تفاوت بین IGBT گسسته و ماژول IGBT را میتوان به عنوان بهبود و ارتقاء عملکردی IGBT گسسته در نظر گرفت. زمینههای کاربرد آنها اساساً یکسان است. با این حال، به دلیل ادغام درایورها و مدارهای حفاظتی مختلف، نصب ماژول IGBT برای کاربران بسیار راحت است. با اتخاذ فناوری بستهبندی جدید، عملکرد IGBT نیز بسیار بهبود یافته است و زمینه کاربرد IGBT را گسترش میدهد. ماژول قدرت IGBT توسط IC، مدارهای حفاظتی مختلف درایو، تراشههای IGBT با کارایی بالا و فناوری بستهبندی جدید هدایت میشود. از ماژول قدرت کامپوزیت PIM گرفته تا ماژول قدرت هوشمند IPM، ساختمان الکترونیکی PEBB و ماژول قدرت iPem. PIM در جهت جریان ولتاژ بالا در حال توسعه است و سطح محصول 1200-18 است.

مقدمه: دستگاههای الکترونیکی یک سیستم بسیار پیچیده هستند. نقصها و خرابیهای فرآیند بستهبندی نیز بسیار پیچیده هستند. بنابراین، تحقیق در مورد نقص و خرابی بستهبندی نیاز به درک سیستماتیک از فرآیند بستهبندی دارد تا بتوان علل نقصها را از زوایای مختلف تجزیه و تحلیل کرد. 1. مکانیسم خرابی نقصها و خرابیهای بستهبندی را میتوان به دو دسته تقسیم کرد: تنش بیش از حد و سایش. خرابی ناشی از تنش بیش از حد اغلب آنی و فاجعهبار است؛ از بین رفتن سنگزنی، آسیب تجمعی طولانی مدت است. اغلب ابتدا به عنوان تخریب عملکرد نشان داده میشود و سپس دستگاه نامعتبر میشود. نوع خرابی را میتوان به بارهای مکانیکی، حرارتی، الکتریکی، تابشی و شیمیایی تقسیم کرد. عوامل مؤثر بر نقص و خرابی بستهبندی متنوع هستند، مواد تشکیل دهنده

چقدر در مورد بستهبندی تراشه میدانید؟ چرا تراشه باید کپسوله شود؟ انواع بستهبندی تراشه چیست؟ بستهبندی تراشه: به زبان ساده، قرار دادن مدار مجتمع برهنه (DIE) تولید شده توسط Foundry روی یک بستر با اثر یاتاقانی، سپس هدایت پای لوله و سپس تثبیت بستهبندی به صورت یک کل است. عملکرد بستهبندی تراشه: بستهبندی تراشه نقش قرار دادن، تثبیت، آببندی، محافظت از تراشه و افزایش خواص الکتریکی را ایفا میکند و همچنین پلی بین مدارهای خارجی و اتصال تراشه به پینهای پوسته بسته با اتصال سیمی به پینهای پوسته پین است. این پینها از طریق سیمهای روی برد چاپی به دستگاههای دیگر متصل میشوند. بنابراین، بستهبندی نقش مهمی در CPU و سایر مدارهای مجتمع LSI ایفا میکند. نوع بستهبندی جهانی تراشه

GD32 یک میکرو کامپیوتر تک تراشه ای است که در چین توسعه یافته است. گفته می شود توسعه دهنده از شرکت ST است و GD32 نیز با STM32 به عنوان قالب ساخته شده است. بنابراین، GD32 و STM32 در بسیاری از جاها یکسان هستند. با این حال، GD32 یک محصول متفاوت است، و غیرممکن است که STM32 را برای همه چیز دنبال کنید. برخی از محصولات خودساخته هنوز متفاوت هستند. ما در مورد مکان های مشابه صحبت نخواهیم کرد. اینجا مکان های مختلف است.

تکامل بسته بندی CIS

رادار سوار بر خودرو یکی از حسگرهای اصلی رانندگی با کمک پیشرفته (ADAS) و رانندگی بدون سرنشین است و تراشه رادار سوار بر خودرو هسته رادار سوار بر خودرو است. امروزه، تراشه بسیار یکپارچه (MMIC+DSP/MCU) در سطح وسیله نقلیه راهی کلیدی برای کوچک سازی، قابلیت اطمینان بالا، پایداری و هزینه کم رادار فراهم می کند و اهمیت آن بدیهی است.

در حال حاضر "انتهای به پایان" محبوب است. بیایید تماس تلفن همراه را به عنوان مثال در نظر بگیریم و کل فرآیند سیگنال از تلفن همراه تا ایستگاه پایه را مشاهده کنیم تا ببینیم باند پایه و RF برای چیست.

دیودهای TVS در مقابل دیودهای زنر: در مقایسه با دیودهای زنر سنتی، دیودهای TVS دارای ناحیه پیوند P/N بزرگتری هستند. این بهبود ساختاری به TVS اجازه میدهد تا ضمن کاهش نرخ قطع ولتاژ، قابلیت تحمل ولتاژ بالای قویتری داشته باشد، بنابراین ...

۱. دیود بازیابی سریع چیست؟ دیودهای بازیابی سریع معمولاً در محصولات یکسوسازی و هرزگردی فرکانس بالا استفاده میشوند. عموماً برای قسمت ورودی ماژول برق استفاده میشوند، فرکانس بالا نیست، نیازی به استفاده از دیودهای بازیابی سریع نیست.

۱. در مورد رابطه بین مقدار پیک توان جذب شده ولتاژ گذرا و پهنای پالس ولتاژ گذرا، دفترچه راهنما فقط مقدار پیک توان جذب شده را تحت یک پهنای پالس خاص ارائه میدهد، در حالی که پهنای پالس در حالت واقعی

محافظ الکترواستاتیک ESD یک قطعه محافظ ضد الکتریسیته ساکن و ضد ولتاژ اضافی است که برای محافظت از مدارهای حساس در تجهیزات الکترونیکی در برابر تأثیر ESD (تخلیه الکترواستاتیک) استفاده میشود، زیرا هدف انتقال تنش ESD از قطعه حساس است، به طوری که جریان به جای قطعه حساس از قطعه محافظ عبور کند، در حالی که ولتاژ پایین روی قطعه حساس حفظ شود. محافظ الکتریکی ESD همچنین باید دارای نشتی کم و ظرفیت خازنی کم باشد که عملکرد مدار را کاهش نمیدهد؛ به سیگنالهای پرسرعت آسیب نمیرساند و در برابر تنشهای متعدد محافظت میکند. عملکرد قطعه محافظ کاهش نمییابد.

تیوب TVS یک وسیله حفاظتی با کارایی بالا است. هنگامی که دو انتهای آن در معرض یک ضربه پر انرژی آنی قرار می گیرند، تیوب TVS می تواند فوراً ویژگی های مقاومت بالا خود را به ویژگی های کم مقاومت تبدیل کند، جریان های بزرگ را جذب کند و ولتاژ را در هر دو انتهای لوله TVS گیره دهد. در یک مقدار معین (مقدار ولتاژ مقاومت لوله TVS)، مدار عقب از ضربه انرژی بالا گذرا محافظت می شود و ایمنی مدار محافظت می شود. همانطور که در زیر نشان داده شده است. به بیان ساده، اگر ضربه ولتاژی که مدار می تواند تحمل کند بیشتر از DC24V نیست، یک لوله TVS 26 ولت را در منبع تغذیه جوش دهید. هنگامی که ولتاژ منبع تغذیه از 26 ولت تجاوز نمی کند، لوله TVS در حالت امپدانس بالا قرار دارد. پس از یک پالس بالاتر از 26 ولت، لوله TVS می تواند به سرعت ولتاژ مدار را به 24 ولت ببندد، بنابراین ایمنی برد مدار را تضمین می کند.

مزایای لامپهای TVS: ۱. سرعت پاسخدهی بسیار سریع است (در سطح Ps)؛ ۲. ولتاژ شکست از ۶.۱۲ ولت تا ۵۵۰ ولت متغیر است؛ ۳. ولتاژ کلمپ دقیقتر است.

مهم نیست که تلویزیون در اینجا چگونه تولید می شود، مانند صاعقه مستقیم یا غیرمستقیم، تخلیه الکترواستاتیک، سوئیچینگ بار با ظرفیت زیاد و عوامل دیگر باعث ایجاد موج می شوند. محدوده ولتاژ از چند ولت تا ده ها کیلوولت یا حتی بیشتر است.

عملکرد اصلی آن تقویت جریان (مدار آنالوگ) و عمل سوئیچینگ (مدار دیجیتال) است.

ویژگی مشترک آن این است که دارای سه الکترود است که منشأ اختصار "تریود" است. به طور کلی، فضای داخلی تریود یک ساختار سه لایه است که از نیمه هادی های نوع P و نیمه هادی های نوع N تشکیل شده است که طبق ترتیب سلسله مراتبی به نوع NPN و نوع PNP تقسیم می شوند.

ظرفیت انگلی و ویژگی های دمایی ماسفت

هنگام خرید و ساخت راه حل های مدار، اغلب باید دمای اجزا را در نظر بگیریم. پس از همه، هر جزء دارای محدودیت محدوده دما است. در این زمان باید قبل از انتخاب اجزای مناسب، دمای اجزا را محاسبه کنیم. سپس اجزای اصلی نحوه محاسبه تغییر دما، ویرایشگر زیر روش محاسبه دمای جزء را با شما به اشتراک می گذارد:

با توجه به افزایش تقاضا در بازار ترمینال خودرو و برابری قیمت آن با سیلیکون، تولید کاربید سیلیکون (SiC) به سرعت در حال رشد است. هزاران ماژول نیمههادی قدرت در حال حاضر در خودروهای الکتریکی برای شارژ داخلی، اینورترهای کششی و تبدیل DC به DC استفاده شدهاند. اکثر آنها در حال حاضر با استفاده از IGBT های مبتنی بر سیلیکون تولید میشوند. با این حال، تغییر به MOSFET های مبتنی بر SiC چگالی توان را دو برابر کرده و سرعت سوئیچینگ را در بستههای کوچکتر و سبکتر تسریع کرده است. الزامات ولتاژ بالا و عملکرد در محیطهای گرم و خشن برای خودروهای الکتریکی و ایستگاههای شارژ به طور فزایندهای مورد نیاز است. با این حال، به دلیل هزینههای بالاتر تولید و بستهبندی مواد با شکاف باند وسیع، مدتی طول میکشد تا کاربید سیلیکون (SiC) جایگاه محکمی پیدا کند. با این وجود، این وضعیت در حال تغییر است. ویکتور ولیادیس، مدیر اجرایی و مدیر ارشد فناوری PowerAmerica، اظهار داشت که قیمت ماژولهای قدرت SiC اکنون با ماژولهای مبتنی بر سیلیکون قابل مقایسه است، که به نوبه خود باعث افزایش مشارکت در تأمین و ساخت کارخانههای جدید SiC میشود. هنوز کارهای زیادی برای انجام دادن وجود دارد. فناوری ویفر SiC باید ارتقا یابد. ساخت این دستگاهها به ۲۰٪ ابزار فرآیند جدید و ۸۰٪ ابزار بهبود یافته نیاز دارد. هدف ما تسریع سرعت گردش مالی دستگاههای قدرت یکپارچه و گسسته است، به همین دلیل است که تولیدکنندگان خودرو به همکاری مستقیم ویفر به ماژول با ریختهگریها روی آوردهاند.

با توجه به افزایش تقاضا در بازار ترمینال خودرو و برابری قیمت آن با سیلیکون، تولید کاربید سیلیکون (SiC) به سرعت در حال رشد است. هزاران ماژول نیمههادی قدرت در حال حاضر در خودروهای الکتریکی برای شارژ داخلی، اینورترهای کششی و تبدیل DC به DC استفاده شدهاند. اکثر آنها در حال حاضر با استفاده از IGBT های مبتنی بر سیلیکون تولید میشوند. با این حال، تغییر به MOSFET های مبتنی بر SiC چگالی توان را دو برابر کرده و سرعت سوئیچینگ را در بستههای کوچکتر و سبکتر تسریع کرده است. الزامات ولتاژ بالا و عملکرد در محیطهای گرم و خشن برای خودروهای الکتریکی و ایستگاههای شارژ به طور فزایندهای مورد نیاز است. با این حال، به دلیل هزینههای بالاتر تولید و بستهبندی مواد با شکاف باند وسیع، مدتی طول میکشد تا کاربید سیلیکون (SiC) جایگاه محکمی پیدا کند. با این وجود، این وضعیت در حال تغییر است. ویکتور ولیادیس، مدیر اجرایی و مدیر ارشد فناوری PowerAmerica، اظهار داشت که قیمت ماژولهای قدرت SiC اکنون با ماژولهای مبتنی بر سیلیکون قابل مقایسه است، که به نوبه خود باعث افزایش مشارکت در تأمین و ساخت کارخانههای جدید SiC میشود. هنوز کارهای زیادی برای انجام دادن وجود دارد. فناوری ویفر SiC باید ارتقا یابد. ساخت این دستگاهها به ۲۰٪ ابزار فرآیند جدید و ۸۰٪ ابزار بهبود یافته نیاز دارد. هدف ما تسریع سرعت گردش مالی دستگاههای قدرت یکپارچه و گسسته است، به همین دلیل است که تولیدکنندگان خودرو به همکاری مستقیم ویفر به ماژول با ریختهگریها روی آوردهاند.