Sự khác biệt giữa IGBT rời rạc và mô-đun IGBT: Mô-đun IGBT có thể được coi là sự cải tiến và nâng cấp chức năng của IGBT rời rạc. Lĩnh vực ứng dụng của chúng về cơ bản là giống nhau. Tuy nhiên, do tích hợp nhiều mạch điều khiển và bảo vệ khác nhau, việc lắp đặt mô-đun IGBT thuận tiện hơn rất nhiều cho người dùng. Với việc áp dụng công nghệ đóng gói mới, hiệu suất của IGBT cũng được cải thiện đáng kể, mở rộng lĩnh vực ứng dụng của IGBT. Mô-đun công suất IGBT được điều khiển bởi IC, các mạch điều khiển và bảo vệ khác nhau, chip IGBT hiệu suất cao và công nghệ đóng gói mới. Từ mô-đun công suất tổng hợp PIM đến mô-đun công suất thông minh IPM, mô-đun điện tử PEBB và mô-đun công suất iPem. PIM đang phát triển theo hướng dòng điện cao áp, và cấp độ sản phẩm là 1200-18.

Giới thiệu: Thiết bị điện tử là một hệ thống rất phức tạp. Các khuyết tật và hỏng hóc trong quá trình đóng gói cũng rất phức tạp. Do đó, nghiên cứu về khuyết tật và hỏng hóc trong đóng gói cần phải có sự hiểu biết có hệ thống về quá trình đóng gói, để có thể phân tích nguyên nhân gây ra khuyết tật từ nhiều góc độ. 1. Cơ chế hỏng hóc của khuyết tật và hỏng hóc trong đóng gói có thể được chia thành hai loại: ứng suất quá mức và mài mòn. Hỏng hóc do ứng suất quá mức thường xảy ra tức thời và đột ngột; mài mòn là hư hỏng tích lũy lâu dài. Nó thường biểu hiện đầu tiên là sự suy giảm hiệu suất, sau đó thiết bị không còn hoạt động được. Loại hỏng hóc có thể được chia thành tải trọng cơ học, nhiệt, điện, bức xạ và hóa học. Các yếu tố ảnh hưởng đến khuyết tật và hỏng hóc trong đóng gói rất đa dạng, bao gồm cả thành phần vật liệu.

Bạn biết gì về bao bì chip? Tại sao chip cần được đóng gói? Có những loại bao bì chip nào? Bao bì chip: Nói một cách đơn giản, đó là việc đặt chip tích hợp (DIE) do xưởng đúc sản xuất lên một chất nền có khả năng chịu lực, sau đó dẫn các chân cắm vào và cố định toàn bộ bao bì. Chức năng của bao bì chip: Bao bì chip đóng vai trò đặt, cố định, niêm phong, bảo vệ chip và tăng cường các đặc tính điện, đồng thời là cầu nối giữa thế giới bên ngoài và các mạch bên ngoài của chip - kết nối chip với các chân của vỏ bao bì bằng dây dẫn. Các chân này được kết nối với các thiết bị khác thông qua dây dẫn trên bo mạch in. Do đó, bao bì đóng vai trò quan trọng trong CPU và các mạch tích hợp LSI khác. Các loại bao bì chip trên thế giới

GD32 là một máy vi tính chip đơn được phát triển ở Trung Quốc. Người ta nói rằng nhà phát triển đến từ Công ty ST và GD32 cũng được tạo bằng STM32 làm mẫu. Do đó, GD32 và STM32 giống nhau ở nhiều chỗ. Tuy nhiên, GD32 xét cho cùng là một sản phẩm khác và không thể tuân theo STM32 về mọi thứ. Một số sản phẩm tự phát triển vẫn khác nhau. Chúng tôi sẽ không nói về những nơi giống nhau. Đây là những nơi khác nhau.

Sự phát triển của bao bì CIS

Radar gắn trên xe là một trong những cảm biến cốt lõi của Hệ thống lái xe có hỗ trợ nâng cao (ADAS) và lái xe không người lái, còn chip radar gắn trên xe là lõi của radar gắn trên xe. Ngày nay, chip cấp độ phương tiện tích hợp cao (MMIC+DSP/MCU) cung cấp giải pháp quan trọng cho việc thu nhỏ, độ tin cậy cao, độ ổn định và chi phí radar thấp, đồng thời tầm quan trọng của nó là hiển nhiên.

Bây giờ "từ đầu đến cuối" là phổ biến. Hãy lấy cuộc gọi điện thoại di động làm ví dụ và quan sát toàn bộ quá trình truyền tín hiệu từ điện thoại di động đến trạm gốc để xem băng tần cơ sở và RF dùng để làm gì.

Điốt TVS và Điốt Zener: So với điốt Zener truyền thống, điốt TVS TVS có diện tích tiếp giáp P/N lớn hơn. Cải tiến về cấu trúc này cho phép TVS có khả năng chịu được điện áp cao hơn đồng thời giảm tốc độ cắt điện áp, do đó nó có

1. Điốt phục hồi nhanh là gì? Điốt phục hồi nhanh thường được sử dụng trong các sản phẩm chỉnh lưu tần số cao và các sản phẩm có mạch tự do. Nói chung, chúng được sử dụng cho phần đầu vào của mô-đun nguồn, tần số không cao nên không cần sử dụng điốt phục hồi nhanh.

1. Về mối quan hệ giữa giá trị cực đại của công suất hấp thụ của điện áp quá độ và độ rộng xung của điện áp quá độ, tài liệu hướng dẫn chỉ cung cấp giá trị cực đại của công suất hấp thụ dưới một độ rộng xung cụ thể, trong khi độ rộng xung thực tế

Bộ bảo vệ tĩnh điện ESD là một linh kiện bảo vệ chống tĩnh điện, quá áp, được sử dụng để bảo vệ các mạch nhạy cảm trong thiết bị điện tử khỏi ảnh hưởng của ESD (phóng tĩnh điện), vì mục đích là chuyển ứng suất ESD từ linh kiện nhạy cảm, để dòng điện chạy qua linh kiện bảo vệ thay vì linh kiện nhạy cảm, đồng thời duy trì điện áp thấp trên linh kiện nhạy cảm; Bộ bảo vệ tĩnh điện ESD cũng phải có đặc tính rò rỉ thấp và điện dung thấp, điều này sẽ không làm giảm chức năng của mạch; sẽ không gây hư hỏng cho tín hiệu tốc độ cao và sẽ bảo vệ chống lại nhiều ứng suất. Chức năng của phần tử bảo vệ sẽ không bị giảm.

Ống TVS là một thiết bị bảo vệ hiệu quả cao. Khi hai đầu chịu tác động năng lượng cao tức thời, ống TVS có thể ngay lập tức chuyển đổi đặc tính điện trở cao thành đặc tính điện trở thấp, hấp thụ dòng điện lớn và kẹp điện áp ở cả hai đầu của ống TVS. Ở một giá trị nhất định (giá trị điện áp chịu được của ống TVS), mạch phía sau được bảo vệ khỏi tác động của năng lượng cao thoáng qua và sự an toàn của mạch được bảo vệ. Như hình dưới đây. Nói một cách đơn giản, nếu điện áp tác động mà mạch có thể chịu được không cao hơn DC24V thì hãy hàn một ống TVS 26V ở nguồn điện. Khi điện áp nguồn không vượt quá 26V, ống TVS ở trạng thái trở kháng cao; Sau khi xung cao hơn 26V, ống TVS có thể nhanh chóng kẹp điện áp mạch về 24V, đảm bảo an toàn cho bảng mạch.

Ưu điểm của ống TVS: 1. Tốc độ phản hồi cực nhanh (mức Ps); 2. Điện áp đánh thủng dao động từ 6.12V đến 550V; 3. Điện áp kẹp chính xác hơn.

Bất kể TV được tạo ra ở đây như thế nào, chẳng hạn như sét đánh trực tiếp hay gián tiếp, phóng tĩnh điện, chuyển tải công suất lớn và các yếu tố khác gây ra hiện tượng tăng đột biến. Điện áp dao động từ vài volt đến hàng chục kilovolt hoặc thậm chí cao hơn.

Chức năng chính của nó là khuếch đại dòng điện (mạch tương tự) và hoạt động chuyển mạch (mạch kỹ thuật số).

Đặc điểm chung của nó là có ba điện cực, đó là nguồn gốc của từ viết tắt "triode". Nói chung, bên trong triode là cấu trúc ba lớp bao gồm chất bán dẫn loại P và chất bán dẫn loại N, được chia thành loại NPN và loại PNP theo thứ tự phân cấp.

Đặc tính điện dung và nhiệt độ ký sinh của MOSFET

Khi mua và chế tạo các giải pháp mạch điện, chúng ta thường cần xem xét nhiệt độ của các bộ phận. Suy cho cùng, mỗi thành phần đều có giới hạn phạm vi nhiệt độ. Lúc này chúng ta cần tính toán nhiệt độ của các linh kiện trước khi lựa chọn linh kiện phù hợp. Sau đó là phần gốc Cách tính sự thay đổi nhiệt độ, editor dưới đây sẽ chia sẻ với các bạn phương pháp tính nhiệt độ thành phần:

Được thúc đẩy bởi nhu cầu ngày càng tăng trong thị trường thiết bị đầu cuối ô tô và sự tương đương về giá với silicon, sản xuất silicon carbide (SiC) đang phát triển nhanh chóng. Hàng nghìn mô-đun bán dẫn công suất đã được sử dụng trong xe điện cho việc sạc trên xe, bộ biến tần kéo và chuyển đổi DC-to-DC. Hầu hết chúng hiện đang được sản xuất bằng cách sử dụng IGBT dựa trên silicon. Tuy nhiên, việc chuyển sang MOSFET dựa trên SiC đã tăng gấp đôi mật độ công suất và tăng tốc độ chuyển mạch trong các gói nhỏ hơn, nhẹ hơn. Yêu cầu về điện áp cao và hoạt động trong môi trường nóng và khắc nghiệt ngày càng khắt khe đối với xe điện và trạm sạc. Tuy nhiên, do chi phí sản xuất và đóng gói cao hơn của các vật liệu có dải năng lượng rộng, silicon carbide (SiC) sẽ cần một thời gian để có được chỗ đứng vững chắc. Tuy nhiên, tình hình này đang thay đổi. Victor Veliadis, Giám đốc điều hành kiêm Giám đốc công nghệ của PowerAmerica, cho biết giá của các mô-đun công suất SiC hiện nay tương đương với các mô-đun dựa trên silicon, điều này thúc đẩy quan hệ đối tác cung ứng và việc xây dựng các nhà máy SiC mới. Vẫn còn nhiều việc phải làm. Công nghệ sản xuất tấm wafer SiC cần được nâng cấp. Việc sản xuất các thiết bị này đòi hỏi 20% công cụ quy trình mới và 80% công cụ được cải tiến. Mục tiêu của chúng tôi là đẩy nhanh tốc độ sản xuất các thiết bị điện tích hợp và rời rạc, đó là lý do tại sao các nhà sản xuất ô tô đang chuyển sang hợp tác trực tiếp từ wafer đến module với các xưởng đúc.

Được thúc đẩy bởi nhu cầu ngày càng tăng trong thị trường thiết bị đầu cuối ô tô và sự tương đương về giá với silicon, sản xuất silicon carbide (SiC) đang phát triển nhanh chóng. Hàng nghìn mô-đun bán dẫn công suất đã được sử dụng trong xe điện cho việc sạc trên xe, bộ biến tần kéo và chuyển đổi DC-to-DC. Hầu hết chúng hiện đang được sản xuất bằng cách sử dụng IGBT dựa trên silicon. Tuy nhiên, việc chuyển sang MOSFET dựa trên SiC đã tăng gấp đôi mật độ công suất và tăng tốc độ chuyển mạch trong các gói nhỏ hơn, nhẹ hơn. Yêu cầu về điện áp cao và hoạt động trong môi trường nóng và khắc nghiệt ngày càng khắt khe đối với xe điện và trạm sạc. Tuy nhiên, do chi phí sản xuất và đóng gói cao hơn của các vật liệu có dải năng lượng rộng, silicon carbide (SiC) sẽ cần một thời gian để có được chỗ đứng vững chắc. Tuy nhiên, tình hình này đang thay đổi. Victor Veliadis, Giám đốc điều hành kiêm Giám đốc công nghệ của PowerAmerica, cho biết giá của các mô-đun công suất SiC hiện nay tương đương với các mô-đun dựa trên silicon, điều này thúc đẩy quan hệ đối tác cung ứng và việc xây dựng các nhà máy SiC mới. Vẫn còn nhiều việc phải làm. Công nghệ sản xuất tấm wafer SiC cần được nâng cấp. Việc sản xuất các thiết bị này đòi hỏi 20% công cụ quy trình mới và 80% công cụ được cải tiến. Mục tiêu của chúng tôi là đẩy nhanh tốc độ sản xuất các thiết bị điện tích hợp và rời rạc, đó là lý do tại sao các nhà sản xuất ô tô đang chuyển sang hợp tác trực tiếp từ wafer đến module với các xưởng đúc.