MB10F یک یکسوساز پل پسیو شده شیشه‌ای نصب سطحی متعلق به سری MB05F-MB10F است که در بسته‌بندی پلاستیکی قالب‌گیری شده MB-F برای فناوری نصب سطحی قرار گرفته است. این یکسوساز دارای افت ولتاژ رو به جلو کم و قابلیت جریان سرج بالا برای تبدیل AC به DC است. پارامترهای الکتریکی تحت دمای محیط 25 درجه سانتیگراد آزمایش می‌شوند. برای کاربردهای بار خازنی، کاهش جریان مورد نیاز است. این یکسوساز به طور گسترده در سناریوهای اصلاح منبع تغذیه با توان متوسط ​​و کم استفاده می‌شود. ۱. پارامترهای اصلی محصول پارامترهای مکانیکی نوع بسته بندی: بسته بندی پلاستیکی قالب گیری شده MB-F ترمینال‌ها: ترمینال‌های آبکاری شده قابل لحیم مطابق با استاندارد MIL-STD-202 Method 208 وزن تقریبی: ۶۰۰ گرم موقعیت نصب: قابل نصب در هر جهتی علامت گذاری: شماره قطعه چاپ شده روی بدنه قطعه نسخه سازگار با محیط زیست: نسخه بدون سرب سازگار با RoHS موجود است ابعاد کلیدی (واحد: میلی‌متر): الف: ۴.۵۰ تا ۴.۹۵ ب: ۳.۶۰ تا ۴.۱۰ C: 0.15 0.35 د: حداکثر 0.20 الکترونیکی: ۶.۴۰ تا ۷.۰۰ گرم: 0.50 ~ 1.10 ارتفاع: ۱.۳۰ تا ۱.۷۰ جی: ۱.۲۰ تا ۱.۶۰ ک: ۲.۳۰ تا ۲.۷۰ ل: حداکثر ۱.۸۰ حداکثر رتبه‌بندی الکتریکی (در دمای محیط ۲۵ درجه سانتیگراد) ولتاژ معکوس پیک تکراری: ۱۰۰۰ ولت حالت عملکرد: تک فاز نیم موج ۶۰ هرتز برای بارهای مقاومتی و القایی؛ برای شرایط بار خازنی، کاهش جریان ۲۰٪ اجباری است. جریان خروجی یکسو شده متوسط ​​نامی: حداکثر ۰.۸ آمپر روی برد کامپیوتر با زیرلایه آلومینیومی؛ حداکثر ۰.۵ آمپر روی برد کامپیوتر با زیرلایه اپوکسی شیشه‌ای کلاس اشتعال پذیری: UL94V-0 ۲. ویژگی‌های کلیدی محصول ساختار قالب با پوشش شیشه‌ای غیرفعال برای افزایش قابلیت اطمینان. افت ولتاژ پایین رو به جلو برای کاهش تلفات توان هدایتی. قابلیت بالای تحمل جریان‌های ناگهانی در برابر افزایش‌های جریان کوتاه‌مدت. بسته MB-F برای مونتاژ سطحی و تولید SMT بهینه شده است. جنس پلاستیک بسته‌بندی مطابق با الزامات اشتعال‌پذیری UL94V-0 است. نسخه بدون سرب سازگار با RoHS برای الزامات الکترونیک سبز موجود است. جهت نصب دلخواه، محدودیت‌های کمتری را برای طرح‌بندی PCB به همراه دارد. 3. فیلدهای برنامه اصلی مدارهای یکسوسازی ثانویه برای منابع تغذیه سوئیچینگ کوچک و آداپتورها. ماژول‌های یکسوسازی ورودی AC روی بردهای کنترل لوازم خانگی. واحدهای یکسوسازی برای منابع تغذیه درایور LED. مدارهای یکسوساز AC به DC روی بردهای مدار چاپی (PCB) مختلف الکترونیکی مصرفی. یکسوسازی برای منابع تغذیه سیگنال صنعتی کم‌مصرف. ۴. توصیه‌های طراحی مهندسی کاهش جریان: وقتی مدار با بارهای خازنی کار می‌کند، جریان عملیاتی را 20٪ کاهش دهید. طرح پد PCB: از مساحت پد توصیه شده ۱.۳ میلی‌متر مربع پیروی کنید. بردهای PC با زیرلایه آلومینیومی، اتلاف حرارت بهتری دارند و از جریان خروجی بالاتری نسبت به بردهای PC با زیرلایه شیشه-اپوکسی پشتیبانی می‌کنند. کاهش جریان در دمای محیط: جریان خروجی مجاز با افزایش دمای محیط کاهش می‌یابد. در شرایط دمای بالا، باید حاشیه جریان کافی در نظر گرفته شود. مدیریت جریان ناگهانی: به جریان ناگهانی ورودی در هنگام روشن شدن توجه کنید. برای جلوگیری از آسیب به قطعات در اثر شوک‌های مکرر جریان، مقادیر چرخه جریان ناگهانی را بررسی کنید. حاشیه ولتاژ معکوس: ولتاژ معکوس عملیاتی واقعی هرگز نباید از ولتاژ معکوس پیک تکراری تجاوز کند؛ حاشیه ایمنی ولتاژ کافی باید در نظر گرفته شود. کاربردهای فرکانس بالا: قطعه دارای ظرفیت خازنی اتصال است. تأثیر مدار آن را برای شرایط عملیاتی فرکانس بالا ارزیابی کنید. لحیم کاری: ترمینال‌ها قابلیت لحیم کاری مشخص شده را برآورده می‌کنند. لحیم کاری را طبق مشخصات استاندارد فرآیند SMT انجام دهید. 5. خلاصه محصول MB10F یک یکسوساز پل نصب سطحی با بسته‌بندی MB-F و ولتاژ تحمل 1000 ولت است که برای مونتاژ خودکار SMT مناسب می‌باشد. این دستگاه تحمل جریان ضربه‌ای خوبی دارد و تلفات رسانایی کمی دارد. عملکرد آن به طور قابل توجهی تحت تأثیر جنس PCB، دمای محیط و نوع بار قرار می‌گیرد. کاهش جریان و دما باید در طول طراحی سخت‌افزار اعمال شود. این دستگاه مدارهای یکسوسازی AC با توان متوسط ​​و کم را هدف قرار می‌دهد و به طور گسترده در لوازم الکترونیکی مصرفی، لوازم خانگی و منابع تغذیه مینیاتوری مورد استفاده قرار می‌گیرد. نوع بدون سرب آن الزامات زیست‌محیطی RoHS را برآورده می‌کند. درباره اسلکور: Slkor دارای دفاتر تحقیق و توسعه در بوسان، کره جنوبی، پکن، چین و سوژو، چین است. بیشتر تولید و بسته بندی و آزمایش ویفر در چین انجام می شود. این شرکت افراد و سازمان‌ها را در سراسر جهان استخدام می‌کند و با یک آزمایشگاه برای تست عملکرد و قابلیت اطمینان محصول و یک انبار مرکزی واقع در دفتر مرکزی آن در شنژن، همکاری می‌کند. Slkor برای بیش از صد اختراع ثبت کرده است، بیش از 2,000 مدل محصول ارائه می دهد و به بیش از ده هزار مشتری در سراسر جهان خدمات ارائه می دهد. محصولات این شرکت به کشورها و مناطقی از جمله اروپا، قاره آمریکا، آسیای جنوب شرقی و خاورمیانه صادر می‌شود و یکی از شرکت‌های نیمه‌رسانا در سال‌های اخیر است که به سرعت در حال رشد است. Slkor با سیستم‌های مدیریتی تثبیت‌شده و جریان‌های کاری کارآمد، به سرعت آگاهی و شهرت برند خود را افزایش داده است.SLKOR"برند از طریق کیفیت برجسته و خدمات استاندارد خود. طیف محصولات آن شامل سه سری عمده است: دیودs، ترانزیستورها و دستگاه های قدرت، با معرفی اخیر محصولات جدید مانند عناصر هال و دستگاه های آنالوگ، گسترش حضور خود در سنسورها، میکروکنترلرهای Risc-v و سایر دسته بندی های محصولات. MB10F به صفحه محصول

مقدمهای بر فناوری ساخت دستگاههای کاربید سیلیکون (SIC) شباهتهای زیادی با ساخت سیلیکون دارد، اما آیا تفاوت در مواد بر ظرفیت تمیزکنندگی توانایی تمیزکنندگی تأثیر میگذارد یا خیر. تفاوت در پارامترهای مواد شامل ضریب انتشار، انرژی سطحی و استحکام پیوند شیمیایی است. همه آنها میتوانند در تمیز کردن سطوح کلیدی نقش داشته باشند. این کار سطح آلودگی سطحی تراشههای کاربید 4H 4H 4H 100 میلیمتری یا 150 میلیمتری را پس از آلودگی خازن پروب جیوه (MCV) مقایسه خواهد کرد. در طول دوره MCV، فلزات کمیاب مانند جیوه، آهن و نیکل به طور کنترلشده کنترل میشدند و روشهای مختلف تمیز کردن میتوانستند سطح کاربید سیلیکون را به سطح تمیزی زیر 5X1010 اتم بر سانتیمتر مربع بازگردانند. در مورد این تمیز کردن در فرآیندهای دستگاه یکپارچه بحث کنید.

در ادامه یک مدار سوئیچینگ NMOS آمده است. سیگنال پله VG1 روی سطح DC 2 ولت، موج Fang (دامنه 2 ولت، فرکانس 50 هرتز)، ولتاژ باز شدن T2 2 ولت تنظیم شده است، بنابراین لامپ MOS T2 باز شده و چرخه T u003d 20MS را برای چرخه T u003d 20MS قطع میکند. سوئیچ. اول از همه، شکل موج VGS و VDS استفاده خواهد شد. وقتی VGS u003d 2 ولت را میبینید، یک سکوی کوچک وجود دارد. برخی افراد کنجکاو خواهند شد که چرا VGS هنگام افزایش، سکوی کوچکی خواهد داشت؟ سکوی VGS لامپ MOS این سوال را ایجاد کرد. ما سعی کردیم مقاومت R1 را از 5K به 1K تغییر دهیم، دوباره شبیهسازی کردیم و متوجه شدیم که این سکو کوچک شده و تقریباً از بین رفته است. چرا اینطور است؟ سکوی کوچک VGS لامپ MOS بهبود یافته است

دستگاههای قدرت در اواسط قرن بیستم ظاهر شدند. پس از نزدیک به 30 سال توسعه، ترکیب فناوری MOS و BJT منجر به فناوری IGBT شد. پس از بهروزرسانی مداوم، IGBT اکنون به طور گسترده در وسایل نقلیه، جوشکاری، هوافضا و سایر زمینهها مورد استفاده قرار میگیرد. این مقاله ساختار و اصل کار IGBT را معرفی میکند و کاربرد آن را در زمینه وسایل نقلیه الکتریکی توضیح میدهد که به متخصصان کمک میکند تا اصل IGBT و توسعه فناوری آن را در زمینه وسایل نقلیه الکتریکی به طور کامل درک کنند. با تشدید گرمایش جهانی و وخامت محیط زیست، کشور من به منظور کاهش فشار صرفهجویی در مصرف انرژی و کاهش انتشار گازهای گلخانهای، اهداف بالایی را پیشنهاد کرده است. به منظور دستیابی به هدف صرفهجویی در مصرف انرژی و کاهش انتشار گازهای گلخانهای، کشور من به شدت از توسعه وسایل نقلیه انرژی جدید حمایت کرده است. اینورتر کشش واحد تبدیل انرژی اصلی مجموعه قدرت وسیله نقلیه الکتریکی، که میتواند خروجی برق DC باتری را به سه برابر تبدیل کند.

برنامه. طبق گزارش موسسه تحقیقات بازار فرانسوی Yole D u0026 Eacute; Veloppement، درآمد بازار دستگاههای SIC تا سال 2025 بیش از 10 درصد از کل بازار الکترونیک قدرت را تشکیل خواهد داد و نسبت درآمد دستگاههای GAN از 2 درصد فراتر خواهد رفت. تأمینکنندگان شناختهشده قطعات SIC عبارتند از SEF semiconductors (ST)، Cree/Wolfspeed، Rom، Yingfeeling، Ansonmi Semiconductor (on SEMI)

چکیده: بستهبندی الکترونیک قدرت سنتی عمدتاً مبتنی بر فناوریهای بستهبندی صفحهای دوبعدی مانند اتصال قرقاول و پیوندهای سربی است که نمیتوانند کاربردهای قابل اعتماد دستگاههای نیمههادی نسل سوم را در فرکانس بالا، ولتاژ بالا و دمای بالا برآورده کنند. به منظور حل این مشکل، بستهبندی مسطح دوبعدی به تدریج در بستهبندی و توسعه سهبعدی محصور شده است. پیشرفت تحقیقات مواد کلیدی و طراحی ساختاری در فناوری بستهبندی الکترونیک قدرت خلاصه و بررسی شده است. مواد اتصال به تدریج از مواد ریز به راویولیهای مبتنی بر طلا، مواد اتصال شرقی مایع گذرا و مواد مقاوم در برابر دمای بالا مانند نقره تفجوشی توسعه یافتهاند. فناوری اتصال به تدریج از کلید سربی به خنککننده دو طرفه، ادغام دستگاه و همپوشانی عمودی، اتصال لایهای و غیره توسعه یافته است. با حذف عملکرد کششی سرب، میتوان انواع تراشهها و دستگاهها را برای افزایش چگالی توان ادغام کرد و خنککننده دو طرفه راندمان اتلاف گرما را بهبود میبخشد. بسته ادغام سهبعدی پتانسیل بازار عظیمی دارد که ...

یادداشتهای مطالعاتی برای یک علاقهمند آماتور به تراشه سیلیکون کاربید. مرتبسازی ادبیات، اخبار صنعت، گهگاه به دست آمده، آسمان خالی است. این حساب عمومی متعلق به یادداشتهای یادگیری شخصی است، فقط برای سرگرمیهای آماتور شخصی، و هیچ هدف تجاری را در بر نمیگیرد. اگر بینظمی در مقاله وجود دارد، لطفاً مرا ببخشید. سرگرمی برخی افراد پرورش گل و چمن برای آواز خواندن و ماهیگیری است و برخی دوست دارند در توییتر وبلاگ بنویسند. در سالهای اخیر، دوست دارم آخر هفتهها کتاب بخوانم و کاغذ را مسواک بزنم تا توسعه مواد مرزی و فناوری دستگاه را ببینم. عنوان: کاری جالب انجام دهید و یک روح جالب انجام دهید. من در مورد چند کلمه از رومن شوانگلو آی.پی صحبت کردم.

طبق آمار، بازار چین دارای ۳۰۰ میلیون وسیله نقلیه برقی دو چرخ و سه چرخ است. در سال ۲۰۱۹، تعداد وسایل نقلیه برقی دو چرخ در کشور من ۳۶.۰۹ میلیون دستگاه بود که ۳۴.۶۴ میلیون دستگاه از آنها فروخته شد. این وسیله نقلیه کاربر زیادی دارد. با اجرای رسمی استاندارد ملی جدید در ۱۵ آوریل ۲۰۱۹، حجم فروش باتری لیتیومی در چین به ۶.۸ میلیون دستگاه رسید و میزان نفوذ باتریهای لیتیومی در چین در کشور من به ۱۸.۸ درصد رسید. در صنعت خودروهای دو چرخ، باتریهای لیتیومی به یک روند اجتنابناپذیر تبدیل شدهاند، به خصوص در بازار، تعداد زیادی وسیله نقلیه الکتریکی مشترک و باتریهای لیتیومی در بازار ظاهر شدهاند که تعداد زیادی از باتریهای لیتیومی هوشمند را بیشتر ترویج میدهند. سیستم مدیریت باتری BA

در سپتامبر 2020، کشور من هدف اوج انتشار کربن در سال 2030 و خنثیسازی کربن در سال 2060 را روشن کرد. تحقق انتشار خالص صفر در چهل سال آینده برای چین یک کار چالش برانگیز خواهد بود. برای صنعت موتور، موتور جایگاه مهمی در حوزه صنعتی دارد. طبق آمار، موتور کشور من هر ساله 69 درصد از کل مصرف برق کل جامعه را مصرف میکند که حدود 75 درصد از برق صنعتی را تشکیل میدهد. بنابراین، کاهش انتشار کربن در طول چرخه عمر موتور و تسریع روند کاهش کربن، یک کار مهم پیش روی صنعت موتور است. فناوری تنظیم سرعت تبدیل فرکانس میتواند سرعت موتور AC را به طور دقیق کنترل کند و موتور را قادر سازد تا در حالت صرفهجویی در انرژی کار کند. این یک اقدام کلیدی برای تنظیم تنظیم سرعت سیستمهای موتور سنتی و بهبود راندمان عملیاتی سیستم موتور است. اینورتر سنتی دارای ویژگیهای حجم زیاد، عملکرد پایین و قیمت بالا است. علاوه بر این

این ماده به طور گسترده در منبع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتور، ابزارهای برقی و سایر صنایع استفاده میشود. گیت یک پیوند نسبتاً ضعیف در خود MOSFET است. اگر طراحی مدار به طور نادرست طراحی شود، به راحتی میتوان باعث خرابی دستگاه و حتی سیستم شد. بنابراین، این مقاله این مقاله را برای سازماندهی مدارهای رایج در گیت برای بحث مرجع شما سازماندهی میکند. همچنین از شما دعوت میشود نظرات خود را مطرح کنید. اثرات رایج مدارهای گیت MOSFET نکات زیر است: ۱. نویز کوپل شده بین مدار را حذف کرده و قابلیت اطمینان سیستم را بهبود میبخشد.

مدار DC-DC بسیار پیچیدهتر از LDO است و نویز بیشتری دارد. الزامات طرحبندی و چیدمان بالاتر است. کیفیت چیدمان مستقیماً بر عملکرد DC-DC تأثیر میگذارد، بنابراین درک چیدمان DC-DC بسیار مهم است. 1. تداخل الکترومغناطیسی با چیدمان بد، DV/DT بالاتری در پای لامپ SW DC-DC وجود خواهد داشت و DV/DT بالاتر باعث تداخل EMI نسبتاً بزرگی میشود. نویز سوئیچ نسبتاً بزرگی روی خط وجود خواهد داشت و این نویزها بر سایر قسمتهای مدار تأثیر میگذارند. ولتاژ روی سیمکشی افت میکند، سیمکشی خیلی طولانی است، طول میکشد تا ...

خلاصه به عنوان یک مهندس برق، R u0026 D، البته اغلب با تراشههای مختلف تماس میگیرد. برخی از مهندسان ممکن است با فضای داخلی تراشه آشنا نباشند. بسیاری از دانشجویان هنگام استفاده از یک تراشه جدید، مستقیماً وارد صفحه کاربرد مجموعه دادهها میشوند و بر اساس طرح پیشنهادی، یک طرح خارجی میسازند. همین. به این ترتیب، حتی اگر کاربرد خوب باشد، جزئیات فنی نادیده گرفته میشود و آنها تجربه بهتری برای رشد فنی خود کسب نکردهاند. با در نظر گرفتن تراشه برق ضد فشار خون DC/DC LM2675 امروز به عنوان نمونه، اصول طراحی داخلی و ساختارهای تراشههای زیر به تفصیل توضیح داده شده است. مدار کاربردی معمولی LM2675-5.0، برگه اطلاعات LM2675 را باز میکند.

توپولوژی چیست؟ توپولوژی مدار به اصطلاح، روش اتصال دستگاههای قدرت و عناصر الکترومغناطیسی در مدار است و طراحی اجزای مغناطیسی، طراحی مدار جبران حلقه بسته و طراحی تمام اجزای مدار به توپولوژی بستگی دارد. اساسیترین توپولوژیها شامل Buck، BOOST (تقویت) و Book/Buck، Isolated FLYBACK، Positive، Pushing، Bridge Bridge و Full Bridge Converter هستند. در اصل، حدود ۱۴ توپولوژی رایج برای توپولوژی سوئیچینگ وجود دارد که هر کدام ویژگیها و موارد کاربردی خاص خود را دارند. اصل انتخاب این است که ببینیم آیا قدرت بالا یا کوچک است، آیا خروجی ولتاژ بالا یا پایین است و آیا اجزا تا حد امکان کوچک هستند یا خیر. بنابراین، لازم است توپولوژی را به درستی انتخاب کنید و مزایا و معایب توپولوژیهای مختلف و زمینه کاربرد آنها بسیار زیاد است.

دستگاههای الکترونیکی یک سیستم بسیار پیچیده هستند و نقصها و ایرادات در طول فرآیند بستهبندی نیز بسیار پیچیده هستند. بنابراین، تحقیق در مورد نقصها و ایرادات بستهبندی نیاز به درک سیستماتیک از فرآیند بستهبندی دارد تا بتوان علت نقصها را از زوایای مختلف تجزیه و تحلیل کرد. مکانیسم خرابی بستهبندی را میتوان به دو دسته تقسیم کرد: اضافه بار و سایش. عیب ناشی از اضافه بار معمولاً آنی و فاجعهبار است. از دست دادن سنگزنی، آسیب طولانیمدت به تجمعی است که معمولاً ابتدا به صورت کاهش عملکرد ظاهر میشود و سپس دستگاه از کار میافتد. نوع بار خرابی را میتوان به بارهای مکانیکی، بارهای حرارتی، بارهای الکتریکی، بارهای تابشی و بارهای شیمیایی تقسیم کرد. عوامل مؤثر بر نقص و ایراد بستهبندی متنوع هستند. ترکیب و ویژگیهای مواد، طراحی بستهبندی، شرایط محیطی و پارامترهای فرآیند

اخیراً، الکترونیک قدرت نسبتاً محبوب شده است و من برخی از دیدگاههای برخی از مواد را بررسی خواهم کرد. سال 2022 سال بسیار مهمی است که توسط کاربید سیلیکون چینی مورد استفاده قرار میگیرد. این عمدتاً به این دلیل است که سیستم 800 ولت تغییرات زیادی را به همراه داشته است. تفاوتها از همه سطوح چیست؟ من میخواهم بر اساس ترکیب مواد با شما بحث کنم. اول از همه، باید بگوییم که IGBT. در واقع، من میخواهم از Yingfei Ling در زمینه وسایل نقلیه الکتریکی تشکر کنم. قبل از اینکه شرکتهای خودروسازی اروپایی وارد نشوند، نیسان، هوندا و تویوتا همگی اینورتر را بر اساس توسعه فنی خود توسعه دادند. به عنوان هسته؛ قبل از واردات SIC، تسلا نیز از IGBT تک لوله برای ساخت درایورهای پرقدرت استفاده میکرد. پس از اینکه Ying Feiling یک بستهبندی استاندارد 6 در 1 IGBT ساخت، بسیار مورد توجه قرار گرفت.

به اندازه کافی دقیق نیست، اما به طور کلی چندین نوع تب لوله MOS وجود دارد: ۱. بار بیش از حد است که منجر به جریان لولههای MOS میشود. ۲. سیگنالهای محرک ناکافی برای گرم شدن لوله MOS ایجاد میکند. ۳. سیگنال محرک بیش از حد قوی است که باعث گرم شدن لوله MOS نیز میشود. به طور کلی، دمای کار لوله MOS زیر ۱۲۰ درجه سانتیگراد است و میتواند کار کند. به طور کلی، از ۷۰ درجه تجاوز نمیکند.

تقویتکننده محاسباتی و مقایسهکننده از نظر ظاهری و نمادهای شماتیک مشابه هستند. اگر لوگو صیقل داده شود، تشخیص بین این دو دشوار است. علاوه بر این، بسیاری از مبتدیان اغلب تقویتکننده محاسباتی را با مقایسهکننده اشتباه میگیرند، زیرا در برخی کاربردها، تقویتکننده عملیاتی در بسیاری از مدارها به عنوان مقایسهکننده استفاده میشود. این مقاله این تفاوتها را به اشتراک گذاشته است. شکل 1 عبارت عملکردی آپ امپ به معنای آپ امپ و عبارت عملکردی مقایسهکننده به شرح زیر است. این یک تراشه آنالوگ برای آمادهسازی سیگنال است. به عنوان مثال، سیگنالهای بزرگ، فیلتر کردن، تطبیق و غیره. مقایسهکننده مداری است که یک سیگنال ولتاژ آنالوگ را با یک ولتاژ مرجع مقایسه میکند. آپ امپ برای سیستمهای بازخورد منفی استفاده میشود و مقایسهکننده عموماً برای سیستم بازکننده استفاده میشود و همچنین میتواند طرحهای بازخورد مثبت را به عنوان مقایسهکنندههای راکد طراحی کند.

تقاضای زیاد برای تراشههای نیمههادی در زمینههای خودرو، هوش مصنوعی (AI)، پردازش دادهها و پایانههای هوشمند، توسعه صنعت نیمههادی را به طور مداوم تسریع کرده است. انتظار میرود تا سال 2030، این رقم به 808.5 میلیارد دلار افزایش یابد. پرایس واترهاوس کوپرز پیشبینی میکند که در سال 2022، تنها درآمد بازار نیمههادی مرتبط با هوش مصنوعی با نرخ رشد سالانه 50 درصد به بیش از 30 میلیارد دلار افزایش یابد. در عین حال، تراشههای نیمههادی کوچکتر، سریعتر و قدرتمندتر شدهاند و انعطافپذیری و عملکرد خود را به طور قابل توجهی بهبود بخشیدهاند. با این حال، با پیچیدهتر شدن طراحی، تقاضا برای قابلیتهای تأیید و فناوری تأیید نسل بعدی نیز در حال افزایش است. رعایت امنیت عملکردی که به قابلیت ردیابی کامل و فرآیندهای دقیق اسناد بستگی دارد، اهمیت بیشتری پیدا میکند. شرکتهای نیمههادی به طور فزایندهای وزن IP را اتخاذ میکنند.

۱. پیشگفتار با شتاب قابل توجه خودروهای الکتریکی در بازار، تفاوت بین برندها، بخشهای بازار و مدلها نیز در حال افزایش است و گسترش حداکثری کاربرد سیستم محرکه الکتریکی اهمیت بیشتری پیدا میکند. سیستمهای محرکه الکتریکی، مانند EMR3 (سیستم محرکه الکتریکی نسل سوم) در مقیاس بزرگ و EMR4 که در حال حاضر توسعه یافتهاند، در سطح سیستم طراحی شدهاند. در مقایسه با نسل قبلی، EMR4 تا ۵٪ راندمان بهبود یافته، مقیاسپذیری توان به طور قابل توجهی بهبود یافته و هزینهها را تا حد زیادی کاهش داده است. بهبود راندمان و عملکرد، مسیر و جهت فنی است که توسط خودرو به سیستم محرکه الکتریکی پیشنهاد میشود. به منظور ارتقاء بهبود عملکرد EMR4، بسیاری از زنجیرههایی که بر راندمان و عملکرد درایو الکتریکی تأثیر میگذارند، به طور کامل بهینه شدهاند. برای ملاحظات مقیاسپذیری، بسیاری از رابطهای داخلی و خارجی نیز علامتگذاری شدهاند.

پیشگفتار ۰۱