ソリューション
ソリューション

チップ封止タイプのまとめ~あなたも使っていますか?

2022-03-17 1003
チップのパッケージングについて何を知っていますか?なぜチップをパッケージ化する必要があるのでしょうか?チップの種類は何ですか?チップパッケージング:簡単に言えば、ファウンドリー社が製造した集積回路のダイを耐荷重基板上に置き、ピンを引き出し、固定して一体化してパッケージングします。


チップパッケージング機能: チップは、チップを配置、固定、封止、保護し、電気加熱性能を高める役割を果たします。また、チップの内部世界と外部回路の間のブリッジでもあります。チップ上の接点は、パッケージシェルのピンにワイヤで接続され、これらのピンはプリント基板上のワイヤで他のデバイスに接続されます。したがって、CPU やその他の LSI 集積回路では、パッケージングが重要な役割を果たします。世の中にはチップパッケージの種類が多すぎます。ここでは、70 を超える一般的なチップ パッケージがまとめられています。梱包についての一般的な考え方をお伝えできれば幸いです。

1、BGA(ボールグリッドアレイ)ボールコンタクトアレイ、表面実装パッケージの一つ。プリント基板の裏面にピンの代わりとなる球状のバンプを作り、プリント基板の表面にLSIチップを実装し、モールド樹脂やポッティングにより封止します。バンプ ディスプレイ キャリア (PAC) とも呼ばれます。ピン数は200ピンを超えるものもあり、多ピンLSI用のパッケージです。パッケージ本体もQFP(360面フラットパッケージ)より小型化が可能です。たとえば、ピン中心距離が 1.5 mm の 31 ピン BGA は、わずか 304 mm 四方です。一方、ピン中心間距離 0.5mm の 40 ピン QFP は 1.5mm 角です。また、BGA は QFP のようにピンの変形を心配する必要がありません。このパッケージは米国のモトローラ社によって開発されました。携帯電話などで最初に使われ、将来的には米国のパーソナルコンピュータでも普及する可能性がある。当初、BGAのピン(バンプ)の中心間距離は225mm、ピン数は500ピンでしたが、現在では一部のLSIメーカーがXNUMXピンのBGAを開発しています。 BGAの課題はリフロー半田付け後の外観検査です。有効な外観検査方法であるかどうかは不明である。はい、溶接中心間の距離が大きいため、接続は安定していると見なされ、機能検査のみで処理できます。米国モトローラ社では、モールド樹脂により封止されたパッケージをOMPACと呼び、ポッティング法により封止されたパッケージをGPACと呼んでいます(OMPACおよびGPACを参照)。
 

2、BQFP(バンパー付きクワッドフラットパッケージ) クッション付き0.635面リードフラットパッケージ。 QFPパッケージの一つで、輸送時のピンの曲がりや変形を防ぐために、パッケージ本体の四隅にバンプ(クッションパッド)が配置されています。米国の半導体メーカーは、主にマイクロプロセッサや ASIC 回路にこのパッケージを使用しています。ピン間の距離は 84mm、ピン数は 196 ~ XNUMX の範囲です (QFP を参照)。

3、バットジョイントピングリッドアレイは、表面実装PGAの別名です(表面実装PGAを参照)。

4、C-(セラミック)はセラミック包装のマークを示します。たとえば、CDIP はセラミック DIP の略です。実際によく使われる記号です。

5、Cerdip はガラスで封止されたセラミック デュアル インライン パッケージで、ECL RAM、DSP およびその他の回路に使用されます。紫外線消去用EPROMやEPROMを内蔵したマイコン回路にはガラス窓付きセルディップを使用しています。ピン中心間距離は2.54mm、ピン数は8~42ピンです。日本ではこのパッケージをDIP-G(G(Gはガラス封止の意味))と表記しています。

6. Cerquad 表面実装パッケージの 1 つ、つまりその下に封止されたセラミック QFP は、DSP などのロジック LSI 回路のパッケージ化に使用されます。 Windows を備えた Cerquad は、EPROM 回路のパッケージ化に使用されます。プラスチックQFPよりも放熱性が良く、自然空冷条件下で5~2Wの電力を許容できます。ただし、パッケージングコストはプラスチック QFP に比べて 3 ~ 5 倍かかります。ピンピッチは1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mmなどの仕様があります。ピン数は32~368です。

7. CLCC (Ceramic Led Chip Carrier) は、表面実装パッケージの XNUMX つであるピン付きセラミック チップ キャリアです。ピンはパッケージの四辺から引き出されており、T 字型になっています。 Windows は、紫外線消去可能な EPROM や EPROM を使用したマイコン回路のパッケージ化に使用されます。このパッケージは QFJ、QFJ-G とも呼ばれます (QFJ を参照)。

8、COB(チップオンボード)上のチップパッケージングは、ベアチップ実装技術のXNUMXつです。半導体チップはプリント基板にハンドオーバー実装され、チップと基板間の電気接続はワイヤステッチによって実現されます。チップと基板間の電気的接続はワイヤーステッチで実現し、樹脂でカバーすることで信頼性を確保しています。 COB は最も単純なベアチップ実装技術ですが、実装密度は TAB やフリップチップボンディング技術に比べてはるかに低くなります。

9、DFP(デュアルフラットパッケージ)両面リードフラットパッケージ。 SOP の別名です (SOP を参照)。以前はこの言葉で呼ばれていましたが、現在では基本的には使われなくなりました。

10. DIC(デュアル・インライン・セラミック・パッケージ)セラミックDIP(ガラスシールを含む)の愛称(DIPを参照)。

11. DIL(dual in-line)DIP の愛称 (DIP を参照)。ヨーロッパの半導体メーカーはこの名前をよく使用します。

12. DIP(デュアルインラインパッケージ) デュアルインラインパッケージ。プラグインパッケージの一つで、パッケージの両側からピンが引き出されており、パッケージ材質はプラスチックやセラミックなどです。 DIPは最も一般的なプラグインパッケージで、標準ロジックIC、メモリLSI、マイコン回路などに使用されます。ピン間隔は2.54mm、ピン数は6~64ピンです。パッケージ幅は通常15.2mmです。 .. 幅 7.52mm および 10.16mm の一部のパッケージは、それぞれスキニー DIP およびスリム DIP と呼ばれます。ただし、多くの場合、区別はなく、単に DIP と呼ばれます。また、低融点ガラスで封止されたセラミックDIPはサーディップとも呼ばれます(サーディップを参照)。

13、DSO(dual small out-lint) 両面ピン スモール フォーム ファクター パッケージ。 SOP の別名 (SOP を参照)。一部の半導体メーカーはこの名前を採用しています。
 14、DICP(デュアルテープキャリアパッケージ)両面リード搭載パッケージ。 TCP(Load Encapsulation)の一つ。ピンは絶縁テープ上に作成され、パッケージの両側から引き出されます。 TAB (Automatic On-Load Soldering) 技術の使用により、パッケージは非常に薄いです。液晶駆動LSIによく使われていますが、ほとんどが固定品です。また、厚さ0.5mmの薄型パッケージのメモリLSIも開発中です。日本では、DICP は EIAJ (日本電子機械工業会) の規格に従って DTP と呼ばれています。

15. DIP(デュアルテープキャリアパッケージ)は上記と同じです。日本電子機械工業会規格における DTCP の命名法 (DTCP を参照)。 16. FP(フラットパッケージ) フラットパッケージ。表面実装パッケージのひとつ。 QFP または SOP の別名 (QFP および SOP を参照)。一部の半導体メーカーはこの名前を採用しています。

17. フリップチップ逆溶接チップ。ベアチップ実装技術の一つとして、LSIチップの電極部に金属バンプを形成し、その金属バンプをプリント基板の電極部に接合する技術があります。パッケージの設置面積は基本的にチップサイズと同じです。これは、すべてのパッケージング技術の中で最も小さく、最も薄いものです。ただし、基板の熱膨張係数がLSIチップの熱膨張係数と異なる場合、接合部で反応が起こり、接続の信頼性に影響を与えます。そのため、LSIチップの補強には樹脂を使用する必要があり、基板材料も基本的に熱膨張係数が同じものを使用する必要があります。

18. FQFP(ファインピッチクアッドフラットパッケージ)ピン中心間距離の小さいQFP。一般に、ガイドピンの中心距離は 0.65mm 未満です (QFP を参照)。一部の導体メーカーはこの名前を採用しています。

CPAC(グローブトップパッドアレイキャリア)は、米国モトローラ社のBGA(BGA参照)の別名である。

20. cqfp(ガードリング付きクワッドフィアットパッケージ)は、ガードリング付きの0.5面フラットパッケージです。プラスチック製QFPの一つで、ピンの曲がりや変形を防ぐために樹脂製の保護リングで覆われています。 LSIをプリント基板に組み込む前に、ガードリングのピンをカットしてガルウイング(L字型)に加工します。この種のパッケージは米国のモトローラ社で量産されています。ピン間距離は208mm、最大ピン数は約XNUMX本です。

21. H-(ヒートシンク付き)は放熱器付きのマークを示します。たとえば、HSOP はヒートシンク付き SOP を表します。

22、グリッドアレイ(表面実装型)表面実装PGA。 PGAは通常、ピンの長さが約3.4mmのプラグインパッケージです。表面実装 PGA はパッケージの底部にディスプレイ ピンを備えており、その長さの範囲は 1.5 mm ~ 2.0 mm です。プリント基板とバンプ溶接する方式を採用しているため、バンプ溶接PGAとも呼ばれます。ピン中心距離がわずか1.27mmとプラグインPGAに比べて半分であるため、パッケージ本体を小さくでき、ピン数もプラグインPGA(250~528)より多いため、大規模ロジックLSI用のパッケージです。実装基板は多層セラミック基板とガラスエポキシ樹脂印刷基材から構成されています。多層セラミック基板を用いたパッケージングが実用化されています。

23、Jlcc(j-ledチップキャリア) J型リードチップキャリア。窓付き CLCC および窓付き QFJ の愛称を指します (CLCC および QFJ を参照)。一部の半導体メーカーが採用している名称。

24、Lcc(リーダーレスチップキャリア) リードレスチップキャリア。セラミック基板のXNUMX面に電極のみを備え、ピンを持たない表面実装パッケージを指します。これは、セラミック QFN または QFN-C (QFN を参照) とも呼ばれる、高速および高周波 IC 用のパッケージです。

25LGA(ランドグリッドアレイ)タッチポイントディスプレイパッケージ。すなわち、底面に平面電極コンタクトがアレイ状に配置されたパッケージが作製される。組み立てる時はソケットに差し込むだけ。現在、高速ロジックLSIには227コンタクト(中心間距離1.27mm)と447コンタクト(中心間距離2.54mm)のセラミックLGAが使用されています。 QFP と比較して、LGA はより小さなパッケージでより多くの入出力ピンを収容できます。また、リードのインピーダンスが小さいため、高速LSIに非常に適しています。しかし、ソケットの製造が複雑で高価であるため、現在では基本的に使用されていません。今後も需要が高まることが予想されます。

LOC (リード オン チップ) は、リード フレームがチップの上に配置され、チップの中心近くにあるはんだバンプにワイヤをボンディングすることによって電気接続が行われるチップ パッケージング技術を指します。この構造により、チップの側面近くにリード フレームを配置する従来の方法と比較して、同じサイズのパッケージ内でチップの幅を狭くすることができます。


LQFP (Low Profile Quad Flat Package) は、厚さ 1.4mm の QFP パッケージの一種です。電子機械産業協会が制定した新QFP概要仕様に基づいて命名されました。


28、L-Quad セラミック QFP の 7 つ。パッケージ基板に使用される窒化アルミニウムは、酸化アルミニウムに比べて熱伝導率が8~3倍高く、放熱性に優れています。パッケージフレームはアルミナ製で、チップはポッティング法で封止されており、コストを抑えています。ロジックLSI用に開発されたパッケージで、自然空冷下でW208電力を供給できるパッケージです。現在、0.5ピン(中心間距離160mm)と0.65ピン(中心間距離1993mm)のLSIロジックパッケージを開発し、XNUMX年XNUMX月に量産を開始した。

29、MCM(マルチチップモジュール) マルチチップモジュール。配線基板上に複数の半導体ベアチップが実装されたパッケージ。基板の材質により、MCM-L、MCM-C、MCM-DのXNUMXつに分類されます。 MCM-Lは一般的なガラスエポキシ樹脂多層プリント基板を使用したアセンブリです。配線密度はそれほど高くなく、コストも低い。 MCM-Cは、多層セラミック基板を用いた厚膜ハイブリッドICと同様に、セラミック(アルミナまたはガラスセラミック)を基板とし、厚膜技術により多層配線を形成したアセンブリです。両者の間に明らかな違いはありません。 MCM-Lよりも配線密度が高くなります。 MCM-Dは、セラミックス(アルミナや窒化アルミニウム)やSi、Alなどを基板の成分として、薄膜技術により形成された多層配線です。ケーブル配線は XNUMX つのコンポーネントの中で最も高価ですが、コストも高くなります。

30. MFP(ミニフラットパッケージ)は小型のフラットパッケージです。プラスチック SOP または SSOP の別名 (SOP および SSOP を参照)。一部の半導体メーカーが採用している名称。

31. MQFP(メトリック クアッド フラット パッケージ)は、JEDEC(米国合同電子機器委員会)規格による QFP の分類です。中心間距離0.65mm、厚み3.8mm~2.0mmのスタンダードQFP(QFP参照)。

32. MQUAD(メタルクアッド)は、アメリカのOlin Companyが開発したQFPパッケージです。ベースプレートカバーはアルミニウム製で接着剤で密閉されています。自然空冷の場合、2.5W~2.8Wの電力が許容されます。日本の新光電気工業株式会社は、1993 年に生産を開始するライセンスを取得しました。

33. MSP(mini square package)QFI (QFI を参照) の別名。開発の初期段階では MSP と呼ばれることがよくあります。 QFIとは日本電子機械工業会が定めた名称です。

34. OPMAC (オーバーモールド パッド アレイ キャリア) モールド樹脂で密封されたバンプ ディスプレイ キャリア。米国モトローラ社がモールド樹脂で封止したBGAの名称です(BGAを参照)。

35. P-(プラスチック)はプラスチック包装のマークを示します。たとえば、PDIP はプラスチック DIP の略です。

36、PAC(パッドアレイキャリア)、BGAの別名(BGAを参照)。

37、Pclp(プリント基板リーダーレスパッケージ)プリント基板リーダーレスパッケージ。日本の富士通株式会社がプラスチック QFN (プラスチック LCC) に採用した名前 (QFN を参照)。ピンピッチは0.55mmと0.4mmのXNUMX仕様があり、現在開発段階です。

38、PFPF(プラスチックフラットパッケージ) プラスチックフラットパッケージ。プラスチック QFP の別名 (QFP を参照)。一部のLSIメーカーが採用している名称。

39、PGA(ピングリッドアレイ)ピンパッケージ。プラグインパッケージの一つで、底面の垂直ピンがアレイ状に配置されています。パッケージは基本的に多層セラミック基板を採用しています。具体的な材料名は記載しませんが、高速大規模ロジックLSIに使用されるセラミックPGAがほとんどです。コストが高いです。ピン間ピッチは通常2.54mm、ピン数は64~447ピンです。コスト削減のため、パッケージ基板をガラスエポキシ樹脂プリント基板に置き換えることも可能です。 64~256ピンのプラスチックPG Aもあります。さらに、ピン中心間距離 1.27 mm のショートピン表面実装 PGA (バンプ溶接 PGA) もあります。 (表面実装 PGA を参照)。

40. ピギーバックピギーバックパッケージ。ソケット付きのセラミックパッケージを指し、形状はDIP、QFP、QFNに似ています。マイコンを使った機器開発時のプログラム確認動作の評価に使用します。たとえば、デバッグのために EPROM をソケットに接続します。この種のパッケージは基本的に固定商品であり、市場には流通しません。

41. PLCC (プラスチック LED チップ キャリア) リード付きのプラスチック チップ キャリア。表面実装パッケージのひとつ。ピンはパッケージの四辺から引き出されており、T 字型になっています。プラスチック製品です。 Texas Instruments 社が 64 ビット DRAM や 256 ビット RAM に初めて採用し、現在ではロジック LSI、DLD (またはプログラム ロジック デバイス) などに広く使用されています。ピン間隔は1.27mm、ピン数は18~84本です。J型ピンは変形しにくく、QFPに比べて作業は容易ですが、溶接後の外観検査が難しくなります。 Plc は LCC (QFN とも呼ばれます) に似ています。従来、両者の違いは、前者はプラスチックを使用し、後者はセラミックを使用することでした。しかし現在では、セラミック製のJ字型リードパッケージとプラスチック製のリードレスパッケージ(プラスチックLCC、PC LP、P-LCCなどと表示されている)が存在しており、区別することができません。このため、1988年に日本電子機械工業会は、XNUMX面J型リード付きパッケージをQFJ、XNUMX面電極バンプ付きパッケージをQFNと呼ぶことにしました(QFJ、QFN参照)。

42. P-LCC (プラスチック ティードル チップ キャリア) (プラスチック LED チップ キャリア) は、プラスチック QFJ の別名である場合もあり、QFN (プラスチック LCC) の別名である場合もあります (QFJ および QFN を参照)。 LSIメーカーによっては、違いを示すためにリードパッケージにはP-LCC、リードレスパッケージにはP-LCCを使用していることがあります。

43. QFH(クアッドフラットハイパッケージ)はXNUMXピンの厚みのあるフラットパッケージです。プラスチック製のQFPの一種。パッケージボディの破損を防ぐために、QFP ボディは厚くされています (QFP を参照)。一部の半導体メーカーが採用している名称。

44. QFI (Quad Flat I-led Pack GAC) は、1.27 つの I 型ピンを備えたフラット パッケージです。表面実装パッケージのひとつ。ピンはパッケージの四辺から引き出されており、下向きのI字型になっています。 MSP とも呼ばれます (MSP を参照)。プリント基板とのタッチアンドウェルド接続。ピンの突出部がないためQFPに比べ実装面積が小さくなります。日立はこのパッケージをビデオアナログIC用に開発・採用しました。なお、日本のモトローラ社のPLL ICもこのパッケージを採用しています。ピン間隔は18mm、ピン数は68~XNUMX本です。

45. QFJ (Quad Flat J-led Package) は、1.27 つの J 型ピンを備えたフラット パッケージです。表面実装パッケージのひとつ。パッケージの四辺からピンが下向きにJ字型に引き出されています。日本電子機械工業会が定めた名称です。ピン間の間隔は18mmです。素材はプラスチックとセラミックの84種類があります。ほとんどの場合、プラスチック QFJ は PLCC (PLCC を参照) と呼ばれ、マイコン、ドア ディスプレイ、DRAM、ASSP、OTP などの回路に使用されます。ピンの数は 32 ~ 84 です。セラミック QFJ は CLCC および JLCC とも呼ばれます (CLCC を参照)。窓付きパッケージは紫外線消去型EPROMやEPROM搭載マイコンチップ回路に使用されます。ピン数はXNUMX~XNUMXピンです。

46. QFN (Quad Flat Non-led Package) は、14 つの側面にリードのないフラット パッケージです。表面実装パッケージのひとつ。今ではLCCと呼ばれています。 QFNは日本電子機械工業会が定めた名称です。パッケージの 100 つの側面には電極接点が装備されています。ピンがないためQFPよりも実装面積が小さく、高さもQFPより低くなります。しかし、プリント基板とパッケージ間に応力が発生すると、電極接触部で応力を緩和することができません。そのため、QFP ピンほど多くの電極コンタクトを作成することは難しく、一般的には 1.27 ~ 1.27 個程度です。材質にはセラミックとプラスチックの 0.65 種類があります。 LCCマークがある場合は基本的にセラミックQFNです。電極中心間距離は0.5mmです。 プラスチックQFNはガラスエポキシ樹脂プリント基板の低コストパッケージです。電極間の中心距離はXNUMXmmのほかにXNUMXmmとXNUMXmmがあります。この種のパッケージは、プラスチック LCC、PCLC、P-LCC などとも呼ばれます。  

47、QFP(クアッドフラットパッケージ)は1.0本のリードを備えたフラットパッケージです。表面実装パッケージの一つで、ピンがガルウィング(L)状に0.8面から出ているタイプです。基材はセラミック、金属、プラスチックの0.65種類があります。数量的にはプラスチック包装が大部分を占めます。特に材質の記載がない場合はプラスチックQFPがほとんどです。プラスチック QFP は、最も一般的な多ピン LSI パッケージです。マイクロプロセッサやドアディスプレイなどのデジタルロジックLSI回路だけでなく、VTR信号処理やオーディオ信号処理などのアナログLSI回路にも使用されています。ピン間の間隔は0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.65mm、304mm、0.65mmなどの仕様です。中心間距離2.0mm仕様の最大ピン数は3.6ピンです。ピン中心間距離が1.4mm未満のQFPをQFP(FP)と呼びます。しかしこの度、日本電子機械工業会により QFP の外部仕様が再評価されました。ピン中心距離に違いはありませんが、パッケージ本体の厚みに応じてQFP(1.0mm~0.5mm厚)、LQFP(0.65mm厚)、TQFP(0.4mm厚)の0.65種類があります。なお、一部のLSIメーカーではピン中心間距離0.4mmのQFPを縮尺QFP、またはSQFP、VQFPと呼んでいます。ただし、メーカーによってはピン中心間距離348mmやXNUMXmmのQFPをSQFPと呼ぶ場合もあり、名前が少し紛らわしいです。 QFPの欠点は、ピンの中心間距離がXNUMXmm未満の場合、ピンが曲がりやすいことです。ピンの変形を防ぐために、QFP の改良品種がいくつか登場しています。たとえば、パッケージの四隅に木の指クッションが付いた BQFP (BQFP を参照)。ピンの前端を覆う樹脂保護リング付きの GQFP (Gqfp を参照)。 TPQFP (TPQFP を参照) は、パッケージ本体にテスト バンプを設定し、ピンの変形を防ぐために特別なクランプにそれらを配置することでテストできます。ロジックLSIでは、多くの開発品や高信頼性製品が積層セラミックQFPにパッケージされています。最小ピンピッチXNUMXmm、最大ピン数XNUMXの製品も公開しています。さらに、ガラス封止されたセラミック QFP も使用されます (Gerqa d を参照)。

48. QFP(FP)(QFPファインピッチ) 中心間距離が小さいQFP。日本電子機械工業会の規格に定められた名称。足の中心距離が 0.55mm、0.4mm、0.3mm、0.65mm 未満になるように QFP をガイドします (QFP を参照)。

49. QIC(クワッド・インライン・セラミック・パッケージ)セラミックQFPの別名。一部の半導体メーカーによって採用された名前 (QFP および Cerquad を参照)。

50、QIP(クアッドインラインプラスチックパッケージ) プラスチックQFPの別名。一部の半導体メーカーによって採用されている名前 (QFP を参照)。

51. QTCP(クアッドテープキャリアパッケージ)は、XNUMX面ピンでパッケージされています。 TCPパッケージの一つで、絶縁テープ上にピンが形成されており、パッケージの四辺からピンが引き出されています。これは、TAB テクノロジ (TAB、TCP を参照) を使用した薄型パッケージです。

52. QTP(クアッドテープキャリアパッケージ) 1993面リードロードパッケージ。日本電子機械工業会がXNUMX年XNUMX月にQTCPの概要仕様に使用した名称(TCPを参照)。

53. Quil (クアッドインライン) QUIP の別名 (Quip を参照)。  

54. QUIP(クアッドインラインパッケージ) 1.27ピンインラインパッケージ。ピンはパッケージの両側から引き出されており、ピンは2.5本おきに千鳥状に64列に折り曲げられています。ピンピッチはXNUMXmmで、プリント基板に挿入すると挿入ピッチはXNUMXmmとなります。したがって、標準的なプリント基板に使用できます。標準のDIPよりも小型のパッケージです。日本電気株式会社はデスクトップパソコンや家電製品のマイコンチップにいくつかのパッケージを採用しています。素材はセラミックとプラスチックのXNUMX種類があります。ピン数はXNUMX。

55. SDIP(シュリンクデュアルインラインパッケージ)シュリンクDIP。プラグインパッケージの一つで、DIPと同形状ですが、ピン中心間距離(1.778mm)がDIP(2.54mm)より小さいため、この名前で呼ばれています。ピン数は 14 ~ 90 です。sh-dip とも呼ばれます。素材はセラミックとプラスチックのXNUMX種類があります。

56. SH-DIP(シュリンクデュアルインラインパッケージ)はSDIPと同じです。一部の半導体メーカーが採用している名称。

57. SIL(single in-line)SIP の別名 (SIP を参照)。ヨーロッパの半導体メーカーは主に SIL という名前を使用します。

58. SIMM(シングルインラインメモリモジュール)シングルカラムメモリモジュール。プリント基板の片面付近のみに電極を備えたメモリモジュール。通常、ソケットに挿入されるコンポーネントを指します。標準 SIMM には 30 つの仕様があります。中心距離 2.54mm の電極数 72 個と中心距離 1.27mm の電極数 1 個です。SOJ によってプリント基板の片面または両面にパッケージ化された 4 メガビット DRAM および 30 メガビット DRAM を備えた SIMM は、広く使用されています。パーソナルコンピュータ、ワークステーション、その他のデバイス。 DRAM の少なくとも 40 ~ XNUMX% は SIMM に組み込まれています。

59. SIP(シングルインラインパッケージ) シングルインラインパッケージ。ピンはパッケージの片側から引き出されており、直線状に配置されています。プリント基板上に組み立てると、パッケージは横向きになります。ピン間の間隔は通常 2.54 mm、ピン数は 2 ~ 23 の範囲で、ほとんどがカスタム製品です。パッケージの形状が異なります。 ZIPと同じ形状のパッケージの中にはSIPと呼ばれるものもあります。

60. SK-DIP(スキニーデュアルインラインパッケージ)はDIPの一種です。幅7.62mm、ピン中心距離2.54mmの狭いDIPを指します。一般にDIPと呼ばれます(DIPを参照)。

61. SL-DIP(スリムデュアルインラインパッケージ)はDIPの一種です。幅10.16mm、ピン中心間距離2.54mmの狭いDIPを指します。一般的にDIPと呼ばれます。  

62、SMD(表面実装デバイス)表面実装デバイス。場合によっては、一部の半導体メーカーが SOP を SMD として分類することがあります (SOP を参照)。

63. SO(スモールアウトライン)SOPの別名。世界中の多くの半導体メーカーがこのニックネームを採用しています。 (SOPを参照)。

64. SOI (Small Out-Line I-Led Package) I型リードのスモールアウトラインパッケージ。表面実装パッケージのひとつ。ピンはパッケージの両側から I 字型に引き出されており、中心間距離は 1.27 mm です。実装面積はSOPより小さくなります。日立はこのパッケージをアナログIC(モータ駆動用IC)に採用しました。引数は26です。

65. SOIC (Small Outline Integrated Circuit) SOP の別名 (SOP を参照)。海外の半導体メーカーの多くがこの名称を採用しています。

66. SOJ (Small Out-Line J-Led Package) J型ピンのスモールアウトラインパッケージ。表面実装パッケージのひとつ。ピンがパッケージの両側から J 字型に伸びていることが名前の由来です。通常はプラスチック製品で、主にDRAMやSRAMなどのメモリLSIに使用されていますが、ほとんどがDRAMです。 SO J でパッケージ化された DRAM デバイスの多くは SIMM 上に組み立てられています。ピン間隔は 1.27mm、ピン番号は 20 ~ 40 です (SIMM を参照)。

67、SQL (Small Out-Line L-Led Package) は、JEDEC (米国合同電子機器技術委員会) 規格に従って SOP に採用された名前です (SOP を参照)。

68. SOPF (Small Out-Line Non-Fin) ヒートシンクなしの SOP。通常のSOPと同じです。 NF(non-fin)マークは、パワーICパッケージのヒートシンク無しの違いを示すために意図的に付加されています。一部の半導体メーカーによって採用されている名前 (SOP を参照)。

69. SOF(スモール・アウトライン・パッケージ) スモール・フォーム・ファクタ・パッケージ。表面実装パッケージの一つで、パッケージの両側からリードがガルウィング状(L字型)に引き出されています。素材はプラスチックとセラミックの10種類があります。 SOL および DFP とも呼ばれます。 SOPはメモリLSIだけでなく、ASSPなどの回路でも広く使われています。 SOPは、入出力端子数が40~1.27を超えない分野で最も普及している表面実装パッケージです。ピン間隔は8mm、ピン数は44~1.27です。また、ピン中心間距離のあるSOP 1.27mm未満はSSOPとも呼ばれます;;アセンブリ高さが XNUMXmm 未満の SOP は TSOP とも呼ばれます (SSOP、TSOP を参照)。ヒートシンク付きのSOPもあります。

70. SOW(スモールアウトラインパッケージ(ワイドJYPE))ワイドボディSOP。一部の半導体メーカーが採用している名称。チップの種類まとめ~使っているものはある?
whatsapp

サービスホットライン

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950