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ソリューション
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IGBTディスクリートとIGBTモジュールの違い
2022-03-17
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IGBTディスクリートとIGBTモジュールの違いは、IGBTモジュールはIGBTディスクリートの機能向上とアップグレードと見なすことができます。両者の応用分野は基本的に同じです。しかし、各種ドライバと保護回路が統合されているため、IGBTモジュールの設置はユーザーにとって非常に便利です。新しいパッケージング技術の採用により、IGBTの性能も大幅に向上し、IGBTの応用分野が拡大しています。IGBTパワーモジュールは、IC、各種駆動保護回路、高性能IGBTチップ、および新しいパッケージング技術によって駆動されます。複合パワーモジュールPIMからスマートパワーモジュールIPM、電子ビルディングPEBB、パワーモジュールiPemへと発展しています。PIMは高電圧・高電流の方向に発展しており、製品レベルは1200-18です。
電子実装の信頼性 ｜ 実装欠陥・故障の形態
2022-03-17
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はじめに：電子機器は非常に複雑なシステムです。パッケージング工程の欠陥や故障も非常に複雑です。そのため、パッケージングの欠陥や故障を研究するには、パッケージング工程を体系的に理解し、複数の角度から欠陥の原因を分析する必要があります。1. パッケージングの欠陥や故障の故障メカニズムは、過度の応力と摩耗の2つのカテゴリに分類できます。過度の応力による故障は、多くの場合、瞬間的で壊滅的です。摩耗による故障は、長期的な累積損傷です。多くの場合、最初は性能低下として現れ、その後、デバイスが使用不能になります。故障の種類は、機械的、熱的、電気的、放射線、化学的負荷に分類できます。パッケージングの欠陥や故障に影響を与える要因は多岐にわたり、材料成分も影響します。
チップ封止タイプのまとめ～あなたも使っていますか？
2022-03-17
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チップパッケージについてどれくらいご存知ですか？なぜチップをカプセル化する必要があるのでしょうか？チップパッケージの種類にはどのようなものがありますか？チップパッケージ：簡単に言うと、ファウンドリで製造された集積回路の裸のダイ（DIE）を支持効果のある基板上に置き、チューブの脚をリードし、パッケージ全体を固定することです。チップパッケージの機能：チップパッケージは、チップの配置、固定、密封、保護、電気的特性の向上という役割を果たし、パッケージシェルのピンとピンシェルのピン間の配線接続によって、チップと外部回路間の橋渡しも行います。これらのピンは、プリント基板上の配線を介して他のデバイスに接続されます。したがって、パッケージはCPUやその他のLSI集積回路において重要な役割を果たします。チップパッケージの種類
STM32 を GD32 に置き換えたいですか?これらの詳細を知っておく必要があります
2022-03-17
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GD32は中国で開発されたシングルチップマイコンです。開発者はST社だそうで、GD32もSTM32をテンプレートとして作られています。そのため、GD32とSTM32は同じところも多いのですが、結局GD32は別製品であり、すべてをSTM32に従うことは不可能です。自社開発品はまだ違うものもあるので、同じところの話はしません。ここではさまざまな場所を紹介します。
TI 第 2 世代レーダーチップの詳細な分析
2022-03-17
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車載レーダーはADAS（Advanced Assisted Driving）や無人運転の核となるセンサーの1つであり、車載レーダーチップは車載レーダーの中核となります。現在、高度に統合された (MMIC+DSP/MCU) 車両レベルのチップは、レーダーの小型化、高信頼性、安定性、低コスト化の鍵となる手段となっており、その重要性は自明です。
ベースバンドと無線周波数は何に使用されますか?
2022-04-14
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今は「エンドツーエンド」が流行っている。携帯電話の通話を例として、携帯電話から基地局までの信号のプロセス全体を観察して、ベースバンドと RF が何のためにあるのかを見てみましょう。
他の同様の製品と比較した TVS ダイオードの利点は何ですか?
2022-11-09
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TVS ダイオードとツェナー ダイオード: 従来のツェナー ダイオードと比較して、TVS TVS ダイオードは P/N 接合面積が大きくなります。この構造改善により、TVS は電圧カットオフ率を低減しながら、より強力な高電圧耐性を備えることができるため、
ファストリカバリダイオード
2022-11-09
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1. 高速リカバリダイオードとは 高速リカバリダイオードは、高周波整流およびフリーホイーリング製品で一般的に使用されます。一般的には、パワーモジュールの入力部に使用され、周波数が高くないため、高速リカバリダイオードを使用する必要はありません。
TVS 機器の注意事項は何ですか?
2022-11-12
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1. 過渡電圧の吸収電力のピーク値と過渡電圧のパルス幅の関係について、マニュアルには特定のパルス幅での吸収電力のピーク値のみが記載されていますが、実際のパルス幅は
ESD静電気保護装置の製品特徴と選び方
2022-11-17
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ESD 静電保護装置は過電圧、静電気防止保護部品であり、電子機器内の敏感な回路を ESD (静電放電) の影響から保護するために使用されます。その目的は、敏感な部品から ESD ストレスを転送し、電流が敏感な部品ではなく保護部品に流れるようにし、敏感な部品の電圧を低く維持することです。ESD 静電保護装置は、回路機能を低下させない低リークと低容量の特性も備えている必要があります。高速信号に損傷を与えず、複数のストレスから保護します。保護素子の機能が低下しません。
TVSダイオードの機能は何ですか?
2022-11-18
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TVS 管は高効率の保護デバイスです。 TVS管は、両端に瞬間的な高エネルギーの衝撃が加わると、高抵抗特性を瞬時に低抵抗特性に変換し、大電流を吸収し、TVS管の両端の電圧をクランプします。一定値（TVS管の耐電圧値）で、過渡的な高エネルギーの影響から後段回路を保護し、回路の安全性を守ります。以下に示すように。簡単に言うと、回路が耐えられる電圧の影響が DC24V 以下の場合は、電源に 26V TVS 管を溶接します。電源電圧が 26V を超えない場合、TVS 管はハイインピーダンス状態になります。 26V を超えるパルスの後、TVS 管は回路電圧を迅速に 24V にクランプすることができるため、回路基板の安全性が確保されます。
過渡抑制ダイオード TVS の選択
2022-11-26
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TVS管の利点： 1. 応答速度が非常に速い（Psレベル）。 2. ブレークダウン電圧の範囲は 6.12V ～ 550V です。 3. クランプ電圧がより正確になります。
TVSチューブとESD保護ダイオードの違い
2022-12-01
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ここでテレビがどのように発生したかに関係なく、直撃または間接落雷、静電気放電、大容量負荷の開閉などの要因によってサージが発生します。電圧の範囲は数ボルトから数十キロボルト、あるいはそれ以上です。
トランジスタの基礎知識と動作原理
2022-12-07
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共通の特徴は3つの電極を備えていることであり、これが「三極管」の略語の由来となっています。一般に三極管の内部はP型半導体とN型半導体の3層構造となっており、その階層順によりNPN型とPNP型に分けられます。
コンポーネントの温度を計算するにはどうすればよいですか?
2023-03-31
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回路ソリューションを購入して作成するとき、多くの場合、コンポーネントの温度を考慮する必要があります。結局のところ、各コンポーネントには温度範囲の制限があります。このとき、適切なコンポーネントを選択する前に、コンポーネントの温度を計算する必要があります。次に、元のコンポーネントの温度変化を計算する方法については、以下のエディターでコンポーネントの温度の計算方法を共有します。
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パワー半導体が SiC 時代の到来を告げる (パート 1)
2023-09-05
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自動車用端末市場の需要増加とシリコンとの価格同等性を背景に、炭化ケイ素（SiC）の生産は急速に拡大している。数千個のパワー半導体モジュールが、車載充電、トラクションインバータ、DC-DC変換のために電気自動車ですでに使用されている。現在、そのほとんどはシリコンベースのIGBTを使用して製造されている。しかし、SiCベースのMOSFETへの移行により、より小型軽量のパッケージで電力密度が2倍になり、スイッチング速度が加速している。電気自動車や充電ステーションでは、高電圧と高温過酷な環境での動作に対する要求がますます厳しくなっている。しかし、ワイドバンドギャップ材料の製造およびパッケージングコストが高いため、炭化ケイ素（SiC）が確固たる地位を築くには時間がかかるだろう。とはいえ、この状況は変わりつつある。PowerAmericaの執行役員兼最高技術責任者であるビクター・ベリアディス氏は、SiCパワーモジュールの価格がシリコンベースのモジュールと同等になり、それが供給パートナーシップや新しいSiC工場の建設を促進していると述べている。まだやるべきことはたくさんある。 SiCウェハ技術のアップグレードが必要です。これらのデバイスの製造には、20%の新しいプロセスツールと80%の改良されたツールが必要となります。当社の目標は、集積型および個別型パワーデバイスの生産速度を加速することであり、そのため自動車メーカーはファウンドリとのウェハからモジュールまでの直接的な連携に注目しています。
パワー半導体が SiC 時代の到来を告げる (パート 2)
2023-09-05
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自動車用端末市場の需要増加とシリコンとの価格同等性を背景に、炭化ケイ素（SiC）の生産は急速に拡大している。数千個のパワー半導体モジュールが、車載充電、トラクションインバータ、DC-DC変換のために電気自動車ですでに使用されている。現在、そのほとんどはシリコンベースのIGBTを使用して製造されている。しかし、SiCベースのMOSFETへの移行により、より小型軽量のパッケージで電力密度が2倍になり、スイッチング速度が加速している。電気自動車や充電ステーションでは、高電圧と高温過酷な環境での動作に対する要求がますます厳しくなっている。しかし、ワイドバンドギャップ材料の製造およびパッケージングコストが高いため、炭化ケイ素（SiC）が確固たる地位を築くには時間がかかるだろう。とはいえ、この状況は変わりつつある。PowerAmericaの執行役員兼最高技術責任者であるビクター・ベリアディス氏は、SiCパワーモジュールの価格がシリコンベースのモジュールと同等になり、それが供給パートナーシップや新しいSiC工場の建設を促進していると述べている。まだやるべきことはたくさんある。 SiCウェハ技術のアップグレードが必要です。これらのデバイスの製造には、20%の新しいプロセスツールと80%の改良されたツールが必要となります。当社の目標は、集積型および個別型パワーデバイスの生産速度を加速することであり、そのため自動車メーカーはファウンドリとのウェハからモジュールまでの直接的な連携に注目しています。
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