor de gebruiker. Met de toepassing van nieuwe verpakkingstechnologieën zijn de prestaties van de IGBT ook sterk verbeterd, waardoor het toepassingsgebied van de IGBT is uitgebreid. De IGBT-vermogensmodule wordt aangestuurd door IC's, diverse driver- en beveiligingscircuits, hoogwaardige IGBT-chips en nieuwe verpakkingstechnologieën. Van de composietvermogensmodule PIM tot de slimme vermogensmodule IPM, de elektronische bouwmodule PEBB en de vermogensmodule iPem. PIM ontwikkelt zich in de richting van hoogspanning en stroom, en het productniveau ligt tussen 1200 en 18 kW.

Inleiding: Elektronische apparaten zijn zeer complexe systemen. Defecten en storingen in het verpakkingsproces zijn eveneens zeer complex. Daarom vereist onderzoek naar verpakkingsdefecten en -storingen een systematisch begrip van het verpakkingsproces, om de oorzaken van defecten vanuit meerdere invalshoeken te analyseren. 1. Het falingsmechanisme van verpakkingsdefecten en -storingen kan worden onderverdeeld in twee categorieën: overbelasting en slijtage. Falen door overbelasting is vaak onmiddellijk en catastrofaal; slijtage is een langdurig cumulatief schadeverloop. Het wordt vaak eerst aangegeven als prestatievermindering, waarna het apparaat onbruikbaar wordt. Het type falen kan worden onderverdeeld in mechanische, thermische, elektrische, stralings- en chemische belastingen. Factoren die van invloed zijn op verpakkingsdefecten en -storingen zijn divers, waaronder de materiaalsamenstelling.

Hoeveel weet u over chipverpakking? Waarom moet een chip worden ingekapseld? Wat zijn de verschillende soorten chipverpakking? Chipverpakking: Simpel gezegd is het het plaatsen van de door de gieterij geproduceerde chip (DIE) op een substraat met een dragende werking, waarna de contactpunten worden aangebracht en de verpakking tot een geheel wordt gefixeerd. Functie van chipverpakking: Chipverpakking speelt een belangrijke rol bij het plaatsen, fixeren, afdichten en beschermen van de chip en het verbeteren van de elektrische eigenschappen. Het vormt ook de verbinding tussen de chip en de externe circuits, waarbij de chip-chip-pinnen via een draadverbinding met de pinnen van de behuizing verbonden zijn. Deze pinnen zijn via draden op de printplaat verbonden met andere componenten. Daarom speelt verpakking een belangrijke rol in CPU's en andere LSI-geïntegreerde schakelingen. De verschillende soorten chipverpakkingen wereldwijd.

GD32 is een microcomputer met één chip, ontwikkeld in China. Er wordt gezegd dat de ontwikkelaar van ST Company is, en GD32 is ook gemaakt met STM32 als sjabloon. Daarom zijn GD32 en STM32 op veel plaatsen hetzelfde. GD32 is echter toch een ander product en het is onmogelijk om STM32 voor alles te volgen. Sommige zelf ontwikkelde producten zijn nog steeds verschillend. We zullen het niet over dezelfde plaatsen hebben. Hier zijn de verschillende plaatsen.

Evolutie van CIS-verpakkingen

Op een voertuig gemonteerde radar is een van de kernsensoren van Advanced Assisted Driving (ADAS) en onbemand rijden, en de op een voertuig gemonteerde radarchip is de kern van op een voertuig gemonteerde radar. Tegenwoordig biedt de sterk geïntegreerde (MMIC+DSP/MCU) chip op voertuigniveau een belangrijke manier voor miniaturisatie, hoge betrouwbaarheid, stabiliteit en lage radarkosten, en het belang ervan is vanzelfsprekend.

Nu is "end-to-end" populair. Laten we het mobiele telefoongesprek als voorbeeld nemen en het hele signaalproces van mobiele telefoon naar basisstation observeren om te zien waar basisband en RF voor dienen.

TVS-diodes versus zenerdiodes: Vergeleken met traditionele zenerdiodes hebben TVS TVS-diodes een groter P/N-overgangsgebied. Deze structurele verbetering zorgt ervoor dat TVS een sterker hoogspanningsbestendig vermogen heeft en tegelijkertijd de spanningsafsnijsnelheid verlaagt, dus het heeft een bestaan

1. Wat is een snelle hersteldiodes? Snelle hersteldiodes worden vaak gebruikt in gelijkrichtings- en vrijloopproducten met hogere frequenties. Ze worden doorgaans gebruikt in het ingangsgedeelte van de vermogensmodule, waar de frequentie niet hoog is en het gebruik van snelle hersteldiodes niet nodig is.

1. Wat betreft de relatie tussen de piekwaarde van het geabsorbeerde vermogen van de transiënte spanning en de pulsbreedte van de transiënte spanning, geeft de handleiding alleen de piekwaarde van het geabsorbeerde vermogen bij een specifieke pulsbreedte, terwijl de pulsbreedte in werkelijkheid anders is.

ESD-elektrostatische beveiliging is een component ter bescherming tegen overspanning en statische elektriciteit. Het wordt gebruikt om gevoelige circuits in elektronische apparatuur te beschermen tegen de invloed van ESD (elektrostatische ontlading). Het doel is om de ESD-spanning van het gevoelige onderdeel over te brengen, zodat de stroom door het beschermende onderdeel vloeit in plaats van door het gevoelige onderdeel, terwijl de lage spanning op het gevoelige onderdeel behouden blijft. ESD-statische elektriciteit De elektrische beveiliging moet ook een lage lekstroom en een lage capaciteit hebben, die de werking van het circuit niet verminderen. Deze spanning veroorzaakt geen schade aan hogesnelheidssignalen en beschermt tegen meervoudige spanningen. De functie van het beveiligingselement wordt niet verminderd.

De TVS-buis is een hoogefficiënt beveiligingsapparaat. Wanneer de twee uiteinden worden onderworpen aan een onmiddellijke impact met hoge energie, kan de TVS-buis onmiddellijk zijn hoge-weerstandskarakteristieken omzetten in lage-weerstandskarakteristieken, grote stromen absorberen en de spanning aan beide uiteinden van de TVS-buis vastklemmen. Bij een bepaalde waarde (de weerstandsspanningswaarde van de TVS-buis) is het achterste circuit beschermd tegen de impact van voorbijgaande hoge energie en is de veiligheid van het circuit beschermd. Zoals hieronder weergegeven. Simpel gezegd: als de spanningsimpact die het circuit kan weerstaan niet hoger is dan DC24V, las dan een 26V TVS-buis aan de voeding. Wanneer de voedingsspanning de 26V niet overschrijdt, bevindt de TVS-buis zich in een hoogohmige toestand; Na een puls hoger dan 26V kan de TVS-buis de circuitspanning snel op 24V klemmen, waardoor de veiligheid van de printplaat wordt gewaarborgd.

De voordelen van TVS-buizen: 1. De reactiesnelheid is extreem snel (Ps-niveau); 2. De doorslagspanning varieert van 6.12V tot 550V; 3. De klemspanning is nauwkeuriger.

Het maakt niet uit hoe de tv hier wordt gegenereerd, zoals directe of indirecte blikseminslagen, elektrostatische ontladingen, belastingschakelingen met grote capaciteit en andere factoren veroorzaken stroompieken. De spanning varieert van enkele volts tot tientallen kilovolts of zelfs hoger.

De belangrijkste functie is stroomversterking (analoog circuit) en schakelactie (digitaal circuit).

Het gemeenschappelijke kenmerk is dat het drie elektroden heeft, wat de oorsprong is van de afkorting "triode". Over het algemeen is het interieur van de triode een drielaagse structuur bestaande uit halfgeleiders van het P-type en halfgeleiders van het N-type, die volgens de hiërarchische volgorde zijn onderverdeeld in NPN-type en PNP-type.

Parasitaire capaciteit en temperatuurkenmerken van MOSFET

Wanneer we circuitoplossingen kopen en maken, moeten we vaak rekening houden met de temperatuur van de componenten. Elk onderdeel heeft immers een temperatuurbereiklimiet. Op dit moment moeten we de temperatuur van de componenten berekenen voordat we geschikte componenten selecteren. Dan de originele componenten Hoe de temperatuurverandering te berekenen, de onderstaande editor zal de berekeningsmethode van de componenttemperatuur met u delen:

Gedreven door de toenemende vraag in de markt voor auto-onderdelen en de prijsgelijkheid met silicium, groeit de productie van siliciumcarbide (SiC) snel. Duizenden vermogenshalfgeleidermodules worden al gebruikt in elektrische voertuigen voor laadsystemen aan boord, tractie-omvormers en DC-DC-conversie. De meeste hiervan worden momenteel geproduceerd met behulp van op silicium gebaseerde IGBT's. De overstap naar op SiC gebaseerde MOSFET's heeft echter de vermogensdichtheid verdubbeld en de schakelsnelheid versneld in kleinere, lichtere behuizingen. De eisen voor hoge spanning en werking in hete en extreme omstandigheden worden steeds hoger voor elektrische voertuigen en laadstations. Vanwege de hogere productie- en verpakkingskosten van materialen met een brede bandgap zal het echter nog enige tijd duren voordat siliciumcarbide (SiC) een stevige positie verwerft. Deze situatie verandert echter. Victor Veliadis, uitvoerend directeur en Chief Technology Officer van PowerAmerica, stelt dat de prijzen van SiC-vermogensmodules nu vergelijkbaar zijn met die van op silicium gebaseerde modules, wat op zijn beurt samenwerkingsverbanden met toeleveranciers en de bouw van nieuwe SiC-fabrieken stimuleert. Er is echter nog veel werk aan de winkel. De SiC-wafertechnologie moet worden verbeterd. Voor de productie van deze componenten zijn 20% nieuwe procesapparatuur en 80% verbeterde apparatuur nodig. Ons doel is om de doorlooptijd van geïntegreerde en discrete vermogenscomponenten te versnellen. Daarom kiezen autofabrikanten steeds vaker voor directe samenwerking met gieterijen, van wafer tot module.

Gedreven door de toenemende vraag in de markt voor auto-onderdelen en de prijsgelijkheid met silicium, groeit de productie van siliciumcarbide (SiC) snel. Duizenden vermogenshalfgeleidermodules worden al gebruikt in elektrische voertuigen voor laadsystemen aan boord, tractie-omvormers en DC-DC-conversie. De meeste hiervan worden momenteel geproduceerd met behulp van op silicium gebaseerde IGBT's. De overstap naar op SiC gebaseerde MOSFET's heeft echter de vermogensdichtheid verdubbeld en de schakelsnelheid versneld in kleinere, lichtere behuizingen. De eisen voor hoge spanning en werking in hete en extreme omstandigheden worden steeds hoger voor elektrische voertuigen en laadstations. Vanwege de hogere productie- en verpakkingskosten van materialen met een brede bandgap zal het echter nog enige tijd duren voordat siliciumcarbide (SiC) een stevige positie verwerft. Deze situatie verandert echter. Victor Veliadis, uitvoerend directeur en Chief Technology Officer van PowerAmerica, stelt dat de prijzen van SiC-vermogensmodules nu vergelijkbaar zijn met die van op silicium gebaseerde modules, wat op zijn beurt samenwerkingsverbanden met toeleveranciers en de bouw van nieuwe SiC-fabrieken stimuleert. Er is echter nog veel werk aan de winkel. De SiC-wafertechnologie moet worden verbeterd. Voor de productie van deze componenten zijn 20% nieuwe procesapparatuur en 80% verbeterde apparatuur nodig. Ons doel is om de doorlooptijd van geïntegreerde en discrete vermogenscomponenten te versnellen. Daarom kiezen autofabrikanten steeds vaker voor directe samenwerking met gieterijen, van wafer tot module.