MOSFET'in özellikleri nelerdir?

MOSFET'in Parazit Kapasitans ve Sıcaklık Özellikleri

MOSFET'in kapasitansı

Güç MOSFET'inin yapısında Şekil 1'de görüldüğü gibi parazitik bir kapasite bulunmaktadır.

Güç MOSFET'inin yapısı açısından Şekil 1'de görüldüğü gibi parazitik bir kapasitans bulunmaktadır. MOSFET'in G (geçit) terminali, bir oksit film ile diğer elektrotlardan yalıtılır ve yerleşik bir diyot yapısı oluşturmak için DS (drenaj, kaynak) arasında bir PN bağlantısı oluşturulur. Cgs, Cgd kapasitesi oksit filmin kapasitansı tarafından belirlenir ve Cds, yerleşik diyotun bağlantı kapasitesi tarafından belirlenir.

Genel olarak konuşursak, Tablo 1'deki üç tip Ciss/Coss/Crss MOSFET spesifikasyonunda kayıtlıdır.

Şekil 2'de gösterildiği gibi, kapasitans özellikleri DS (drenaj ve kaynak) arasındaki VDS voltajına bağlıdır. VDS ne kadar büyük olursa kapasite değeri o kadar küçük olur.

Sıcaklık özellikleri

Gerçek ölçüm örnekleri Şekiller (1) ~ (3)'de gösterilmektedir.

Kapasite özelliklerinin sıcaklığa bağımlılığında çok az fark vardır.

Amerika Birleşik Devletleri

MOSFET anahtarlaması ve sıcaklık özellikleri hakkında

MOSFET anahtarlama süresi hakkında

Kapı voltajı AÇIK/KAPALI olduktan sonra MOSFET AÇIK/KAPALI olur. Bu gecikme süresi anahtarlama süresidir. Anahtarlama süresi Tablo 1'de gösterildiği gibidir. Genel olarak konuşursak, td(on)/tr/td(off)/tf spesifikasyona kaydedilir.

Slkor tipini belirliyor. Şekil 2'deki devrenin ölçülen değerine göre spesifikasyonun değeri.

Tablo 1: MOSFET'lerin SW Özellikleri

işaret	İçerik
td (açık)	Gecikme süresini aç (VGS %10→VDS 90%)
tr	Yükseliş zamanı (VDS %90→VDS 10%)
td (kapalı)	KAPALI gecikme süresi (VGS %90→VDS 10%)
tf	düşüş zamanı (VDS %10→VDS 90%)
ton	açılış zamanı (td (açık) +tr)
tkapalı	KAPALI zamanı (td (kapalı) +tf)

Sıcaklık özellikleri

Ölçülen örnekler Şekil 3(1)~(4)'te gösterilmektedir.

Anahtarlama süresi sıcaklık arttıkça hafifçe artar, ancak sıcaklık 10°C'ye yükseldiğinde yaklaşık %100 artar ve anahtarlama özelliklerinin sıcaklığa bağımlılığı neredeyse yoktur.

Amerika Birleşik Devletleri

V ile ilgiliGS (th) MOSFET'in (eşik değeri)

V HakkındaGS (th) MOSFET'in

MOSFET açıldığında GS (geçit, kaynak) arasında gerekli olan gerilime VGS(th) (eşik değeri) denir.

Yani limit değerin üzerinde gerilim girildiğinde MOSFET açılır.

Peki MOSFET açık durumdayken ne kadar A akımı geçebilir? Her bileşen için, spesifikasyon sayfasının elektriksel özellikler sütununa kaydedilir.

Tablo 1, spesifikasyonun elektriksel özellikler sütununun bir örneğidir. Bu durumda, giriş VDS=10V olduğunda, ID'den 1mA akımı geçirmek için gereken geçit eşik voltajı ID(th) 1.0V ile 2.5V arasındadır.

Amerika Birleşik Devletleri

ID-VGS özellikleri ve sıcaklık özellikleri

Şekil 1 ve 2, I'in gerçek ölçüm örneklerini göstermektedir.D-VGS özellikleri ve eşik sıcaklık özellikleri.

Şekil 1'de gösterildiği gibi akımın çoğunu geçirmek için nispeten büyük bir kapı voltajına ihtiyaç vardır.

Tablo 1'de listelenen modeller teknik özelliklerde 2.5V veya daha düşük bir sınır değerine sahiptir ancak 4V tahrikli ürünlerdir.

Kullanırken, yeterince açılmasını sağlamak için lütfen geçit voltajını girin.

Şekil 2'de gösterildiği gibi sınır değeri sıcaklıkla birlikte azalır.

Eşik voltajı değişimi gözlemlenerek elemanın kanal sıcaklığı hesaplanabilir.