MOSFET有什麼特色？

MOSFET的寄生電容與溫度特性

MOSFET的電容

在功率MOSFET的結構中，如圖1所示，有寄生電容。

從功率MOSFET的結構來看，如圖1所示，有寄生電容。 MOSFET的G（閘極）端透過氧化膜與其他電極絕緣，與DS（汲極、源極）之間形成PN結，構成內建二極體結構。 Cgs、Cgd容量由氧化膜電容決定，Cds則由內建二極體的結電容決定。

一般來說，MOSFET規格書中會記錄表1中的Ciss/Coss/Crss三種。

如圖2所示，電容特性取決於DS（汲極和源極）之間的電壓VDS。 VDS越大，容量值越小。

溫度特性

實際測量示例如圖（1）～（3）所示

容量特性的溫度依賴性幾乎沒有差異。

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關於MOSFET開關及其溫度特性

關於MOSFET開關時間

閘極電壓ON/OFF後，MOSFET導通/關斷，這段延遲時間即為開關時間，開關時間如表1所示，一般規格書中會記錄td(on)/tr/td(off)/tf。

Slkor 確定類型。規格值是基於圖 2 中電路的測量值。

表1：MOSFET的SW特性

馬可福音	內容
t大學教師）	開啟延遲時間 (VGS 10%→VDS 90％）
tr	上升時間 (VDS 90%→VDS 10％）
t脫）	OFF延遲時間 (VGS 90%→VDS 10％）
tf	下降時間 (VDS 10%→VDS 90％）
ton	營業時間 (t大學教師） + tr)
toff	關閉時間 (t脫） + tf)

溫度特性

實測實例如圖3(1)~(4)所示。

隨著溫度升高，開關時間略有增加，但當溫度升至10°C時，開關時間增加約100%，且開關特性幾乎沒有溫度依賴性。

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關於VGS（TH） MOSFET（閾值）

關於VGS（TH） MOSFET

MOSFET導通時，GS（閘極，源極）之間所需的電壓稱為VGS(th)（閾值）。

即當輸入超過限定值電壓時，MOSFET導通。

那麼MOSFET在導通狀態下可以通過多少A的電流呢?每一個元件，在規格書的電氣特性一欄裡都有記錄。

表1是規範的電氣特性欄的範例。此時，當輸入VDS=10V時，通過ID 1mA電流所需的閘極閾值電壓ID(th)為1.0V至2.5V。

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ID-VGS 特性和溫度特性

圖1和圖2顯示了I的實際測量範例D-VGS 特性和閾值溫度特性。

如圖1所示，為了通過大部分電流，需要相對較大的閘極電壓。

表1中所列的型號在規格中具有2.5V或更低的極限值，但它們是4V驅動的產品。

使用時，請輸入閘極電壓，使其充分導通。

如圖2所示，極限值隨著溫度的升高而降低。

透過觀察閾值電壓的變化，可以計算出元件的通道溫度。