Đặc điểm của MOSFET là gì?

Đặc tính điện dung và nhiệt độ ký sinh của MOSFET

Điện dung của MOSFET

Trong cấu trúc của MOSFET công suất, như trên Hình 1, có một công suất ký sinh.

Về cấu trúc của MOSFET công suất, như trên Hình 1, có một điện dung ký sinh. Đầu cực G (cổng) của MOSFET được cách điện với các điện cực khác bằng màng oxit và điểm nối PN được hình thành giữa DS (cống, nguồn) để tạo thành cấu trúc diode tích hợp. Công suất Cgs, Cgd được xác định bởi điện dung của màng oxit và Cds được xác định bởi công suất tiếp giáp của diode tích hợp.

Nói chung, ba loại Ciss/Coss/Crss trong Bảng 1 được ghi lại trong thông số kỹ thuật MOSFET.

Như được hiển thị trong Hình 2, các đặc tính điện dung phụ thuộc vào điện áp VDS giữa DS (cống và nguồn). VDS càng lớn thì giá trị dung lượng càng nhỏ.

Đặc điểm nhiệt độ

Các ví dụ đo thực tế được thể hiện trong Hình (1) ~ (3)

Có rất ít sự khác biệt về sự phụ thuộc nhiệt độ của các đặc tính công suất.

至产品详细网页

Giới thiệu về chuyển mạch MOSFET và đặc tính nhiệt độ của nó

Về thời gian chuyển đổi MOSFET

Sau khi điện áp cổng BẬT/TẮT, MOSFET BẬT/TẮT. Thời gian trễ này chính là thời gian chuyển mạch. Thời gian chuyển đổi như trong Bảng 1. Nói chung, td(on)/tr/td(off)/tf được ghi lại trong thông số kỹ thuật.

Slkor xác định kiểu. giá trị thông số kỹ thuật dựa trên giá trị đo được của mạch ở Hình 2.

Bảng 1: Đặc tính SW của MOSFET

Đánh dấu	Nội dung
td (trên)	Bật thời gian trễ (VGS 10%→VDS 90%)
tr	Thời gian tăng (VDS 90%→VDS 10%)
td (tắt)	TẮT thời gian trễ (VGS 90%→VDS 10%)
tf	giảm thời gian (VDS 10%→VDS 90%)
ton	thời gian mở cửa (td (trên) +tr)
toff	Thời gian TẮT (td (tắt) +tf)

Đặc điểm nhiệt độ

Các ví dụ đo được thể hiện trong Hình 3(1)~(4).

Thời gian chuyển mạch tăng nhẹ khi nhiệt độ tăng, nhưng nó tăng khoảng 10% khi nhiệt độ tăng lên 100°C và hầu như không có sự phụ thuộc vào nhiệt độ của các đặc tính chuyển mạch.

至产品详细网页

Về V.GS (th) của MOSFET (giá trị ngưỡng)

Giới thiệu về VGS (th) của MOSFET

Khi MOSFET được bật, điện áp cần thiết giữa GS (cổng, nguồn) được gọi là VGS(th) (giá trị ngưỡng).

Nghĩa là, khi điện áp đầu vào vượt quá giá trị giới hạn, MOSFET sẽ được bật.

Vậy dòng điện MOSFET có thể đi qua là bao nhiêu A khi nó ở trạng thái bật? Đối với mỗi thành phần, nó được ghi lại trong cột đặc tính điện của bảng thông số kỹ thuật.

Bảng 1 là một ví dụ về cột đặc tính điện của thông số kỹ thuật. Trong trường hợp này, khi đầu vào VDS=10V, điện áp ngưỡng cổng ID(th) cần thiết để truyền dòng điện 1mA qua ID là 1.0V đến 2.5V.

至产品详细网页

ID-VGS đặc điểm và đặc điểm nhiệt độ

Hình 1 và 2 thể hiện các ví dụ đo thực tế của ID-VGS đặc điểm và đặc điểm nhiệt độ ngưỡng.

Như được hiển thị trong Hình 1, để truyền phần lớn dòng điện, cần có điện áp cổng tương đối lớn.

Các mẫu được liệt kê trong Bảng 1 có giá trị giới hạn từ 2.5V trở xuống trong thông số kỹ thuật, nhưng chúng là các sản phẩm được dẫn động bằng 4V.

Khi sử dụng, vui lòng nhập điện áp cổng để bật đủ.

Như được hiển thị trong Hình 2, giá trị giới hạn giảm theo nhiệt độ.

Bằng cách quan sát sự thay đổi điện áp ngưỡng, nhiệt độ kênh của phần tử có thể được tính toán.