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IGBT 이산 모듈과 IGBT 모듈의 차이점
2022-03-17
1313
개별 IGBT와 IGBT 모듈의 차이점은 IGBT 모듈이 개별 IGBT의 기능 개선 및 업그레이드 버전으로 볼 수 있다는 점입니다. 두 제품의 적용 분야는 기본적으로 동일합니다. 그러나 IGBT 모듈은 다양한 드라이버와 보호 회로가 통합되어 있어 사용자의 설치 편의성이 크게 향상되었습니다. 새로운 패키징 기술의 도입으로 IGBT의 성능 또한 크게 향상되어 IGBT의 적용 분야가 더욱 확대되었습니다. IGBT 전력 모듈은 IC, 다양한 구동 및 보호 회로, 고성능 IGBT 칩, 그리고 새로운 패키징 기술로 구동됩니다. 복합 전력 모듈 PIM부터 스마트 전력 모듈 IPM, 전자 전자 빌딩 PEBB, 그리고 전력 모듈 iPem에 이르기까지 다양한 제품이 개발되고 있습니다. PIM은 고전압, 고전류 방향으로 발전하고 있으며, 제품 수준은 1200~18V급까지 다양합니다.
전자포장의 신뢰성 ｜ 포장 불량 및 불량의 형태
2022-03-17
1026
서론: 전자 기기는 매우 복잡한 시스템입니다. 포장 공정의 결함 및 고장 또한 매우 복잡합니다. 따라서 포장 결함 및 고장에 대한 연구는 포장 공정에 대한 체계적인 이해를 바탕으로 다양한 관점에서 결함 원인을 분석해야 합니다. 1. 포장 결함 및 고장의 고장 메커니즘은 과응력과 마모의 두 가지 범주로 나눌 수 있습니다. 과응력으로 인한 고장은 종종 순간적이고 치명적입니다. 마모로 인한 고장은 장기간에 걸쳐 누적되는 손상입니다. 일반적으로 초기에는 성능 저하로 나타나다가 결국 기기가 작동 불능 상태가 됩니다. 고장 유형은 기계적, 열적, 전기적, 방사선 및 화학적 부하로 구분할 수 있습니다. 포장 결함 및 고장에 영향을 미치는 요인은 다양하며, 재료 구성 또한 중요한 요소입니다.
칩 캡슐화 유형 요약 - 당신과 함께 사용됩니까?
2022-03-17
1004
칩 패키징에 대해 얼마나 알고 계십니까? 칩은 왜 패키징되어야 할까요? 칩 패키징에는 어떤 종류가 있을까요? 칩 패키징이란 간단히 말해 파운드리에서 생산된 집적 회로(DIE)를 베어링 효과가 있는 기판 위에 놓고 튜브 풋을 연결한 다음 패키지로 고정하여 완성하는 것입니다. 칩 패키징의 기능은 칩을 배치, 고정, 밀봉, 보호하고 전기적 특성을 향상시키는 것입니다. 또한 칩과 패키지 쉘의 핀을 연결하고, 이 핀들을 통해 인쇄 회로 기판의 다른 장치와 연결하는 다리 역할도 합니다. 따라서 패키징은 CPU 및 기타 LSI 집적 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 칩 패키징의 종류는 다음과 같습니다.
STM32를 GD32로 교체하고 싶으십니까? 이러한 세부 사항을 알고 있어야합니다
2022-03-17
1015
GD32는 중국에서 개발된 단일 칩 마이크로컴퓨터입니다. 개발자는 ST컴퍼니 출신이고, GD32도 STM32를 템플릿으로 만들어졌다고 합니다. 따라서 GD32와 STM32는 여러군데 동일합니다. 하지만 GD32는 결국 다른 제품이고 STM32를 전부 따라하는 것은 불가능합니다. 자체 개발한 일부 제품은 여전히 다릅니다. 같은 장소에 대해 이야기하지 않겠습니다. 여기 다양한 장소가 있습니다.
TI 2세대 레이더 칩 심층 분석
2022-03-17
996
차량 탑재 레이더는 ADAS(Advanced Assisted Driving) 및 무인 운전의 핵심 센서 중 하나이며, 차량 탑재 레이더 칩은 차량 탑재 레이더의 핵심이다. 오늘날 고집적(MMIC+DSP/MCU) 차량 레벨 칩은 레이더의 소형화, 높은 신뢰성, 안정성 및 저렴한 비용을 위한 핵심 방법을 제공하며 그 중요성은 자명합니다.
베이스밴드와 무선 주파수의 용도는 무엇입니까?
2022-04-14
1005
이제는 "엔드 투 엔드(end-to-end)"가 인기를 끌고 있습니다. 휴대폰 통화를 예로 들어 휴대폰에서 기지국까지 신호가 전달되는 전체 과정을 관찰하여 베이스밴드와 RF가 무엇인지 살펴보겠습니다.
다른 유사한 제품에 비해 TVS 다이오드의 장점은 무엇입니까?
2022-11-09
967
TVS 다이오드 대 제너 다이오드: 기존 제너 다이오드에 비해 TVS TVS 다이오드는 P/N 접합 영역이 더 큽니다. 이러한 구조적 개선을 통해 TVS는 전압 차단율을 낮추면서 보다 강력한 고전압 내력을 갖게 되므로,
빠른 복구 다이오드
2022-11-09
991
1. 고속 복구 다이오드란 무엇인가? 고속 복구 다이오드는 고주파 정류 및 프리휠링 제품에 일반적으로 사용됩니다. 일반적으로 전력 모듈의 입력 부분에 사용되는 경우, 주파수가 높지 않으므로 고속 복구 다이오드를 사용할 필요가 없습니다.
TVS 장치에 대한 주의 사항은 무엇입니까?
2022-11-12
953
1. 과도 전압 흡수 전력의 최대값과 과도 전압 펄스 폭 사이의 관계에 관하여, 매뉴얼에는 특정 펄스 폭에서의 흡수 전력 최대값만 제시되어 있지만, 실제 펄스 폭은 다릅니다.
ESD 정전기 방지 장치의 제품 특징 및 선택
2022-11-17
1001
ESD 정전 보호기는 과전압, 정전 방지 보호 부품으로, 전자 장비의 민감한 회로를 ESD(정전기 방전)의 영향으로부터 보호하는 데 사용됩니다. 목적은 민감한 부품에서 ESD 스트레스를 전달하여 민감한 부품 대신 보호 부품을 통해 전류가 흐르도록 하고, 민감한 부품의 전압을 낮게 유지하는 것입니다. ESD 정전 전기 보호기는 누설 전류와 정전 용량 특성이 낮아야 하며, 회로 기능이 저하되지 않고 고속 신호가 손상되지 않으며 다중 스트레스로부터 보호됩니다. 보호 소자의 기능이 저하되지 않습니다.
TVS 다이오드의 기능은 무엇입니까?
2022-11-18
990
TVS 튜브는 고효율 보호 장치입니다. 두 끝이 순간적인 고에너지 충격을 받으면 TVS 튜브는 고저항 특성을 저저항 특성으로 즉시 변환하고 큰 전류를 흡수하며 TVS 튜브의 양쪽 끝에서 전압을 클램핑할 수 있습니다. 특정 값(TVS 진공관의 내전압 값)에서는 일시적인 고에너지의 충격으로부터 후면 회로가 보호되어 회로의 안전성이 보호됩니다. 아래 그림과 같이. 간단히 말해서, 회로가 견딜 수 있는 전압 충격이 DC24V보다 높지 않으면 전원 공급 장치에 26V TVS 튜브를 용접하십시오. 전원 공급 장치 전압이 26V를 초과하지 않으면 TVS 튜브는 높은 임피던스 상태에 있습니다. 26V보다 높은 펄스 후에 TVS 튜브는 회로 전압을 24V로 신속하게 고정하여 회로 기판의 안전을 보장할 수 있습니다.
과도 억제 다이오드 TVS 선택
2022-11-26
965
TVS 튜브의 장점: 1. 응답 속도가 매우 빠릅니다(Ps 수준). 2. 항복 전압 범위는 6.12V ~ 550V입니다. 3. 클램핑 전압이 더 정확해졌습니다.
TVS 튜브와 ESD 보호 다이오드의 차이점
2022-12-01
1081
직간접적인 낙뢰, 정전기 방전, 대용량 부하 전환 및 기타 요인으로 인해 TV가 어떻게 생성되는지에 관계없이 서지가 발생합니다. 전압 범위는 수 볼트에서 수십 킬로볼트 또는 그 이상입니다.
트랜지스터의 기본 지식 및 작동 원리
2022-12-07
1096
공통적인 특징은 3개의 전극을 갖고 있다는 점인데, 이는 약어 '삼극관(triode)'의 유래다. 일반적으로 3극관 내부는 P형 반도체와 N형 반도체로 구성된 3층 구조로 되어 있으며, 계층적 순서에 따라 NPN형과 PNP형으로 구분된다.
부품 온도를 계산하는 방법은 무엇입니까?
2023-03-31
1052
회로 솔루션을 구매하고 제작할 때 부품의 온도를 고려해야 하는 경우가 많습니다. 결국 각 구성 요소에는 온도 범위 제한이 있습니다. 이때 적합한 부품을 선택하기 전에 부품의 온도를 계산해야 합니다. 그런 다음 원래 구성 요소 온도 변화를 계산하는 방법, 아래 편집기에서 구성 요소 온도 계산 방법을 공유합니다.
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SiC 시대를 여는 전력반도체(전편)
2023-09-05
992
자동차 단말 시장의 수요 증가와 실리콘과의 가격 경쟁력 덕분에 탄화규소(SiC) 생산량이 빠르게 증가하고 있습니다. 이미 수천 개의 전력 반도체 모듈이 전기차의 온보드 충전, 트랙션 인버터, DC-DC 변환 등에 사용되고 있습니다. 현재 대부분의 모듈은 실리콘 기반 IGBT를 사용하여 제조되고 있습니다. 그러나 SiC 기반 MOSFET으로의 전환은 전력 밀도를 두 배로 높이고 스위칭 속도를 향상시키면서 더 작고 가벼운 패키지를 구현할 수 있게 했습니다. 전기차와 충전소는 고전압 및 고온·가혹한 환경에서의 작동에 대한 요구 사항이 점점 더 까다로워지고 있습니다. 하지만 광대역 갭 소재의 높은 제조 및 패키징 비용 때문에 탄화규소(SiC)가 시장에서 확고한 입지를 확보하기까지는 시간이 걸릴 것으로 예상됩니다. 그럼에도 불구하고 이러한 상황은 변화하고 있습니다. 파워아메리카(PowerAmerica)의 최고기술책임자(CTO) 겸 최고경영자(CTO)인 빅터 벨리아디스(Victor Veliadis)는 SiC 전력 모듈의 가격이 이제 실리콘 기반 모듈과 비슷한 수준에 도달했으며, 이는 공급 파트너십 구축과 새로운 SiC 공장 건설을 촉진하고 있다고 밝혔습니다. 물론 아직 갈 길이 멀지만 말입니다. SiC 웨이퍼 기술의 업그레이드가 필요합니다. 이러한 소자를 제조하려면 20%의 새로운 공정 장비와 80%의 기존 장비 개선이 요구됩니다. 저희 목표는 집적 및 개별 전력 소자의 생산 속도를 가속화하는 것이며, 이것이 바로 자동차 제조업체들이 파운드리와의 직접적인 웨이퍼-모듈 협력에 주목하는 이유입니다.
SiC 시대를 여는 전력반도체(후편)
2023-09-05
884
자동차 단말 시장의 수요 증가와 실리콘과의 가격 경쟁력 덕분에 탄화규소(SiC) 생산량이 빠르게 증가하고 있습니다. 이미 수천 개의 전력 반도체 모듈이 전기차의 온보드 충전, 트랙션 인버터, DC-DC 변환 등에 사용되고 있습니다. 현재 대부분의 모듈은 실리콘 기반 IGBT를 사용하여 제조되고 있습니다. 그러나 SiC 기반 MOSFET으로의 전환은 전력 밀도를 두 배로 높이고 스위칭 속도를 향상시키면서 더 작고 가벼운 패키지를 구현할 수 있게 했습니다. 전기차와 충전소는 고전압 및 고온·가혹한 환경에서의 작동에 대한 요구 사항이 점점 더 까다로워지고 있습니다. 하지만 광대역 갭 소재의 높은 제조 및 패키징 비용 때문에 탄화규소(SiC)가 시장에서 확고한 입지를 확보하기까지는 시간이 걸릴 것으로 예상됩니다. 그럼에도 불구하고 이러한 상황은 변화하고 있습니다. 파워아메리카(PowerAmerica)의 최고기술책임자(CTO) 겸 최고경영자(CTO)인 빅터 벨리아디스(Victor Veliadis)는 SiC 전력 모듈의 가격이 이제 실리콘 기반 모듈과 비슷한 수준에 도달했으며, 이는 공급 파트너십 구축과 새로운 SiC 공장 건설을 촉진하고 있다고 밝혔습니다. 물론 아직 갈 길이 멀지만 말입니다. SiC 웨이퍼 기술의 업그레이드가 필요합니다. 이러한 소자를 제조하려면 20%의 새로운 공정 장비와 80%의 기존 장비 개선이 요구됩니다. 저희 목표는 집적 및 개별 전력 소자의 생산 속도를 가속화하는 것이며, 이것이 바로 자동차 제조업체들이 파운드리와의 직접적인 웨이퍼-모듈 협력에 주목하는 이유입니다.
粤公网安备44030002007346号